【課題】高出力と専有面積の縮小とを両立させた電力増幅装置を提供する。
【解決手段】基板上に形成された電力増幅装置３００であって、全体で環状の一次インダクタ１，２と、グランドパターン４〜８と、トランジスタ対（Ｑ１ｐ，Ｑ１ｎ）および（Ｑ２ｐ，Ｑ２ｎ）と、二次インダクタ３とを備える。グランドパターン４〜８は、基板に垂直な方向から見て、環状の一次インダクタ１，２の内側の領域の一部から外側の領域に及ぶように設けられ、外側の領域の複数箇所で接地される。各一次インダクタ１，２の両端には、対応のトランジスタ対を構成する第１および第２のトランジスタの第１の主電極がそれぞれ接続される。第１および第２のトランジスタの各第２の主電極は、一次インダクタの内側の領域でグランドパターンに接続されるとともに、上記の接地された複数箇所のいずれとも電気的に導通する。 （もっと読む）

第１回路基板の層上に形成された第１複数巻線と、第２回路基板上の層に形成された第２複数巻線とを備えた平面インダクタ構造を有するオーディオ増幅器。前記平面インダクタ構造は、センサ巻線をさらに備えてもよい。
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【課題】広帯域特性の改善と隣接セルからの干渉問題の抑制を両立できる増幅器を得る。
【解決手段】３セル以上のユニットセルトランジスタ（１１）が等間隔に配置されたマルチセルトランジスタ（１０）と、スリット（２３）で区切られたオープンスタブ（２２）により、基本波の整数倍の周波数で短絡状態を形成するように各ユニットセルトランジスタに対応して設けられた高調波処理回路（２１）を複数有し、各高調波処理回路がトーナメント構成となるように線路構成された出力整合回路（２０）とを備えた増幅器であって、各高調波処理回路（２１）は、マルチセルトランジスタを構成する各ユニットセルトランジスタのゲートまたはドレイン端子の少なくとも一方から、電気長で１／２波長未満の距離に配置され、オープンスタブ（２２）が、主線路と平行して片側に１本で配置されている。 （もっと読む）

【課題】ＩｎＧａＰをエミッタ層として有し、熱的安定性と通電に対する信頼性を両立することの出来るＨＢＴを用いた電力増幅器を提供する。
【解決手段】ＩｎＧａＰエミッタ層を有するＨＢＴにおいて、ＩｎＧａＰエミッタ層５とＡｌＧａＡｓバラスト抵抗層７の間にＧａＡｓ層６を挿入し、ベース層４から逆注入された正孔がＡｌＧａＡｓバラスト抵抗層７まで拡散、到達することを抑制する。 （もっと読む）

【課題】 ギガビットオーダーの光信号受信回路で問題となる光信号受信回路内電源配線および接地電位配線および基板を介した高周波ノイズ回りこみによる発振現象を抑制する光信号受信回路を提供する。
【解決手段】 前置増幅器と参照電圧生成回路とが、共通の第１の接地電位配線および第１の電源配線に接続され、第１の接地電位配線の電位が給電される半導体基板上の第１の素子形成領域に形成され、主増幅器が第１の接地電位配線および第１の電源配線とは分離された、第２の接地電位配線および第２の電源配線に接続され、第２の接地電位配線の電位が給電される半導体基板上の第２の素子形成領域に形成され、第１の接地電位配線の電位が給電される第１の基板給電箇所と、第２の接地電位配線の電位が給電される第２の基板給電箇所との最も近接する基板給電間隔が、交流的に十分減衰される基板透過特性が得られる程度に離れた光信号受信回路を構成する。 （もっと読む）

