【課題】電子装置の製造工程を効率的に実施し、製造コストを低減する。
【解決手段】本発明の電子装置１００は、基板１と、基板１上に形成された機能構造体（ＭＥＭＳ構造体）３Ｘと、機能構造体３Ｘが配置された空洞部Ｓを画成する被覆構造とが備えられる電子装置であって、前記被覆構造が、基板１上に設けられ、且つ空洞部Ｓを囲む層間絶縁層４，６と、下部包囲壁３Ｙ及び配線層５，７とからなる側壁１０Ｙと、空洞部Ｓの上方を覆うと共に、空洞部Ｓに貫通する開口７ａを有し耐食性層を含む積層構造からなる第１被覆層７Ｙと、開口７ａを閉鎖する第２被覆層９と、を備えている。耐食性層は、ＴｉＮ、Ｔｉ、Ｗ、Ａｕ、Ｐｔまたはそれぞれの合金より構成される。 （もっと読む）

【課題】機能性材料基板の薄膜をエッチングすることなくパターニングできる複合基板の製造方法の提供を図る。
【解決手段】複合基板の製造方法は、パターン形成工程（Ｓ１２）と接合工程（Ｓ１４）と剥離工程（Ｓ１５）とを含む。パターン形成工程（Ｓ１２）は、支持基板３の主面に犠牲層突出部２をパターン形成する。犠牲層突出部２は支持基板３の主面から突出する。接合工程（Ｓ１４）は、圧電基板１の平坦面に支持基板３を犠牲層突出部２で接合する。圧電基板１の平坦面は表面から一定距離の内部にマイクロキャビティを集積した剥離層１Ｃを形成している。剥離工程（Ｓ１５）は、マイクロキャビティに応力を作用させて、犠牲層突出部２に接合する圧電基板１の領域から圧電薄膜４を剥離する。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳ構造体の構造寸法を広い範囲で調整できると共に、均一な寸法調整を行うことができ、或いは、動作態様を変化させないＭＥＭＳデバイスの調整方法及びこれを用いた製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のＭＥＭＳデバイスの製造方法は、基板１０上に、ＭＥＭＳ構造体２０と、該ＭＥＭＳ構造体２０の周囲に外部に開口した空洞部を有する被覆構造とを形成する基板上構造形成工程と、その後、外部より前記ＭＥＭＳ構造体２０の周囲２０ＣにエッチングガスＥＧを供給して前記ＭＥＭＳ構造体の表面エッチングを気相で行う構造体エッチング工程と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】複数の圧電デバイスをマルチ状に形成した後に単体の圧電デバイス毎の個片にする場合に、欠けやクラックを起点とした劈開の発生を抑制する。
【解決手段】圧電基板に対してイオン注入を行うことで剥離層を形成し、圧電基板の剥離層側に支持基板３０Ｂを接合する。この複合体に対して加熱処理を行うことで、支持基板３０Ｂにより支持された圧電薄膜１０が形成される。支持基板３０Ｂにより支持される圧電薄膜１０は、圧電デバイス単体をマルチ状に形成できる形状からなる。支持基板３０Ｂによって支持された圧電薄膜１０は、ドライエッチングにより切断用溝５０を形成することで、圧電デバイス単体毎の領域に区分けられる（Ｓ１０６）。その後、圧電デバイスとして機能するための構成要素が形成され、ブレード５００を用いて切断用溝５０に沿って支持基板３０Ｂを切断することで、最終的に各圧電デバイスの個片に分割される（Ｓ１１１）。 （もっと読む）

【課題】その上に圧電体層を堆積させる表面としてふさわしい、しかし、電極層の下の犠牲層および／または直に接する下地（underlay）の研磨を必要としていない、下部電極を堆積させる向上した方法を提供すること。
【解決手段】一つの発明の特徴の音響共振器は、基材、該基材上に直接または該基材上の一層以上の中間層のトップ上に備えられた少なくとも一層のおおむね結晶性のプライマー層、該プライマー層上に備えられたおおむね滑らかなならびにおおむね結晶性の電極層、および該電極層上に備えられた圧電体層を含んでいる。該プライマー層、または該プライマー複数層の少なくとも一層は、第一結晶系に属する結晶学的構造を有しており、そして、該電極層は、第一系に対し異なる第二結晶系に属する結晶学的構造を有している。該プライマー層または前記プライマー複数層の少なくとも一層と該電極層の原子間隔は、約１５％以内にマッチする。 （もっと読む）

