【課題】素子ばらつきや周波数特性に対して鈍感であり低損失な電力増幅器を得る。
【解決手段】入力端子ＩＮから入力した入力信号を増幅素子Ｔｒ１が増幅する。増幅素子Ｔｒ１の出力信号を増幅素子Ｔｒ２が増幅する。増幅素子Ｔｒ２の出力信号は出力端子ＯＵＴから出力される。増幅素子Ｔｒ２の出力と出力端子ＯＵＴとの間に整合回路Ｍ３が接続されている。増幅素子Ｔｒ１の出力と増幅素子Ｔｒ２の入力との間にスイッチＳＷ１が接続されている。増幅素子Ｔｒ１の出力にスイッチＳＷ２の一端が接続されている。整合回路Ｍ４の一端がスイッチＳＷ２の他端に接続され、整合回路Ｍ４の他端が増幅素子Ｔｒ２の出力に直接に接続されている。 （もっと読む）

【課題】平均電力効率（ＡＰＥ）が改良されることができるセルラ電話における電力増幅器を提供する。
【解決手段】ＲＦ出力電力増幅器（ＰＡ）は、第１および第２のＡＢ級増幅回路を含んでいる。高電力オペレーティングモードにおいて動作する場合、第１の増幅器はＰＡ出力端子を駆動する。第１の増幅器のパワートランジスタ（単数または複数）は、高い出力電力での効率性および線形性を最適化するように、バイアスをかけられる。低電力オペレーティングモードにおいて動作する場合、第２の増幅器は出力端子を駆動する。第２の増幅器のパワートランジスタは、低い出力電力での効率性および線形性を最適化するように、バイアスをかけられる。増幅器のパワートランジスタを適切にサイジングすることによって、エミッタ電流密度は、実質的に等しく維持されるので、ＰＡ電力利得は、２つのオペレーティングモードにおいて同じである。 （もっと読む）

【課題】高線形性と低歪みの増幅器を提供する。
【解決手段】修正された微分重ね合わせ低ノイズ増幅器は、メイン電流経路とキャンセル電流経路を含む。キャンセル経路の三次歪みは、メイン経路の三次歪みをキャンセルするために使用される。新規な一側面では、分離されたソース・ディジェネレーション・インダクタが、２つの電流経路の各々につきあり、これにより他方の電流経路に影響を与えることなく、一方の電流経路の調整を容易にする。第２の新規な側面では、ＬＮＡ負荷を通過しないデブースト電流経路が設けられる。デブースト電流は、ヘッドルームの問題を生じさせることなく、ネガティブ・フィードバックを増加させる。第３の新規な側面では、キャンセル電流経路及び／またはデブースト電流経路がプログラマブルにディセーブルとされて、高線形性を求めない動作モードにおいて電力消費を低減し、ノイズ量を改善する。 （もっと読む）

【課題】発振抑制が高精度かつ短時間で行える高周波増幅回路を提供すること。
【解決手段】実施形態の高周波増幅器は、複数の領域に区分された増幅素子と、前記増幅素子の区分数の入力整合回路と、前記区分数の出力整合回路と、隣接する前記入力整合回路間を接続する一つ以上の除去可能な抵抗を含む第１の抵抗群と、隣接する前記出力整合回路間を接続する一つ以上の除去可能な抵抗を含む第２の抵抗群と、を有する。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子の寄生容量が大きい場合にも零電圧スイッチングを実現する増幅回路を備える電源装置、非接触送電装置、車両、および非接触電力伝送システムを提供する。
【解決手段】電源装置２０は、チョークコイル２１０と、スイッチング素子２２０と、共振回路２５０と、補償回路２６０とを含む。スイッチング素子２２０の寄生容量２７０は、Ｅ級零電圧スイッチングを実現するための所定の容量よりも大きい。補償回路２６０は、スイッチング素子２２０に並列に接続される。補償回路２６０は、直列接続されたコイル２６２およびキャパシタ２６４を含み、誘導性インピーダンスを有する。 （もっと読む）

【課題】レイアウト面積を増加させることなく、各トランジスタの負荷インピーダンスを均一にすることができる高周波電力増幅器を得る。
【解決手段】半導体チップ２上に、トランジスタ３ａ，３ｂと、トランジスタ３ａ，３ｂに隣接したコレクタパッド４ａ，４ｂとが設けられている。トランジスタ３ａ，３ｂとコレクタパッド４ａ，４ｂはそれぞれコレクタ配線６ａ，６ｂにより接続されている。半導体チップ２外に外部パッド８が設けられている。この外部パッド８に出力端子９が接続されている。コレクタパッド４ａ，４ｂと外部パッド８はそれぞれワイヤ１０ａ，１０ｂにより接続されている。コレクタパッド４ａは、コレクタパッド４ｂよりも外部パッド８から遠い位置に配置されている。コレクタパッド４ａから出力端子９までの電気長は、コレクタパッド４ｂから出力端子９までの電気長と同じである。 （もっと読む）

