レンズアレイ増幅器の形態に基づくモジュラー・ソリッドステートＭＭＷパワーソースは、出力パワーを調整フレキシビリティと効果的な熱管理の両方を提供する。モジュラーパワーソースは、１以上のパワーディバイダと１以上のソリッドステート増幅ステージとを使用する単一のサブモジュールを含んでいて、ＲＦ入力信号をＲ個の増幅ＲＦ信号に分割し増幅する。サブモジュールはヒートシンクの表面上の適切にはＸ−Ｙ平面にマウントされ、冷たいバックプレーンに適切に結合されて熱を除去する。Ｒ個の１：Ｎ低ロスパワーディバイダは増幅されたＲＦ信号をＲ^＊Ｎ個の放射素子に導く。１：Ｎパワーディバイダの各々は、Ｘ−Ｚ平面に適切に存在し、Ｙ方向に積層されて、Ｙ−Ｚ平面のＲ^＊Ｎ個の放射素子のプレーナ出力を提供する。単一のサブモジュール上に増幅チップを配置すると、増幅チップ数、即ち放射素子数からの出力パワーを分離できる。増幅チップを放射素子から離して配置すると、ヒートシンクからバックプレーンに向かう大きな断面を有する短経路を形成でき熱を除去できる。この形態によると、高いアンテナ利得と結合される高出力パワーを生成でき、以前はジャイロトロンでのみ達成可能であった大きなパワーアパーチャー製品を作成できる。増幅チップはよりパワフルになるので、この形態によるとより少ないチップを使用することを可能とする。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、高出力特性及び高利得特性を有するとともに、安定動作性を有する増幅器を提供することである。
【解決手段】
上記課題を解決するために、複数のカスコードトランジスタと、隣接するカスコードトランジスタ間に配置された抵抗素子と、を具備する増幅器が提供される。カスコードトランジスタはソース接地トランジスタとゲート接地トランジスタとが直列に接続されて構成されていることを特徴とする。また、抵抗素子は、ソース接地トランジスタとゲート接地トランジスタとが接続されている接続ノード間を接続していることを特徴とする。
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【課題】種々の無線規格に適応したドハティ増幅器を実現する。
【解決手段】ＡＢ級動作のキャリア増幅器１４と、Ｃ級動作のピーク増幅器１５を備え、入力高周波信号をキャリア増幅器１４及びピーク増幅器１５に分配供給し、キャリア増幅器１４の出力とピーク増幅器１５の出力との合成出力をインピーダンス変換して出力するドハティ増幅器において、キャリア増幅器１４及びピーク増幅器１５の増幅素子であるＦＥＴのドレイン電圧を入力高周波信号の中心周波数に応じて最適化することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】小型で広い帯域に渡って安定なカスコード接続型の増幅器を実現する。
【解決手段】第１の電界効果トランジスタのゲート電極に接続された入力端子に高周波信号が入力され、前記第１の電界効果トランジスタのドレイン電極には、第２の電界効果トランジスタのソース電極が接続され、前記第２の電界効果トランジスタのドレイン電極に接続された出力端子から増幅された高周波信号が出力するカスコード接続型の増幅器であって、前記第１の電界効果トランジスタはエンハンスメント型電界効果トランジスタであり、前記第２の電界効果トランジスタはデプレッション型電界効果トランジスタであり、前記第２の電界効果トランジスタのゲート電極は容量を介さずに接地されている。 （もっと読む）

【課題】出力側の線路長を短縮して、消費電力の低減や、歪や出力電力の広帯域化を図ることができるドハティ増幅器を得ることを目的とする。
【解決手段】キャリア増幅器１の出力端５が構造対称線６よりもピーク増幅器１１側に配置され、ピーク増幅器１１の出力端１５が構造対称線１６よりもキャリア増幅器１側に配置されているように構成する。これにより、出力側の線路長を短縮して、消費電力の低減や、歪や出力電力の広帯域化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】増幅されるＲＦ信号の電力出力を効率的及び経済的に増加させる、分布型電力増幅器のトポロジー及びデバイスを提供する。
【解決手段】電力増幅器は、新規の環状で相互に接続された複数のプッシュプル増幅器を具えており、等しい大きさ及び逆相の入力信号で駆動される隣接する増幅デバイスの信号入力を有する能動素子の１次巻線として機能することが好ましい。また、そのトポロジーは、１次巻線の形状に適合する２次巻線１５０の使用と、個々の電力増幅器の電力を効率的に合成する働きをする変化に適応する変化を開示している。新規の構造は、ＲＦ、マイクロ波、ミリ波の周波数で低コストで、高集積で、ハイパワーである増幅器のデザインを可能としている。 （もっと読む）