【課題】長時間高温加熱剥離における問題を解決できる圧電デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】圧電単結晶基板に対して所定条件で水素イオンを注入して、圧電単結晶基板の一主面から所定深さの位置にイオン注入層を形成する（Ｓ１０１）。イオン注入層が形成された圧電単結晶基板を支持基板に接合し（Ｓ１０２→Ｓ１０３）、支持基板側からＴＨＧレーザ光を照射する（Ｓ１０４）。ここで、圧電単結晶基板は支持基板よりもＴＨＧレーザ光の光吸収率が高いので、圧電単結晶基板における支持基板との接合界面付近で光が吸収され、局所的に発熱する。この発熱によりイオン注入層を剥離面として、圧電薄膜が圧電単結晶基板から剥離され、圧電薄膜と支持基板とを有する複合圧電基板が形成される。 （もっと読む）

【課題】水晶振動子の漏れ振動調整において、水晶振動子に外力を加えることなく高精度な微細調整を実現し、且つ、複数の水晶振動子を一括して調整できる水晶振動子の製造方法を提供する。
【解決手段】振動脚を備える外形形状を有し、該振動脚の主平面と側面とに電極を備える水晶振動子の製造方法であって、水晶板に所定の形状のエッチングマスクを形成し、該マスクを用いて該水晶板を水晶振動子の漏れ振動の方向が予め見積もれるような形状にエッチングして外形形状を形成する外形形成工程と、振動脚を構成する主平面に見積もった漏れ振動の方向に基づいてバランス調整をするための切欠部を備える電極を形成する電極形成工程と、電極形成工程で形成された電極をマスクにして振動脚をエッチングするバランス調整工程と、を有する製造方法とした。 （もっと読む）

【課題】圧電層の結晶性を向上させることができて機械的品質係数を向上でき、且つ、小型化および堅牢化が可能なＢＡＷ共振装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】下部電極３１と上部電極３３との間に圧電層３２を有する共振子３が支持基板１の一表面側に形成され、支持基板１に、共振子３の下部電極３１における支持基板１側の表面を露出させる空洞１ａが形成されている。圧電層３２の圧電材料がＰＺＴ系材料であり、圧電層３２は、平面視における全域が下部電極３１上に形成されている。支持基板１は、互いに厚さが異なる上層基板１１と下層基板１２との積層構造を有し、上層基板１１が、単結晶ＭｇＯ基板からなるとともに、下層基板１２に比べて薄く、且つ、空洞１ａが、エッチング速度の結晶方位依存性を利用した湿式の異方性エッチングにより上層基板１１の厚み方向に貫設された断面台形状の開口部１１ａにより構成されている。 （もっと読む）

【課題】支持基板に空洞を形成する際のエッチャントによる圧電層の浸食を防止することが可能なＢＡＷ共振装置を提供する。
【解決手段】単結晶ＭｇＯ基板からなる支持基板１の一表面側に、Ｐｔ膜からなる下部電極３１とＰｔ膜からなる上部電極３３との間にＰＺＴ薄膜からなる圧電層３２を有する共振子３が形成され、支持基板１の上記一表面側に形成されて支持基板１に支持され平面視において共振子３を全周に亘って取り囲んで共振子３を保持したＳｉＯ２膜からなる保持層４を備えるとともに、支持基板１に、共振子３の下部電極３１における支持基板１側の表面３１ａを露出させる空洞１ａが形成されている。下部電極３１における上記表面３１ａの周部と保持層４とに跨って形成され支持基板１に空洞１ａを形成する際のエッチャントによる圧電層３２の浸食を防止するＳｉＯ_２膜からなる浸食防止膜２１を備えている。 （もっと読む）

【課題】圧電層の結晶性を向上させることができ且つ製造歩留まりを向上させることができるＢＡＷ共振装置の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶ＭｇＯ基板からなる支持基板１の一表面側の全面にＰＺＴ層からなる犠牲層２０、下部電極３１、ＰＺＴ薄膜からなる圧電層３２を順次形成し、圧電層３２、下部電極３１、犠牲層２０を順次パターニングしてから、支持基板１の上記一表面側に圧電層３２の一部を露出させる開孔部４ａおよび犠牲層２０の一部を露出させる複数のエッチングホール５を有する絶縁層４を形成し、その後、上部電極３３を形成する。次に、支持基板１の上記一表面側に上部電極３３および絶縁層４を保護するレジスト層６を形成し、続いて、レジスト層６の開孔部７および絶縁層４の各エッチングホール５を通してエッチング液を導入し犠牲層２０を選択的にエッチングすることにより空洞２を形成する。 （もっと読む）