【課題】 簡単な構造で枝回路間の位相ずれによる利得低下を防止可能な信号合成分配回路を提供する。
【解決手段】 本発明の信号合成分配回路１０は、基板１１に、信号合成点または信号分配点１４を有する複数の枝回路１２ａ、１２ｂおよび１２ｃが配線され、前記複数の枝回路の少なくとも１本の枝回路１２ｂが、他の枝回路１２ａおよび１２ｃと異なる線路長であり、前記異なる線路長の枝回路１２ｂの一部または全部１５が、前記基板１１中に配線されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電力増幅を行う増幅回路のレイアウト面積を低減させながら、トランジスタの熱暴走などを防止し、動作を安定化させる。
【解決手段】パワー段増幅回路４では、ユニットセル８₁〜８_Nに、ベースバラスト抵抗Ｒｂ₁〜Ｒｂ_Nに付加するバイアス回路となるトランジスタＱ２₁〜Ｑ２_Nをそれぞれ設けた構成とする。この場合、コントロール電源電圧Ｖｒｅｇとトランジスタのエミッタ電圧Ｖｅ３１の間の電位差は、ベース−エミッタ間電圧Ｖｂｅと抵抗Ｒｂ₁の電圧降下に加えて、トランジスタＱ２₁のベース−エミッタ間電圧Ｖｅｂ３１の３つにより支えられ、ベース電流Ｉｂ１の増大に伴って、ベース−エミッタ間電圧Ｖｂｅ３１も大きくなり、熱暴走の開始を遅らせることができ、熱暴走の開始電流Ｉｃｒｉｔを増大させることができる。 （もっと読む）

【課題】バイアス制御部を比較的簡素化し、且つ多段接続された各半導体増幅素子に対して所望のバイアス電圧を設定する。
【解決手段】高周波電力増幅器１は、バイアス制御部１０と電力増幅部２０とを備える。電力増幅部２０は半導体増幅素子２１１，２１２，２１３が多段接続されてなり、高周波信号を増幅して出力する。バイアス制御部１０では、バッファアンプ１１１を介したバイアス制御用信号が定抵抗器１３１、可変抵抗部１３２，１３３へ供給される。可変抵抗部１３２，１３３はレジスタ１３０のスイッチ制御信号より抵抗値が可変でき、所定の抵抗値に設定される。バイアス制御信号に基づき、定抵抗器１３１はバイアス電圧Ｖｂｉａｓ１を半導体増幅素子２１１へ供給し、可変抵抗部１３２はバイアス電圧Ｖｂｉａｓ２を半導体増幅素子２１２へ供給し、可変抵抗部１３３はバイアス電圧Ｖｂｉａｓ３を半導体増幅素子２１３へ供給する。 （もっと読む）

【課題】回路ゲイン切り替え時における入力端子の入力容量値の変動を低減し、周波数依存性を大幅に改善する。
【解決手段】スイッチ２２（₀〜_N），２３（₀〜_N），２４（₀〜_N）におけるＯＮ／ＯＦＦの動作制御は、ロジックコントローラから出力される制御信号Ｃｔｒｌ０〜Ｃｔｒｌｎ，ＣｔｒｌＢ０〜ＣｔｒｌＢｎによってそれぞれ制御される。スイッチ２４（₀〜_N）は、スイッチ２２（₀〜_N）がＯＮ（トランジスタ１９（₀〜_N）がバイアスオフ）する際に、同じタイミングでＯＮとなり、スイッチ２２（₀〜_N）がＯＦＦ（トランジスタ１９（₀〜_N）がバイアスオン）する際には、同じタイミングでＯＦＦとなる。トランジスタ２４（₁〜_N）がバイアスオフのときに静電容量素子２５（₀〜_N）が有効になり、回路ゲインを切り換えた時の入力端子ＩＮから見た入力容量値Ｃｉｎの大きな変動を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】複数の入力ポートと少なくとも1つの出力ポートとを備え、高い変圧器結合効率及び高い電力合成効率を達成するオンチップ変圧器電力合成器を提供する。
【解決手段】変圧器電力合成器は、複数の一次巻線導体と複数の二次巻線導体とを含む。一次巻線導体は、入力ポートにそれぞれ電気的に接続される。加えて、各一次巻線導体は対応する入力ポートのプラス端子とマイナス端子との間に電気的に接続されている。二次巻線導体は、一次巻線導体にそれぞれ磁気的に結合される。二次巻線導体は、出力ポートのプラス端子とマイナス端子との間に直列接続及び並列接続を含むトポロジー構造を持つように構成される。 （もっと読む）

【課題】回路面積を増加させることなく、動作状態のトランジスタからの発熱を抑制することによって、小型化及び低コスト化を図ることができる高周波増幅器を提供する。
【解決手段】複数の単位トランジスタ３が並列に接続されたトランジスタ列からなり、高周波を増幅する増幅素子と、トランジスタ列の隣り合った単位トランジスタ３のフィンガ間にそれぞれ形成された出力整合回路の回路素子２とを備える。 （もっと読む）