【課題】ホットキャリアに起因したＭＯＳトランジスタの不安定動作することを可及的に抑制することを可能にする。
【解決手段】マルチフィンガーＦＥＴからなる高周波電力増幅器において、各ＭＯＳトランジスタのゲートにＲＦ入力信号が印加されてドレイン領域８からＲＦ出力が取り出されているときに、各ＭＯＳトランジスタ２のドレイン端に発生しゲート１０の第２電極に蓄積されるホットエレクトロンの量は、電荷量検出器４０によって検出される。この電荷量検出器４０によって検出されたホットエレクトロンの量がある所望の値以上になると、電荷量検出器４０から指令信号がバイアス回路５０に送られ、バイアス回路５０は、Ｐウェルの電位が「０」Ｖとなるように制御する。 （もっと読む）

【課題】低雑音増幅器が他の回路部のグランド電位の影響を受け難くする。
【解決手段】絶縁性樹脂からなる封止体２と、複数のリード７と、半導体素子固定領域とワイヤ接続領域を主面に有するとタブ４と、半導体素子固定領域に固定され露出する主面に電極端子９を有する半導体素子３と、半導体素子の電極端子９とリード７を接続する導電性のワイヤ１０と、半導体素子の電極端子９とタブ４のワイヤ接続領域を接続する導電性のワイヤ１０ａとを有する半導体装置であって、半導体素子３にモノリシックに形成される回路は複数の回路部で構成され、その回路部の一部の特定回路部（低雑音増幅器）においては、半導体素子３の電極端子９のうちの全てのグランド電極端子は、タブ４にワイヤ１０を介して接続されることなく、ワイヤ１０を介してリード７に接続されるものである。 （もっと読む）

【課題】低消費電流で低電圧な定電圧を安定して得られる定電圧回路を提供すること。
【解決手段】定電圧回路Ａは、閾値電圧が極小でゲート長が特大のＭＯＳトランジスタＮ１を用いて低電流を作り出し、基準電圧Ｖ_REFを発生するＭＯＳトランジスタＮ２、これと対を成してカレントミラー回路を構成する各ＭＯＳトランジスタＮ３、Ｎ４、Ｎ７、及びその他の各ＭＯＳトランジスタＮ５、Ｎ６の何れについても低閾値電圧タイプとし、且つＭＯＳトランジスタＮ２、Ｎ３、Ｎ４、Ｎ７のゲート長ＬをＭＯＳトランジスタＰ１、Ｐ２のゲート長Ｌよりも増大させている。これにより、各ＭＯＳトランジスタＮ２〜Ｎ７のドレイン電極−ソース電極間の電圧Ｖｄｓが０．１Ｖ以上の飽和領域で動作する電圧値を保ち、所望の低い基準電圧Ｖ_REFを発生でき、カレントミラー回路を構成する際に正常動作が可能となり、定電圧出力端子４から低消費電流で低電圧な定電圧が得られる。 （もっと読む）

【課題】温度と無関係に同一の動作および性能特性を示す増幅器を設計することが望まれる。
【解決手段】改良された直線性および低減されたパワー消費を備えた高周波数応答性を与える可変利得増幅器が提供される。改良された直線性および安定した動作のために複数の信号経路および補償回路網を備えた、１段トポロジから構築される増幅器が開示される。この増幅器において、改良された性能は、単一のトランジスタコンポーネントを、局所的な負帰還を組み込むエンハンスされた活性デバイスと置き換えることにより、取得される。本発明の１実施形態は、従来技術に対して、トランスコンダクタンスおよび入力インピーダンスを向上させるエンハンスメント回路である。さらなる発展は、改良された直線性を提供するエンハンスされた活性なカスコード回路である。 （もっと読む）