【課題】 電極のショートを防止した圧電フレームを提供する。
【解決手段】 圧電フレーム（２０）は、基部（２３）の一端側から伸びる一対の振動腕（２１）とこの一対の振動腕（２１）に励振電極（３３，３４）とを有する音叉型圧電振動片（３０）と、音叉型圧電振動子の外側で音叉型圧電振動子を囲む外枠部（２２）と、基部（２３）から外枠部（２２）へ伸びて音叉型圧電振動子を支持する支持腕（２６）と、外枠部と音叉型圧電振動子との間の側面に形成され外枠部の厚さ方向から観て鋭角な形状を有する鋭角領域（１１）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 水晶振動子の周波数調整を単純化してその製造の歩留りを大巾に向上させる。
【解決手段】 水晶ウエハ単位で周波数調整を行う水晶振動子の製造方法であって、該水晶ウエハの所定の同心円上における厚みを測定し、該厚み測定結果に基づいて、厚い部分を選択的に水晶を溶解することができる処理液によりエッチングして、該厚い部分の厚みを減じて周波数調整を行う。また、水晶ウエハＷをその上面に保持して載置する円形の保持台１０と、前記保持台１０の上方半径方向の中心手前まで延出し、処理液を前記水晶ウエハ表面に吐出する処理液ノズル１３と、前記処理液ノズル１３と対向する側から、前記保持台１０の上方半径方向の中心まで延出し、前記水晶ウエハＷの表面に洗浄液を吐出する洗浄液ノズル１４と、から水晶振動子の製造装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】圧電層の結晶性を向上させることができ且つ製造歩留まりを向上させることができるＢＡＷ共振装置の製造方法を提供する。
【解決手段】支持基板（単結晶ＭｇＯ基板）１の一表面側の全面に下部電極３１、圧電層（ＰＺＴ薄膜）３２を形成した後にそれぞれをパターニングし、支持基板１の上記一表面側に圧電層３２の一部を露出させる開孔部４ａおよびエッチングホール５を有する絶縁層４を形成してから、上部電極３３を形成する。支持基板１における空洞形成予定領域に、空洞２を形成する際に用いるエッチング液によりエッチングされやすい変質部１ａを形成する。その後、支持基板１の上記一表面側に上部電極３３および絶縁層４を保護するレジスト層６を形成し、レジスト層６の開孔部７および各エッチングホール５を通してエッチング液を導入し支持基板１における空洞形成予定領域をエッチングすることにより空洞２を形成する。 （もっと読む）

【課題】製造コストを抑制でき、水晶振動子を良好に製造できる水晶振動子の製造方法を提供する。
【解決手段】製造方法は、水晶基板の表面に、第１方向に長い溝を第１方向と交差する第２方向に複数形成する工程と、複数の溝のうち第１の溝３００Ａを覆うように保護膜４００を形成する工程と、保護膜４００が形成された状態で、第１の溝３００Ａに隣り合う第２の溝３００Ｂの内側の水晶基板の一部を除去して、第１の溝３００Ａを有する第１部分と間隙を介して隣接する第２部分を形成する工程と、保護膜４００を除去する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】予めＩＣチップと水晶片とを一体化した上で、水晶振動子の振動周波数の調整が容易であり、安価であって生産性が高い表面実装発振器及びその製造方法の提供。
【解決手段】凹部を有する容器本体１の内底面にバンプ１１を用いてＩＣチップ２を固着するとともに、外周部に引出電極を延出した水晶片３を容器本体１の内底面とＩＣチップ２との間に介在させた表面実装用の水晶発振器において、水晶片３の引出電極の延出した外周部をＩＣチップ２に形成された水晶端子に固着した構成とする。 （もっと読む）