【課題】半導体装置において、消費電力を低減する。また、スタンバイ回路を少ない素子で構成し、半導体装置の回路面積の増大を防ぐ。
【解決手段】半導体装置に備えるスタンバイ回路をトランジスタ一つのみで構成し、該トランジスタに供給する電圧を切り替えることで、半導体装置の出力電流を制御する。これにより、スタンバイ状態での半導体装置の出力電流をほぼゼロにすることができるため、消費電力の低減が可能になる。なお、トランジスタの半導体層に酸化物半導体を用いることで、リーク電流を極小に抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】利得の低下を防止して、高利得、高出力、高効率及び広帯域特性を実現することができる分布形増幅器を得ることを目的とする。
【解決手段】並列に接続されている複数のトランジスタ１ａ〜１ｊと、複数のトランジスタ１ａ〜１ｊに対して入力側バイアス電圧を供給する電圧源２と、複数のトランジスタ１ａ〜１ｊに対して出力側バイアス電圧を供給する電圧源５，７とを備え、電圧源５，７から複数のトランジスタ１ａ〜１ｊに供給される出力側バイアス電圧のうち、トランジスタ１ａに供給される出力側バイアス電圧が、トランジスタ１ｂ〜１ｊに供給される出力側バイアス電圧と異なるように構成する。 （もっと読む）

【課題】変調信号のオンデューティー比が上限付近の状態が継続しても、Ｄ級増幅器を正
常に動作させて駆動信号を出力が可能とする。
【解決手段】駆動波形信号から生成した変調信号を電力増幅した後、平滑化することによ
って駆動信号を生成する。変調信号を電力増幅するデジタル電力増幅器では、電源とグラ
ンドとの間で２つのＮチャンネル（以下ｃｈ）ＭＯＳＦＥＴをプッシュ・プル接続し、更
に、電源側のＮｃｈＭＯＳＦＥＴに対して並列にＰｃｈＭＯＳＦＥＴを接続する。こうす
れば、電源側のＮｃｈＭＯＳＦＥＴをＯＮにするためのブートストラップコンデンサーに
蓄えられた電荷が不足してＮｃｈＭＯＳＦＥＴをＯＮにすることができない場合でも、Ｐ
ｃｈＭＯＳＦＥＴをＯＮにすることで電力増幅を行うことができ、駆動信号を出力するこ
とが可能となる。 （もっと読む）

【課題】高効率でかつ広帯域化されたC級増幅器を提供する。
【解決手段】本実施の形態に係るC級増幅器は、電源電圧がVdc、最大電流がImaxの増幅素子の流通角θoがπ(rad)未満において、前記増幅素子の等価回路の従属電流源から見た基本波の負荷インピーダンスをZ1=R1+j・X1、２倍波の負荷インピーダンスをZ2=R2+j・X2とし、X1とR1の関係を−R1≦X1≦R1、R1をR1=Vdc/Imax・π・{1−cos(θo/2)}/{θo/2−sin(θo)/2}、X2/X1をX2/X1=−{θo/2−sin(θo)/2}/{sin(θo/2)−sin(1.5・θo)/3}に、あるいはそれぞれの近傍にする。 （もっと読む）

【課題】全てのトランジスタに対して最適かつ等位相で高調波を反射させ、高い出力かつ高い効率で動作する高周波増幅器を得る。
【解決手段】ＦＥＴ１Ａのドレイン（Ｄ）に一端が接続された四角形線路部５Ａ、ＦＥＴ１ＢのＤに一端が接続された四角形線路部５Ｂ、並びに四角形線路部５Ａ及び５Ｂの他端を接続する弓形線路部５Ｃを有する伝送線路５と、四角形線路部５Ａ及び５Ｂの間に配置された伝送線路６Ｂと、四角形線路部５Ａに対して伝送線路６Ｂと反対側に配置された伝送線路６Ａと、四角形線路部５Ｂに対して伝送線路６Ｂと反対側に配置された伝送線路６Ｃとを備え、伝送線路６Ａ、６Ｂ、６Ｃの電気長は、高調波の１／４波長であり、伝送線路６Ａ、６Ｂ、６Ｃのそれぞれのビアホール７Ａ、７Ｂ、７Ｃは、伝送線路６Ａ、６Ｂ、６Ｃの一端に接続される。 （もっと読む）

