【課題】受光素子を使用する増幅回路の特性の検査に加え、当該受光素子の特性の検査を行なうことを可能とする。
【解決手段】テスト回路１００は、受光素子ＰＤ１の特性と同等の特性を有するダミー受光素子ＰＤ＿Ｄを供える。カレントミラー回路１１０は、バイポーラトランジスタＱ２を利用して、増幅回路１０の特性を検査するための検査電流を、増幅回路１０において生じさせる。カレントミラー回路１１０のバイポーラトランジスタＱ１は、バイポーラトランジスタＱ１内に電流を流さない状態になることにより、ダミー受光素子ＰＤ＿Ｄの特性を検査するための電流をダミー受光素子ＰＤ＿Ｄ内に生じさせる。 （もっと読む）

【課題】非常に低い電流値に対してもリニアリティーを持つ対数圧縮式の電流電圧変換回路を提供すること。
【解決手段】電流入力端子１と、基準電圧入力端子２と、電圧出力端子３と、Ｐ型半導体基板上に形成された演算増幅器４およびＮＰＮ型トランジスタ５とを備える。演算増幅器４の反転入力端子は電流入力端子１に、非反転入力端子は基準電圧入力端子２に、出力端子は電圧出力端子３にそれぞれ接続される。ＮＰＮ型トランジスタ５のコレクタは電流入力端子１に、ベースは基準電圧入力端子２に、エミッタは電圧出力端子３にそれぞれ接続される。ＮＰＮ型トランジスタ５は、エミッタに相当するＮ型エピタキシャル層と、Ｎ型エピタキシャル層上に選択的に形成され、ベースに相当するＰ型拡散層と、Ｐ型拡散層上に選択的に形成され、コレクタに相当するＮ型拡散層とから構成される。 （もっと読む）

【課題】チップ面積の増大を招くことなく、低損失で広帯域な出力整合を実現する。
【解決手段】増幅対象の信号を相互に１８０度の位相差を有する信号に分配する１８０°ハイブリッド１と、１８０°ハイブリッド１から出力された一方の分配信号がゲート電極Ｇに与えられるトランジスタ３と、１８０°ハイブリッド１から出力された他方の分配信号がゲート電極Ｇに与えられ、ドレイン電極Ｄがトランジスタ３のドレイン電極Ｄと接続されているトランジスタ４とを設け、１８０°ハイブリッド６がトランジスタ３のドレイン電極Ｄから出力された信号とトランジスタ４のドレイン電極Ｄから出力された信号の位相を揃えて合成する。 （もっと読む）

【課題】 電力分配器で分岐された複数の増幅回路の相互干渉を防止し、伝送線路長の短い電力合成増幅器を提供する。
【解決手段】 電力分配回路から分岐された第１増幅器４ａからの高周波をインピーダンス整合する第１変成回路１０ａと、第１変成回路より細長の第２変成回路１１ａと、第２変成回路より細長の第３変成回路１２ａと、電力分配回路から分岐された第２増幅器４ｂからの高周波をインピーダンス整合する第４変成回路１０ｂと、第４変成器より細長の第５変成回路１１ｂと、第５変成器より細長の第６変成回路１２ｂと、第３変成回路及び第６変成回路のそれぞれの出力側に接続された電力合成器とを設けて、第３変成回路及び第６変成回路を屈曲させると共に第１及び第２増幅器出力端から電力合成器６出力端までの伝送線路長を伝送周波数波長に略等しくするようにした。 （もっと読む）

実施形態は、これに限定されないが、ソース電極と、入力無線周波数（ＲＦ）信号を受信するゲート電極と、増幅されたＲＦ信号を出力するドレイン電極と、を有する単位セルを含む装置とシステムを含む。フィールドプレートは前記ソース電極に連結され、帰還抵抗は前記フィールドプレートと前記ソース電極間に連結されてもよい。 （もっと読む）