【課題】振動エネルギーの漏れを抑え効率よく閉じ込めるよう改良された、反共振特性に優れ高い音響品質を有する高性能の圧電薄膜音響共振器を製造条件の厳しい制御を要することなく安定して提供する。
【解決手段】圧電体層５Ａ，５Ｂとその上下両面にそれぞれ形成された上部電極６および下部電極４とを含む圧電積層構造体５１、及び、圧電体層５Ａと上部電極６及び下部電極４とが重畳する領域からなる振動部５２の振動を許容するように圧電積層構造体５１を支持する支持体１，２とを備える。圧電積層構造体５１の積層方向から見たときに、圧電体層が形成されている領域は、下部電極４が存在する電極領域と下部電極４が不在の周辺領域とからなる。周辺領域の圧電体層５Ｂは、Ｘ線回折のロッキングカーブ半値幅が２．０度以下で、下地の上面の高さのＲＭＳ変動で表される表面粗さが２ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】設定温度下における圧電デバイスの特性を、より正確に測定できる温度試験装置
及び温度試験方法の提供。
【解決手段】複数の圧電デバイス２がキャリア３に搭載されて搬送される搬送方向（矢印
Ｂ方向）に沿って各温度領域４，５，６が設けられ、各温度領域４，５，６は、それぞれ
に対応した各測定部４１，５１，６１及び各温度調整部４２，５２，６２を有し、各温度
領域４，５，６に搬送される圧電デバイス２の温度が、キャリア３を介した各温度調整部
４２，５２，６２からの熱伝導により、各温度領域４，５，６の設定温度に調整される温
度試験装置１であって、キャリア３には、厚み方向に貫通する切り込み３ｂ形成され、切
り込み３ｂを境にして、複数の圧電デバイス２が１群２１、２群２２に区分され、１群２
１、２群２２ごとに各測定部４１，５１，６１により設定温度下における圧電デバイス２
の特性が測定される。 （もっと読む）

【課題】ウェハレベルで圧電振動片の外周端（ベベル部）を中央部側よりも容易に且つ安価に加工すること。
【解決手段】圧電基板のマスクである金属膜と、この金属膜のマスクであり且つ圧電振動片を圧電基板に保持する接続支持部が形成されるようにパターニングされたフォトレジスト膜と、を基板側からこの順番で当該圧電基板上に積層し、フォトレジスト膜及び金属膜をマスクとしてエッチング処理を行って圧電基板に複数の圧電振動片の外形を形成する。そして、このエッチング処理により形成された貫通空間（側面）側から、フォトレジスト膜を剥離せずに金属膜に対してエッチング液によりエッチング処理を行ってこの金属膜の外周側を除去して圧電振動片の外周端の表面を露出させ、この露出面に対してエッチング液によりエッチング処理を行って圧電振動片の外周端が内周側よりも薄くなるように加工する。 （もっと読む）

【課題】圧電体薄膜の膜厚が不均一化になることを抑制することができるバルク弾性波装置の製造方法を提供する。
【解決手段】圧電体基板を含む第１の板状構造体と支持基板を含む第２の板状構造体とを接合し（ステップＳ１０２）、第１の板状構造体と第２の板状構造体とを接合した状態を維持したまま圧電体基板を除去加工し圧電体薄膜にする（ステップＳ１０３）ことを経て、圧電体薄膜を挟んで電極膜が対向する励振部をキャビティによって支持基板から離隔させた圧電薄膜共振子を製造する。さらに、圧電体基板を除去加工する前に最終的にキャビティとなることが予定された予定領域を犠牲体で埋め（ステップＳ１０１）、圧電体基板を除去加工した後に犠牲体を除去する（ステップＳ１０４）。 （もっと読む）

【課題】水晶振動子の電極に薄膜を再現性よく形成するとともに、成膜処理を効率よく行う。
【解決手段】主感応膜形成部６は、処理液を貯溜するとともに、処理液中に水晶振動子が浸漬されることにより、水晶振動子の電極に対して成膜処理を行う処理槽６１、処理液を貯溜するとともに、供給ライン６３および排出ライン６４を介して処理槽６１に接続される処理液タンク６２、並びに、成膜処理が行われている間に、処理液タンク６２内の処理液を設定温度に調整する温度調整部６５を備える。主感応膜形成部６では、成膜処理毎に処理槽６１内の処理液を、処理液タンク６２内の設定温度の処理液に交換することにより、水晶振動子の電極に薄膜を再現性よく形成するとともに、成膜処理が行われている間に処理液タンク６２内の処理液を一定の設定温度に調整することにより、成膜処理を効率よく行うことが実現される。 （もっと読む）