【課題】受光領域が複数に分割された受光素子からの光電流を、電圧変換、加算、および増幅して、ＲＦ信号として出力する受光アンプ素子において、出力ＲＦ信号のＳ／Ｎが良好な受光アンプ素子を実現する。
【解決手段】受光アンプ素子のメインチャンネル回路１は、光電流ＩｐｄＡ〜ＩｐｄＤを、ＰＤ４００Ａ〜４００Ｄのアノードから抽出し、抽出した該光電流ＩｐｄＡ〜ＩｐｄＤを加算して加算電流を生成し、該加算電流を増幅して出力する電流加算回路２と、電流加算回路２から出力された加算電流を電圧信号に変換して、ＲＦ信号ＶＲＦとして出力するＲＦアンプＲＡと、を備える。 （もっと読む）

【課題】 スタブを用いることなく高調波インピーダンスの調整を行い、高調波処理可能な高効率で広帯域の高周波半導体増幅器を提供する。
【解決手段】 半導体増幅素子５と、マイクロ波の１／４波長の長さで形成した第１インピーダンス変成器１と、マイクロ波の１／４波長の長さで形成した第２インピーダンス変成器２と、第１及び第２インピーダンス変成器とで変成されたインピーダンスと整合する高調波インピーダンス調整線路３と、誘導性リアクタンス成分でインピーダンス変換する素子近傍整合回路４とを備え、高調波インピーダンス調整線路３は高調波に対するインピーダンス変換を行い、素子近傍整合回路４は基本波に対しては半導体増幅素子５のインピーダンスと整合するようにインピーダンス変換して収束させ、高調波に対しては開放インピーダンス近傍となるようにインピーダンス変換して収束させるようにした。 （もっと読む）

【課題】所望波と３倍の周波数関係にある妨害波が入力されたときの、３倍高調波ミキシングによる受信品質の劣化を抑制することができる増幅器、半導体装置、および通信装置を提供する。
【解決手段】入力信号を増幅して出力するトランジスタを含むＬＮＡ１０４を備えた増幅器１００において、トランジスタの接地させる端子と、絶対的なグランド電位に保たれている外部のグランド端子とを電気的につなぐ経路上に、並列共振回路１０５を備え、並列共振回路１０５の共振周波数は、入力信号の周波数の３倍に設定されている。 （もっと読む）

【課題】小型で製造が容易な高周波増幅装置を提供する。
【解決手段】電源電位Ｖｃｃと接地電位ＧＮＤとの間に接続され、入力された高周波信号ｆ１を増幅して出力信号ｆ２として出力する高周波増幅装置１において、増幅用トランジスタＴ１と、負荷用トランジスタＴ２とを直列に設ける。増幅用トランジスタＴ１のコレクタは電源電位Ｖｃｃに接続され、ベースに高周波信号ｆ１が入力され、エミッタは負荷用トランジスタＴ２のコレクタに接続される。また、負荷用トランジスタＴ２のエミッタは接地電位ＧＮＤに接続される。そして、増幅用トランジスタＴ１のコレクタから出力信号ｆ１が取り出される。負荷用トランジスタＴ２の寄生抵抗及び寄生容量によって、抵抗素子及びキャパシタを設けた場合と同様な効果が得られる。 （もっと読む）

【課題】アナログＬＳＩの試験における観測性および制御性を向上させる。
【解決手段】入力端子ＩＮ１乃至ＩＮ３から入力されたアナログ信号はトランジスタ３０１乃至３０３を介して拡散層領域２２１、２２３および２２５に供給され、電荷として蓄積される。ゲート電極２１１乃至２１６に交互に接続される信号線１２１および１２２にクロック信号が与えられることにより、蓄積されていた電荷が右方向に転送される。拡散層領域２２１、２２３および２２５には電荷電圧変換アンプ４１１乃至４１３が接続され、蓄積されていた電荷は電圧に変換されて出力端子ＶＯＵＴ１乃至ＶＯＵＴ３にアナログ信号として出力される。拡散層領域２２０にはスキャンイン端子Ｓｉｎが接続され、拡散層領域２２５には電荷電圧変換アンプ４０１を介してスキャンアウト端子Ｓｏｕｔが接続される。 （もっと読む）

本発明は、ソース、ドレイン、ゲート、ゲート・ソース接点、ソース・ドレイン・チャネルおよびゲート・ドレイン接点を有する少なくとも１つの電界効果トランジスタを含む、ミリメートル波を検出するための装置に関する。簡素な装置と比べて、本発明によって対処する課題は、ＴＨｚ周波数範囲の電磁放射の電力および／または位相を検出するための電界効果トランジスタを提供することを可能にする装置を提供することである。そのような装置を得るために、本発明によれば、アンテナ構造体を有し、前記電界効果トランジスタは、前記アンテナ構造体によって受信された前記ＴＨｚ周波数範囲の電磁気信号が前記ゲート・ソース接点によって前記電界効果トランジスタに供給されるように、前記アンテナ構造体に接続され、前記電界効果トランジスタと前記アンテナ構造体が、単一基板上に配列される装置が提供される。 （もっと読む）