【課題】 半導体集積回路の製造時に生じる抵抗素子のばらつきによる増幅器の負荷変動や温度変化による増幅特性に与える影響を軽減した半導体集積回路を提供する。
【解決手段】 増幅回路２と、半導体基板上に回路形成した抵抗素子を有するバンドギャップリファレンス電流源５からの電流を電圧変換して前記増幅回路２にバイアス電圧を供給するバイアス回路３と、バイアス回路３内に半導体接合で形成したモニタ抵抗素子５ＭＲと、モニタ抵抗素子５ＭＲを測定する半導体基板上に設けた測定端子６と、バンドギャップリファレンス電流源５の一部を構成し、回路電流を調整する抵抗値が異なる複数の調整抵抗素子７１とを備え、モニタ抵抗素子５ＭＲの抵抗値が所望値より低い場合は、所望値より高い調整抵抗素子を選択し、モニタ抵抗素子の抵抗値が所望値より高い場合は、所望値より低い調整抵抗素子を選択し、増幅回路２のバイアス電圧を調整する。 （もっと読む）

【課題】増幅回路の応答速度等を改善する。
【解決手段】増幅回路１は、差動増幅回路２０と複数のソースフォロア回路３０、複数の位相補償ブロック３００、複数の帰還回路４０を含む。差動増幅回路２０は、入力信号と基準信号が入力されるＮチャンネルＭＯＳトランジスタ２３、２４を備え、スイッチ１８−１−３、１８−２−３により差動出力電流を取り出すべき接続点（Ｐ１、Ｐ２）を選択する。複数の帰還回路４０は、スイッチ１８−１−１、１８−１−２により選択される。スイッチ１８−１−１、１８−２−１、１８−１−２、１８−２−２は互いに連動する。スイッチ１８−１−１がオンのときには、帰還回路４０−１、接続点Ｐ１、位相補償ブロック３００−１、ソースフォロア回路３０−１がまとめて選択される。 （もっと読む）

【課題】コスト高を招くモノリシック化を行うことなく、高周波帯でも利得特性が単調に変化する歪補償回路を得ることを目的とする。
【解決手段】高周波信号ｈｆｓを２分配して、位相が１８０度異なる２つの分配信号ｄｓ１，ｄｓ２を出力する分配器１と、分配器１から出力された分配信号ｄｓ１，ｄｓ２を伝送する信号路５，８と、信号路５，８により伝送された分配信号ｄｓ１と分配信号ｄｓ２の位相を揃えて、その分配信号ｄｓ１と分配信号ｄｓ２を合成する合成器１１とを設け、直流電源１５から供給される直流電流がバイアス印加用抵抗１６を介して順方向に印加されるダイオード１８を信号路５，８の間に挿入する。 （もっと読む）

【課題】異なる系統の電力増幅回路を含む半導体装置を小型にする。
【解決手段】２つの周波数帯の高周波信号を取り扱うことが可能なデュアル方式のデジタル携帯電話機のＲＦパワーモジュールを構成する系統の異なる電力増幅回路２Ａ，２Ｂを同一のＩＣチップ１Ｃ内に配置した。この場合、電力増幅回路２Ａ，２ＢをＩＣチップ１Ｃの周辺に配置し、周辺回路３を電力増幅回路２Ａ，２Ｂの間に配置させた。これにより、異なる系統の電力増幅回路２Ａ，２Ｂを同一のＩＣチップ１Ｃ内に設けて小型化が図れる上、異なる系統の電力増幅回路２Ａ，２Ｂを同一のＩＣチップ１Ｃに設けても電力増幅回路２Ａ，２Ｂ間の距離が確保されるので電力増幅回路２Ａ，２Ｂ間の結合を抑制させることができ、電力増幅回路２Ａ，２Ｂ間でのクロストークを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波帯及びミリ波帯において用いられる高出力且つ高利得な電力増幅器を得られるようにする。
【解決手段】マイクロストリップ線路１０９上には、入力整合回路１０２の中央部へ入力端子１１０から入力される高周波信号の高周波信号の伝送方向に沿って、スリット１１６及びスリット１１７が形成され、スリット１１７の長さより上記中央部の隣接位置のスリット１１６の長さが長く設定される。 （もっと読む）

