Fターム[5J500AQ03]の内容
Fターム[5J500AQ03]に分類される特許
201 - 202 / 202
電圧発生回路と半導体集積回路装置
第1電流がエミッタに流れるようにされた第1トランジスタと、上記第1トランジスタよりも大きな電流密度となるような第2電流がエミッタに流れるようにされた第2トランジスタとのベース,エミッタ間の電圧差を第1抵抗に流して定電流を形成し、それと直列にして第2抵抗を回路の接地電位側に設け、上記第1トランジスタと第2トランジスタのコレクタと電源電圧との間に第3抵抗と第4抵抗とを設け、上記第1と第2トランジスタの両コレクタ電圧とCMOS構成の差動増幅回路に供給して、出力出力電圧を形成するとともに、かかる出力電圧を上記第1トランジスタと第2トランジスタのベースに共通に供給する。 (もっと読む)
高インピーダンス無線周波数出力プラスチックパッケージ
本明細書の開示はRF出力半導体デバイスに関する。本明細書に開示の一実施形態において、RF出力プラスチック半導体デバイス(10)は、半導体(RF)デバイス(12)、RFデバイスに電気的に接続されている低温同時焼成セラミックス(LTCC)インピーダンスマッチング構造体(14)、並びにRFデバイス及びインピーダンスマッチング構造体の上方に形成されているプラスチックパッケージ本体(22)を備える。LTCCインピーダンスマッチング構造体は、インピーダンスマッチング構造体の主要本体部分の上方に位置する金属化層(28,36)と、金属化層上のパッシベーション層(44)からなる。パッシベーション層により、金属化層に対するプラスチックパッケージ本体の金型成形コンパウンドの結合強度が増大する。LTCCインピーダンスマッチング構造体とRFデバイスとの間に電気的な相互接続部が形成されるように、金属化層のうちの一部はパッシベーション層を通じて露出される。好適には、本明細書に開示の実施形態によるRF出力プラスチックパッケージは、従来のRF出力プラスチックパッケージの終端インピーダンスの約2倍以上の終端インピーダンスを示す。
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201 - 202 / 202
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