【課題】高周波電力増幅器の入力端子と増幅回路の入力端子の間で発生するループ発振を抑止することができる高周波電力増幅器を提供する
【解決手段】入力端子２０と入力端子２０により入力された入力信号を分配する複数の分岐端子２１〜２４を有する導体パターン１９を備える分配回路基板４と、各分岐端子からの入力信号をそれぞれ増幅する増幅回路基板５と、増幅回路基板５からの入力信号を合成する合成回路基板６と、を備え、分配回路基板４の導体パターン１９は、絶縁基板に形成された第１導電層１９Ａと、第１導電層１９Ａ上に形成された第２導電層１９Ｂと、第２導電層１９Ｂ上に形成された第３導電層１９Ｃを有し、分配回路基板の導体パターン１９には、入力端子２０から分岐端子２１〜２４が分岐された位置に、第１導電層１９Ａと第２導電層１９Ｂのみからなる抵抗パターン部４１〜４４が形成されている。 （もっと読む）

【課題】オッドモード発振を抑制し、またガン発振に伴う負性抵抗を抑制し、安定的かつ高効率の電力増幅を得るための安定化回路を備える半導体装置を提供する。
【解決手段】第１の能動素子ＦＥＴ１と、第１の能動素子ＦＥＴ１に並列接続される第２の能動素子ＦＥＴ２と、第１の能動素子ＦＥＴ１のゲートＧ１と第２の能動素子ＦＥＴ２のゲートＧ２間に接続され、ゲートバイパス抵抗Ｒg₀、ゲートバイパスキャパシタＣg₀、およびゲートバイパスインダクタンスＬg₀の並列回路からなる第１の安定化回路１２０とを備え、第１の安定化回路１２０の共振周波数は、オッドモード共振周波数に等しいことを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】広帯域に渡りインピーダンス整合する接続構造を実現すること。
【解決手段】高周波回路チップ１００と伝送線路Ｆとの間に、高周波回路チップに対してワイヤボンディングされ、誘電体上に形成された第１信号線路６１Ｌと、誘電体上において第１信号線路の両側に形成され、誘電体の裏面全体に形成された裏面接地導体と接続された、表面導体５０Ｌの第１部分５１Ｌから成る第１コプレーナ部Ａと、第１コプレーナ部の第１信号線路に接続され、信号の伝送方向に沿った２辺に沿って、裏面接地導体と電気的に接続する複数のビアホールから成る側壁導体と、第１信号線路と連続する表面導体の第２部分と、裏面接地導体と、から成る集積導波管とを有する。第１信号線路と第２部分との接続点を、側壁導体間の幅の中点からずれた位置にすることで、この接続点から高周波回路チップ側を見たインピーダンスと集積導波管側を見たインピーダンスを等しくした。 （もっと読む）

【課題】面積の大幅な増大なくレファレンス電圧生成回路を低消費電流化するとともに通常動作モード時とスタンバイモード時においてレファレンス電圧精度の大幅な劣化を抑制する。
【解決手段】スタンバイモード時に、分周制御回路１４は発振回路５が生成したクロックから、基準電圧発生回路３、基準電圧生成回路４、容量充電レギュレータ１１のＯＮ／ＯＦＦを決めるイネーブル信号ＶＲＥＦＯＮと基準電圧発生回路３、基準電圧生成回路４、ならびに容量充電レギュレータ１１がＯＮの際に、保持容量回路６内の保持容量ＣＨに充電し、ＯＦＦ期間に保持容量ＣＨに対してリーク電流パス以外は存在しないように制御するサンプリング／ホールド信号ＣＨＯＬＤＳＷを生成する。消費電流の大きい基準電圧発生回路３、基準電圧生成回路４、容量充電レギュレータ１１を間欠動作させて低消費電流化を図る。 （もっと読む）