【課題】回路面積を増大させずにインダクタンスを大きくすることができる増幅器及び無線機を提供すること。
【解決手段】増幅器が、基板と、前記基板上に配置され、入力信号を増幅して出力する第１〜第４の増幅部と、前記基板上に配線され、前記第１の増幅部の出力と前記第２の増幅部の出力、前記第２の増幅部の出力と前記第３の増幅部の出力、前記第３の増幅部の出力と前記第４の増幅部の出力、及び前記第４の増幅部の出力と前記第１の増幅部の出力とをそれぞれ接続し、少なくとも一つの蛇行部を備えた第１〜第４の誘導性線路と、前記第１〜第４の誘導性線路と磁界結合する第５の誘導性線路とを備える。 （もっと読む）

【課題】携帯電話機などの移動体通信機器に搭載される電力増幅器をバランスアンプから構成する場合に、バランスアンプの特性向上を図ることができる技術を提供する。
【解決手段】実施の形態の特徴の１つは、ローバンド信号用ネガティブパスに配置される受動部品と、ローバンド信号用ポジティブパスに配置される受動部品とを半導体チップＣＨＰの中心線ＣＬ１に対して対称となる位置に配置することにある。これにより、ローバンド信号用ネガティブパスと、ローバンド信号用ポジティブパスとの対称性が高められる。この結果、ローバンド信号用ネガティブパスと、ローバンド信号用ポジティブパスとの経路差による整合ロスを充分低減することができ、ローバンド信号用バランスアンプの特性を向上することができる。 （もっと読む）

電力増幅システムならびにそのモジュールおよび構成要素が、CRLH構造に基づいて設計され、高効率および高線形性が提供される。

（もっと読む）

【課題】差動信号の増幅および合成を行ない、かつ高調波を抑制することが可能な電力増幅器を提供する。
【解決手段】電力増幅器１０１は、差動信号である第１の入力信号および第２の入力信号を増幅する第１の増幅器１１，１２と、第１の増幅器１１，１２によって増幅された第１の入力信号および第２の入力信号を受ける第１のコイル２１と、第１のコイル２１と磁気的に結合され、増幅された第１の入力信号および第２の入力信号の合成信号が出力される第２のコイル２２と、第２のコイル２２と磁気的に結合された第３のコイル２３と、第３のコイル２３の両端間に接続された第１のキャパシタ４１とを備え、第１のキャパシタ４１の一端が接地ノードに接続されている。 （もっと読む）

無線アプリケーション用の５Ｗを超える電力で動作する高出力半導体素子（４００）は、高出力半導体素子の活性領域（４０４）を含む半導体基板（４０２）と、高出力半導体素子の活性領域にコンタクトを提供する、半導体基板上に形成された接触領域（４０８）と、半導体基板の一部を覆うように形成された誘電体層（４１２）と、高出力半導体素子に外部接続部を提供するリード線（５００、５０２）と、高出力半導体素子の活性領域とリード線との間の半導体基板上に形成されたインピーダンス整合回路網（５１０、５１２）であって、インピーダンス整合回路網は、誘電体層上に形成された複数の導体線（４１４）であって、活性領域の接触領域に高出力接続部を提供する、接触領域に結合された複数の導体線を含み、該複数の導体線はインピーダンス整合のための所定のインダクタンスを有する、インピーダンス整合回路網とを備える。
（もっと読む）

