【課題】トークカレントの低減または出力における位相偏差の低減を実現可能な高周波電力増幅装置を提供する。
【解決手段】例えば、トランジスタサイズが異なる複数の電力増幅用トランジスタＱ１〜Ｑ５と、複数のインピーダンス整合回路ＩＭＮ１４，ＩＭＮ２ｉ，ＩＭＮ３ｉ，ＩＭＮ５ｉ，ＩＭＮ２ｏ，ＩＭＮ３ｏ，ＩＭＮ５ｏ，ＩＭＮｏを備え、電力指示信号Ｖｒｍｐに応じて使用する信号経路を切り替える。高パワー時にはＱ１→Ｑ２の経路が使用され、中パワー時にはＱ１→Ｑ３の経路が使用され、低パワー時にはＱ４→Ｑ５の経路が使用される。ここで、当該高周波電力増幅装置は、各信号経路で経由する電力増幅用トランジスタの段数とインピーダンス整合回路の個数が等しくなるように構成される。 （もっと読む）

【課題】ＡＤＣのＳＮＲを向上し、かつ、マイクロフォン用ＩＣ全体の歪み特性の劣化を最低限に抑えること。
【解決手段】本発明にかかる信号変換装置は、入力アナログ信号を増幅して出力するプリアンプ回路と、入力クロックのサイクルに応じて、プリアンプ回路からの出力に基づくアナログ信号をデジタル信号へ変換するＡＤ変換器と、入力クロックの周波数に応じて、デジタル信号へ変換される前のアナログ信号である変換前アナログ信号の調整を制御する調整制御回路と、を備える。 （もっと読む）

【課題】低ノイズ特性を持つプリアンプ回路を提供すること
【解決手段】プリアンプ回路は、ソースフォロアとして機能するＰＭＯＳトランジスタＭ１Ａ及びＭ１Ｂを備える。さらにプリアンプ回路は、差動増幅器として対となって機能するＰＭＯＳトランジスタＭ２Ａ及びＭ２Ｂを備える。Ｍ１ＡのゲートとＭ２Ｂのゲートとが、可変容量Ｃ２を介して接続される。Ｍ１ＢのゲートとＭ２Ａのゲートとが、可変容量Ｃ１を介して接続される。Ｍ１Ａのソースと、Ｍ２Ａのドレインと、が接続される。Ｍ１Ｂのソースと、Ｍ２Ｂのドレインと、が接続される。Ｍ２Ａのソースと、Ｍ２Ｂのソースと、が接続される。 （もっと読む）

【課題】ＭＩＣ増幅回路における雑音と歪とを低減する。
【課題を解決するための手段】基板実装型ＭＩＣコネクタを実装した第一の基板に、電源重畳回路と信号入力結合回路と入力音声増幅回路とを、表面実装部品の第一の演算増幅器とアナログスイッチＩＣと金属皮膜抵抗と容量として実装し、前記信号入力結合回路は、前記第一の演算増幅器の正入力と接地間の抵抗と正入力と低電圧電源間の抵抗とが設置され、前記第一の基板と接続された第二の基板に電源発生部と平衡出力音声増幅回路とを第二の演算増幅器とアナログスイッチＩＣと金属皮膜抵抗と容量として実装し、前記第二の演算増幅器の正入力と接地間の抵抗と正入力と低電圧電源間の抵抗とが設置され、前記平衡出力音声増幅回路の共通帰還回路がタンタル電解コンデンサの逆極性の直列接続または低歪率セラミックコンデンサで容量結合されたことを特徴とする音声増幅回路。
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【課題】意図しない低周波信号の入力を防止することにより、規格値を超過するドレイン電流を発生することを回避できる接合形電界効果トランジスタを用いた増幅回路装置を提供する。
【解決手段】Ｊ−ＦＥＴ１の封止部材内で、ゲートと直列に容量を付加し、当該容量とＪ−ＦＥＴ１のゲート−ソース間に接続される抵抗２とによってハイパスフィルタ５を構成する。ハイパスフィルタ５の遮断周波数を２０Ｈｚ未満に設定することで、音声信号を低下させることなく、可聴周波数帯の下限より低い周波数を遮断できる。チップを構成する基板の裏面にイオン注入によりｎ型不純物層を設け、ｐ＋型半導体基板とｐｎ接合を形成して接合容量をハイパスフィルタ５の容量４とする。 （もっと読む）

【課題】Ｊ−ＦＥＴを増幅回路装置として採用する場合に、意図しない低周波信号の入力を防止し、規格値を超過するドレイン電流が発することを回避する。
【解決手段】Ｊ−ＦＥＴ１の封止部材内で、ゲートと直列に容量を付加し、当該容量とＪ−ＦＥＴのゲート−ソース間に接続される抵抗とによってハイパスフィルタ５を構成する。ハイパスフィルタ５の遮断周波数を２０Ｈｚ未満に設定することで、音声信号を低下させることなく、可聴周波数帯の下限より低い周波数を遮断できる。ｎ型半導体基板上にバックゲート領域となるｐ型半導体層を設けてｐｎ接合を形成し、この接合容量をハイパスフィルタ５の容量とする。 （もっと読む）