【課題】各電力増幅素子から見込んだインピーダンス整合回路のインピーダンス偏差を低減して、信号の合成効率および出力電力を向上可能なマイクロ波電力増幅器を得る。
【解決手段】同一構造の単位トランジスタ２２ａ〜２２ｄが３つ以上並列に配置されたトランジスタチップ２０と、トランジスタチップ２０の入力側に設けられた入力側インピーダンス整合回路１２と、トランジスタチップ２０の出力側に設けられた出力側インピーダンス整合回路３２と、単位トランジスタ２２ａ〜２２ｄを、入力側インピーダンス整合回路１２および出力側インピーダンス整合回路３２とそれぞれ接続するボンディングワイヤ４１ａ〜４１ｄ、４２ａ〜４２ｄとを備えたマイクロ波電力増幅器であって、ボンディングワイヤ４１ａ〜４１ｄ、４２ａ〜４２ｄの自己インダクタンスと相互インダクタンスとの和が、全ての単位トランジスタ２２ａ〜２２ｄについて互いに等しくされている。 （もっと読む）

【課題】変調周波数の広帯域化に対応でき、さらに出力信号の変調精度の劣化を抑えた良好な変調特性を有する高周波電力増幅器を提供する。
【解決手段】高周波増幅器用トランジスタ４と、前記高周波増幅器用トランジスタに入力される高周波信号の包絡線信号に対応したパルス信号が入力端子に入力されてスイッチングされ出力端子が電源供給のために前記高周波増幅器用トランジスタのコレクタ端子またはドレイン端子に接続されるスイッチング増幅器用トランジスタ９とを備え、前記高周波増幅器用トランジスタおよびスイッチング増幅器用トランジスタおよびこれらの間の接続線が同一半導体基板Ｓ上に形成されている高周波電力増幅器とする。 （もっと読む）

【課題】回路性能の劣化に繋がる先鋭度の高い利得ピークを抑圧する。
【解決手段】差動分布回路ＩＣチップ１０２は、バイアス電圧端子ＶＣＣ＿ＣＰ，ＶＣＣ＿ＣＮからバイアス電圧ＶＣＣが供給され、出力端がチップの出力端子ＤＯＵＴＰ，ＤＯＵＴＮに接続された出力コプレナー線路ＣＰＷ２Ｐ，ＣＰＷ２Ｎと、入力端子ＤＩＮＰ，ＤＩＮＮから差動信号が入力され、出力が出力コプレナー線路ＣＰＷ２Ｐ，ＣＰＷ２Ｎに接続された差動増幅器ＣＭＬとを有する。パッケージ１０３ａは、バイアス電圧端子ＶＣＣ＿ＣＰ，ＶＣＣ＿ＣＮにバイアス電圧ＶＣＣを供給するボンディングワイヤ１１０ａ，１１１ａ，２０４，２０５に対して直列に挿入された抵抗Ｒ５Ｐ，Ｒ５Ｎを有する。 （もっと読む）

【課題】電力増幅器の出力信号の経路の挿入損失を増加させることなく、スイッチから外部に放出される高調波信号を低減する。
【解決手段】高周波モジュール２は、電力増幅器４と、電力増幅器４の出力信号が入力されるスイッチ６を備えている。電力増幅器４の電源電圧入力端子４ＶＣとスイッチ６の電源電圧入力端子６ＶＤが共に電源端子Ｖｃｃに接続されることにより、電力増幅器４によって発生されて電源電圧入力端子４ＶＣに漏れる高調波信号を電源電圧入力端子６ＶＤに伝送する高調波信号伝送経路８０が形成される。高調波信号伝送経路８０の長さを調整することによって、高調波信号伝送経路８０を経由して電源電圧入力端子６ＶＤに伝送される高調波信号とスイッチ６によって発生された高調波信号とが合成されて形成される高調波信号の強度は、スイッチ６によって発生された高調波信号の強度よりも小さくなる。 （もっと読む）

【課題】負荷条件が異なっても高調波を適切なインピーダンスで終端し、基本波に対しては影響のない高調波終端回路を得る。
【解決手段】高調波終端回路は、マイクロ波電力増幅器（４）のマイクロ波出力または入力を高調波処理する高調波終端回路において、基本波のおよそ４分の１波長の先端短絡スタブ（１ａ、１ｂ、１ｃ）および上記先端短絡スタブに直列に接続される抵抗（３ａ、３ｂ、３ｃ）を有する並列回路（３０ａ、３０ｂ、３０ｃ）を３組備え、上記並列回路は、二次高調波のおよそ４分の１波長ずつ離れて伝送線路（２ａ、２ｂ）に並列に接続される。 （もっと読む）