【課題】差分周波数Δｆが数百ＭＨｚにおいても高周波半導体チップのドレイン端面の電圧が平滑化された半導体装置を提供する。
【解決手段】高周波半導体チップと、高周波半導体チップの入力側に配置された入力整合回路と、高周波半導体チップの出力側に配置された出力整合回路と、入力整合回路に接続された高周波入力端子と、出力整合回路に接続された高周波出力端子と、高周波半導体チップに接続される平滑化キャパシタ用端子とを備え、高周波半導体チップと、入力整合回路と、出力整合回路とが１つのパッケージに収納された半導体装置。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の熱抵抗を低減すること、および小型化できる技術を提供する。
【解決手段】複数の単位トランジスタＱを有する半導体装置であって、半導体装置は、単位トランジスタＱを第１の個数（７個）有するトランジスタ形成領域３ａ、３ｂ、３ｅ、３ｆと、単位トランジスタＱを第２の個数（４個）有するトランジスタ形成領域３ｃ、３ｄとを有し、トランジスタ形成領域３ｃ、３ｄは、トランジスタ形成領域３ａ、３ｂ、３ｅ、３ｆの間に配置され、第１の個数は、第２の個数よりも多い。そして、単位トランジスタは、コレクタ層と、ベース層と、エミッタ層とを備えており、エミッタ層上には、エミッタ層と電気的に接続されたエミッタメサ層が形成され、このエミッタメサ層上に、エミッタ層と電気的に接続されたバラスト抵抗層が形成されている。 （もっと読む）

【課題】増幅素子を並列合成する高周波増幅器において、不平衡モードの発振を抑制することができる高周波増幅器を得る。
【解決手段】入力された信号を分配する電力分配回路１１と、分配された信号を増幅する１組の増幅素子１２と、増幅された信号を合成して出力し、電力分配回路１１と増幅素子１２とともに閉ループ回路を構成する電力合成回路１３と、閉ループ回路内に発生する不平衡モードの電力を吸収する第１の受動回路１７と、不平衡モードに関する電力分配回路１１との合成インピーダンス及び不平衡モードに関する電力合成回路１３との合成インピーダンスの少なくとも一方の合成インピーダンスを、電力分配回路のインピーダンスと比べて大きくするようなインピーダンス値を有し、第１の受動回路による電力吸収量を調整するように閉ループ回路中に第１の受動回路に並列接続された第２の受動回路１８とを備える。 （もっと読む）

【課題】スイッチングアンプにおけるＯＮのトランジスタの数に応じて、インピーダンスの不整合に基づく出力信号の歪みを低減することができる増幅器を提供する。
【解決手段】増幅器は、入力信号をΔΣ変調器によって離散信号に変調し、スイッチングアンプによって増幅する。ΔΣ変調器は、出力値ｐ・閾値ｘを制御可能な量子化器を有する。スイッチングアンプは、離散信号に応じてスイッチングされる複数のトランジスタと、トランジスタからの出力信号を合成するトランスと、該トランスの出力側に接続される整合回路と、該整合回路を負荷Ｒloadとの間の出力電力における電力値を検出する電力検出器とを有する。スイッチングアンプに対してＯＮとなるトランジスタの数Ｎを変化させてスイッチングを制御し、電力検出器から電力値Ｐを入力し、ΔΣ変調器の量子化器に対して、電力値Ｐに応じた出力値ｑ・閾値ｘを設定する制御部を更に有する。 （もっと読む）

【課題】回路規模を大きくすることなく、電力効率を改善する高周波増幅器を提供する。
【解決手段】高周波電力増幅器は、第１スイッチ素子１０４の他端と第２スイッチ素子１０５の他端との間に接続され、第１スイッチ素子１０４および第２整合回路１１５を介して第２アンプに電源を供給し、第２スイッチ素子１０５および第３整合回路１１６を介して前記第３アンプ１０３に電源を供給するための第１電源ライン１３３を具備し、第１スイッチ素子１０４の前記他端は、第１整合回路１１４の入力ノードと接続され、第２スイッチ素子１０５の前記他端は、第１電源ライン１３１を介して、第１整合回路１１４の入力ノードと接続され、第３アンプ１０３の出力ノードから当該高周波電力増幅器の出力側をみたインピーダンスが、第２アンプ１０２の出力ノードから当該高周波電力増幅器の出力側をみたインピーダンスより高い。 （もっと読む）