【課題】意図しない低周波信号の入力を防止し規格値を超過するドレイン電流が発生することを回避できる増幅回路装置を提供する。
【解決手段】Ｊ−ＦＥＴ１の封止部材内で、ゲートと直列に容量４を付加し、当該容量４とＪ−ＦＥＴ１のゲート−ソース間に接続される抵抗２とによってハイパスフィルタを構成する。ハイパスフィルタの遮断周波数を２０Ｈｚ未満に設定することで、音声信号を低下させることなく、可聴周波数帯の下限より低い周波数を遮断できる。チップを構成する基板の裏面に絶縁層を設けてこれを誘電体とし、導電部材と基板とで平行平板型の容量４を接続する。 （もっと読む）

【課題】差動アンプの入力側のゲイン調整を容易に行うことができる電荷検出回路を提供する。
【解決手段】電荷発生型センサ及び容量変化型センサの何れかで構成される物理量検出センサ１Ａ，１Ｂの一端が差動アンプ３の負極入力端子に接続され、他端が前記差動アンプ３の正極入力端子に接続され、前記差動アンプ３の出力端子と前記負極入力端子との間にフィードバック抵抗Ｒｆ及びフィードバック容量Ｃｆが並列に接続され、且つ前記差動アンプの正極入力端子と基準電圧との間にキャンセル抵抗Ｒｃ及びキャンセル容量Ｃｃが並列に接続された差動型の電荷検出回路であって、前記差動アンプの負極入力端子及び正極入力端子の少なくとも一方に逆バイアス電源７，９によって逆バイアス電位が与えられた可変容量ダイオードＤ１，Ｄ２を接続してゲイン調整を可能とした。 （もっと読む）

【課題】意図しない低周波信号の入力を防止し、規格値を超過するドレイン電流が発生することのない接合形電界トランジスタを用いた増幅回路装置を提供する。
【解決手段】Ｊ−ＦＥＴの封止部材内で、ゲートと直列に容量を付加し、当該容量とＪ−ＦＥＴのゲート−ソース間に接続される抵抗とによってハイパスフィルタを構成する。ハイパスフィルタの遮断周波数を２０Ｈｚ未満に設定することで、音声信号を低下させることなく、可聴周波数帯の下限より低い周波数を遮断できるので、定常状態での外部要因によるゲート電位の変動の影響を低減できる。 （もっと読む）

【課題】出力電流の過電流及び共振電流の検出時間を短くするとともに、出力の停止を最小限にし、より適切な電流制御動作を可能にする。
【解決手段】デジタルアンプは、スイッチング素子Ｑ１、Ｑ２の出力部において、出力電流における所定値以上の過電流を検出する過電流検出回路１９と、過電流検出信号の位相を進める進相回路２２と、出力フィルタ１５において共振が発生した際の出力電流に関する所定値以上の共振電流を検出する共振電流検出回路２１とを有する。駆動回路１２は、過電流検出信号または共振電流検出信号に基づき、出力電流の異常状態が検出された場合に、駆動信号をオフしてスイッチング素子Ｑ１、Ｑ２のスイッチング動作を停止させることで、電流制限動作を行う。 （もっと読む）

【課題】入力レベルが通常レベルと、過大レベルの２つの出力を効果的に得る。
【解決手段】負帰還路を有するオペアンプ１４の負入力端に入力される入力信号を増幅して出力信号を出力する。オペアンプ１４の負入力端に入力される前記入力信号と前記負帰還路からの帰還信号を合わせた負入力端側信号と、前記オペアンプからの出力信号を重み付け加算し、合成信号を出力する信号合成手段（１８，２０，２２）を有し、オペアンプ１４の出力信号と、合成信号の２つの信号を得る。 （もっと読む）

【課題】消費電力及びノイズを抑制しつつ、昇圧電圧でコンデンサを早く充電可能な充電回路を提供する。
【解決手段】充電回路は、入力されるクロック信号の周波数の上昇に応じて短くなる時間間隔ごとに入力電圧を昇圧した昇圧電圧を生成するチャージポンプ回路と、昇圧電圧を積分してコンデンサに印加する積分回路と、第１クロック信号がクロック信号としてチャージポンプ回路に入力される際にコンデンサの充電電圧が所定レベルとなるまでの時間よりも短い時間で充電電圧が所定レベルとなるよう、第１クロック信号より高い周波数の第２クロック信号をクロック信号としてチャージポンプ回路に出力した後に、第１クロック信号をクロック信号としてチャージポンプ回路に出力するクロック信号出力回路と、を備える。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層を用いる薄膜トランジスタにおいて、信号検出感度が高く、ダイナミックレンジの広い半導体装置を得ることを課題の一つとする。
【解決手段】チャネル形成層としての機能を有し、水素濃度が５×１０^１９（ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３）以下であり、電界が発生していない状態においては、実質的に絶縁体として機能する酸化物半導体を有する薄膜トランジスタを用いてアナログ回路を構成することで、信号検出感度が高く、ダイナミックレンジの広い半導体装置を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】短時間で入力信号を受信可能な状態に遷移する入力回路を提供する。
【解決手段】入力端子Ｐ１は、外部からの入力信号Ｓ１を受ける。入力トランジスタＭ１は、その制御端子が入力端子Ｐ１に接続され、入力信号Ｓ１に応じて状態が変化する。初期化トランジスタＭ２は、入力端子Ｐ１と接地端子Ｐ２の間に設けられる。制御回路１２は、入力回路１０に対する電源の投入時に、初期化トランジスタＭ２をオンし、その後初期化トランジスタＭ２をオフする。 （もっと読む）