放射パワー結合システムであって：
・周縁上に方形導波管（１６）の形態のポートを備える放射分割器（１０）と；
・放射分割器に重ねられ、周縁上に方形導波管（１６’）の形態のポートを備える放射結合器（１０’）と；
・第１の信号を放射分割器の中心に送信する第１の入力遷移部（１１）と；
・放射結合器（１０’）の出力に増幅された第１の信号を捕捉する第２の出力遷移部（１１’）と；
・少なくとも２つの増幅チャネル（１５）であって：
○導波管（１６）と相互作用可能な第３の入力遷移部（２２）と；
○導波管（１６’）と相互作用可能な第４の出力遷移部（２３）と；
○少なくとも１つの増幅器（２４）と；を備える、増幅チャネル（１５）と；を備える放射パワー結合システム。
本発明によるシステムは、増幅チャネルの位置決めを調整するための手段を備え、これにより様々なチャネルの位相シフトの調整を可能にする。 （もっと読む）

【課題】高周波数帯で高出力及び高効率な特性並びに低消費電力の半導体装置を提供する。
【解決手段】高周波電力増幅器であって、III−Ｖ族窒化物半導体から構成された高周波電力を増幅するＦＥＴを有する最終段パワーアンプ１０１及びドライバー段アンプ１０３と、商用電源１０５から供給される交流電圧を直流電圧に変換する整流回路１０６を有し、直流電圧を最終段パワーアンプ１０１及びドライバー段アンプ１０３のＦＥＴのドレインに印加するドレイン電圧源１０２とを備える。 （もっと読む）

【課題】低ノイズと低消費電力を両立できるアナログ回路、電子機器等の提供。
【解決手段】アナログ回路３００は、増幅対象信号の周波数が第１の周波数である第１型のオペアンプＯＰ１を有する第１の回路３１０と、増幅対象信号の周波数が前記第１の周波数よりも低い第２の周波数である第２型のオペアンプＯＰ２を有する第２の回路３２０を含む。第１型のオペアンプＯＰ１の差動部の差動段トランジスタのチャネル幅をＷ１ａとし、チャネル長をＬ１ａとし、差動部に流れるバイアス電流をＩａとし、第２型のオペアンプＯＰ２の差動部の差動段トランジスタのチャネル幅をＷ１ｂとし、チャネル長をＬ１ｂとし、差動部に流れるバイアス電流をＩｂとした場合に、Ｗ１ｂ×Ｌ１ｂ＞Ｗ１ａ×Ｌ１ａ、Ｉａ＞Ｉｂとなる。 （もっと読む）

【課題】 カスコード接続されたトランジスタを有する増幅器や定電流発生回路の電源電圧マージンを大きくする。
【解決手段】 カスコード型カレントミラー回路５０には、Ｎｃｈ ＭＯＳトランジスタＮＭＴ１１、ＮＭＴ１２、ＮＭＴ２１、ＮＭＴ２２、ＮＭＴ３１、ＮＭＴ３２、ＮＭＴ４１、ＮＭＴ４２、ＮＭＴ５１、及びＮＭＴ５２が設けられる。Ｎｃｈ ＭＯＳトランジスタＮＭＴ１２のドレインは、Ｎｃｈ ＭＯＳトランジスタＮＭＴ１１、ＮＭＴ１２、ＮＭＴ２１、ＮＭＴ２２、ＮＭＴ３１、ＮＭＴ３２、ＮＭＴ４１、ＮＭＴ４２、ＮＭＴ５１、及びＮＭＴ５２のゲートに接続される。低電位側電源（接地電位）Ｖｓｓ側に設けられるＮｃｈ ＭＯＳトランジスタＮＭＴ１１、ＮＭＴ２１、ＮＭＴ３１、ＮＭＴ４１、及びＮＭＴ５１の閾値電圧はＮｃｈ ＭＯＳトランジスタＮＭＴ１２、ＮＭＴ２２、ＮＭＴ３２、ＮＭＴ４２、及びＮＭＴ５１の閾値電圧よりも大きく設定される。 （もっと読む）