【課題】入力の整合回路での損失の低減、並びに、回路の簡略化及び小型化が可能な電力増幅器を提供する。
【解決手段】電力増幅器１００であって、第１金属配線である環状１次コイル１２１と、複数の第２金属配線である複数の直線２次コイル１２２とを有し、入力インピーダンスの整合をとるとともに、入力信号を複数の分配信号に分配する入力側トランスフォーマ１２０と、複数の分配信号の１つを増幅する１対のトランジスタ１１１をそれぞれが備える複数のプッシュプル増幅器１１０と、第３金属配線である環状２次コイル１３１と、複数の第４金属配線である複数の直線１次コイル１３２とを有し、増幅された複数の分配信号を合成するとともに、出力インピーダンスの整合をとる出力側トランスフォーマ１３０とを備え、１対のトランジスタ１１１の２つの入力端子は、第２金属配線を介して互いに接続され、２つの出力端子は、第４金属配線を介して互いに接続される。 （もっと読む）

【課題】低電力出力時の消費電流を低減して、ＤＣ電圧変換器による実装面積の増大を軽減する。
【解決手段】ＲＦ電力増幅装置２００は、外部電源電圧Ｖｃｃ１、２、３によって動作するドライバー段増幅器２３０と第１のＲＦ増幅器２７０ａと第２のＲＦ増幅器２７０ｂとＤＣ電圧変換器２８０を具備する。ドライバー段増幅２３０の出力は第１と第２のＲＦ増幅器２７０ａ、２７０ｂの入力に供給され、第１のＲＦ増幅器２７０ａの実効素子サイズは第２のＲＦ増幅器２７０ｂのそれより大きな素子サイズに設定される。ＤＣ電圧変換器２８０に外部電源電圧Ｖｃｃ３が供給され、ＤＣ電圧変換器２８０は低電圧の動作電源電圧Ｖｃｃ４を生成して、第２のＲＦ増幅器２７０ｂの出力端子に供給する。第１のＲＦ増幅器２７０ａの出力端子には、ＤＣ電圧変換器２８０を介することなく、外部電源電圧Ｖｃｃ２が供給可能とされる。 （もっと読む）

【課題】低コストで信頼性が高く、かつ、小型化が可能なパルス電力増幅器を提供すること。
【解決手段】増幅器１１と、増幅器１１のドレイン端子Ｄに接続され、第１の制御パルスＰ１に従って動作が制御されるスイッチ１７と、スイッチ１７に接続された正電圧源１８と、増幅器１１のゲート端子Ｇに並列に接続された第１の抵抗１９、第２の抵抗２０と、第１の抵抗１９に接続された負電圧源２１と、第１の制御パルスＰ１に同期して入力された第２の制御パルスＰ２を微分波形Ｐ３に変換して、増幅器１１のゲート端子Ｇに出力するキャパシタ２２と、を具備し、第１、第２の抵抗値１９、２０、およびキャパシタ２２の容量値は、これらの値によって定められる微分波形Ｐ３の時定数が、増幅器１１の熱時定数に一致する値であり、ゲート端子Ｇとキャパシタ２２の他端との間から入力された高周波を、スイッチ１７の動作に対応した高周波パルスに変換して、ドレイン端子Ｄとスイッチ１７の一端との間から出力するパルス電力増幅器。 （もっと読む）

【課題】低周波発振と高周波発振とを共に抑制することができる高周波回路を提供する。
【解決手段】高周波回路は、複数のトランジスタ１２、複数の入出力整合回路１４−１，１４−２、複数の抵抗体１８、低周波発振抑制回路１７を含む。複数のトランジスタは、半導体基板１１上に並列に配列形成される。複数の入出力整合回路は、それぞれ第１の絶縁基板１３−１上、第２の絶縁基板１３−２上に、複数のトランジスタにそれぞれ接続されて設けられている。低周波発振抑制回路は、所望の周波数帯域を透過帯域として有し、並列に配列形成された複数のトランジスタのうち、両側のトランジスタのゲート端子に接続される。複数の抵抗体は、複数の入出力整合回路間のうち、トランジスタに最も近い位置に形成されるとともに、透過帯域の最も低い周波数の発振に対して低周波発振抑制回路を作用させることが可能な長さで、複数の入出力整合回路間に形成される。 （もっと読む）