【課題】無線局の送信機の出力電力を最大化する。これはバッテリの寿命を伸ばすという利点を有し、また移動電話における電気コンポーネントの寿命も伸びる。
【解決手段】無線局の送信機のアンテナは、可変のリアクタンスを有するインピーダンスを付加することによって、電力増幅器の出力インピーダンスに整合される。プロセッサによりこのインピーダンスの可変のリアクタンスが、電力増幅器の出力信号にしたがって調整される。可変のリアクタンスを有するインピーダンスは、複数のインダクタおよびキャパシタ、または可変のインダクタおよびキャパシタ、または複数のマイクロストリップ線路からなる。 （もっと読む）

【課題】ＥＣＭのインピーダンス変換および増幅に、Ｊ−ＦＥＴを入力としバイポーラトランジスタを出力とする増幅素子に、バックゲート構造のＪ−ＦＥＴを用いると、バックゲート−半導体基板間の容量が、増幅素子の入出力間の寄生容量（ミラー容量）となり、増幅素子の入力ロスが増大する問題に対し有効な半導体装置を提供する。
【解決手段】接地されたｐ型半導体基板11にｐ型半導体層12を積層し、ｐ型半導体層12にｎ型チャネル領域22を有するＪ−ＦＥＴと、ｎ型コレクタ領域33ｂを有するバイポーラトランジスタを設けた増幅素子とする。これにより、増幅素子の入出力間の寄生容量が発生しなくなるため、ミラー容量による入力ロスの増大を防止できる。また、Ｊ−ＦＥＴのチャネル領域は、エミツタ拡散31と同時に形成できるため、ＩＤＳＳＳや、ピンチオフ電圧が安定し、増幅素子としての消費電流のばらつきが低減し、生産性が向上する。 （もっと読む）

【課題】マルチバンド・マルチモードに対応し、受信感度の劣化を低減可能な高周波電力増幅装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る高周波電力増幅装置は、ＣＤＭＡモードかつ第１の周波数帯域内の第１高周波信号と、ＴＤＭＡモードかつ第１の周波数帯域内の第３高周波信号とが択一的に入力される入力端子ＩＮ１と、ＣＤＭＡモードかつ第２の周波数帯域内の第２高周波信号と、ＴＤＭＡモードかつ第２の周波数帯域内の第４高周波信号とが択一的に入力される入力端子ＩＮ２と、入力された第１高周波信号を増幅する電力増幅器１０１と、入力された第２高周波信号を増幅する電力増幅器１０２と、入力された第３高周波信号を増幅する電力増幅器１０３と、入力された第４高周波信号を増幅する電力増幅器１０４とを有し、電力増幅器１０１、電力増幅器１０２、電力増幅器１０３及び電力増幅器１０４は、この順に並んで配置されている。 （もっと読む）

【課題】コンデンサマイクの増幅回路において、電源電圧のノイズに対するノイズ耐性を向上させる。
【解決手段】本発明のコンデンサマイクの増幅回路によれば、電源電圧Ｖｄｄのノイズ成分は互いに隣接する外部電源配線１、外部配線２の間にある寄生容量Ｃｐｘ１を介して、増幅部１０の演算増幅器１１の反転入力端子（−）に印加されるが、もう一方の非反転入力端子（＋）に内部電源配線１３との容量結合により問題の電源電圧Ｖｄｄのノイズ成分を印加するように構成したことにより、当該ノイズ成分を演算増幅器１１でキャンセルすることができる。 （もっと読む）

【課題】グランドバウンスに基づくノイズが少ない増幅回路が容易に製造可能となる回路基板を提供する。
【解決手段】長尺な正極側接続部３２と、長尺な負極側接続部３４と、正極側接続部３２の一端側と負極側接続部３４の一端側とを接続する入力側電源ライン３７と、入力側電源ライン３７の中途部に設けられた第１のコンデンサ配置部３８および第２のコンデンサ配置部４０と、第１のコンデンサ配置部３８と第２のコンデンサ配置部４０との間に設けられた入力部３６と、正極側接続部３２の他端側と負極側接続部３４の他端側とを接続する出力側電源ライン４５と、出力側電源ライン４５の中途部に設けられた第３のコンデンサ配置部４６および第４のコンデンサ配置部４８と、第３のコンデンサ配置部４６と第４のコンデンサ配置部４８との間に設けられた出力部４４とを具備する。 （もっと読む）