【課題】負荷変動によってＶＳＷＲ(電圧定在波比)の値が極端に大きくなった場合でも、出力電力結合器の電子部品の溶断の危険性を軽減すること。
【解決手段】ＲＦ電力増幅装置ＨＰＡ＿ＭＤは、第１と第２のＲＦ電力増幅回路ＰＡ１、ＰＡ２、ウィルキンソン・パワー・コンバイナによって構成された出力電力結合器Ｏｕｔ＿ＰＣを具備する。出力電力結合器Ｏｕｔ＿ＰＣの第１と第２の入力端子にＲＦ電力増幅回路ＰＡ１、ＰＡ２のＲＦ増幅出力信号が供給されて、出力端子ＯｕｔからＲＦ増幅出力信号が生成される。出力電力結合器Ｏｕｔ＿ＰＣで、第１入力端子と出力端子の間のインピーダンスと、第２入力端子と出力端子の間のインピーダンスとは略等しく設定され、第１入力端子と第２入力端子の間の抵抗Ｒ61は、例えば渦電流を生成するインダクタ等のリアクタンス素子Ｌ63によって置換されている。 （もっと読む）

【課題】駆動対象を高速かつ安定に駆動でき、さらに静電耐量の高い集積回路装置、電気光学装置及び電子機器等を提供すること。
【解決手段】集積回路装置は出力端子２０に接続される駆動対象を駆動する駆動回路１０と、駆動回路１０の第１の出力ノードＮ１と出力端子２０との間に設けられる第１の静電保護用抵抗素子３０と、駆動回路１０の第２の出力ノードＮ２と出力端子２０との間に設けられ、その抵抗値が第１の静電保護用抵抗素子３０より大きい第２の静電保護用抵抗素子３１とを含み、駆動回路１０は、駆動期間の前半期間では第１及び第２の静電保護用抵抗素子３０、３１を介して駆動対象を駆動し、駆動期間の後半期間では、第１の静電保護用抵抗素子３０を介すことなく第２の静電保護用抵抗素子３１を介して駆動対象を駆動する。 （もっと読む）

【課題】抵抗素子の抵抗値の基板電圧依存性をなくす。
【解決手段】基板領域（２５Ａ，２５Ｂ）上に互いに直列に接続される抵抗素子（Ｒ１、Ｒ２）において、抵抗素子の基板領域と対応の抵抗素子の間の平均電位が逆極性でかつ大きさが等しくなるように、抵抗素子端部と対応の基板領域とをバイアス配線（２７Ａ，２７Ｂ）で接続する。 （もっと読む）

【課題】利得調整および広範囲な電圧源にも安定して適用することができる利得調整回路およびＤ級電力増幅回路を提供する。
【課題を解決するための手段】
利得調整回路100はアナログ入力信号が入力される信号入力端子102、アナログ信号を増幅し電圧源E１が供給される演算増幅器108、演算増幅器108の反転入力端子108aと出力端子108cとの間に接続される第1のＴ型抵抗回路T123を備える。信号入力端子102と反転入力端子108aとの間に利得調整するための第１の可変抵抗RV1を接続する。演算増幅器108の非反転入力端子108bにはバイアス電圧供給回路130から直流バイアス電圧が供給される。バイアス電圧供給回路130は第１の電圧生成回路132および第２のバイアス電圧生成回路138を備える。第１のバイアス電圧生成回路132は第2の電圧源E2および第２のT型抵抗回路T123aを備え、第２のバイアス電圧生成回路138は第3の電圧源E3および第2の可変抵抗RV2を備える。 （もっと読む）

【課題】ガン発振に伴う負性抵抗を抑制し、安定的かつ高効率の電力増幅を得るための安定化回路および安定化回路を備える半導体装置を提供する。
【解決手段】高周波負性抵抗発振に伴う負性抵抗を有する能動素子１４０の主電極に接続される抵抗Ｒと、抵抗Ｒに並列に接続され、高周波負性抵抗発振の発振周波数に同調するインダクタンスＬとキャパシタンスＣからなるタンク回路とを備え、能動素子の負性抵抗をキャンセルすることを特徴とする安定化回路および安定化回路を備える半導体装置。 （もっと読む）