説明

Fターム[5J500AS13]の内容

増幅器一般 (93,357) | 用途 (4,306) | 通信機器 (2,560)

Fターム[5J500AS13]の下位に属するFターム

送信器 (1,559)

Fターム[5J500AS13]に分類される特許

101 - 120 / 1,001


【課題】光ファイバ受信器やハードディスクドライブ向けに、大きい帯域幅及び高利得TIAを提供する。
【解決手段】入れ子状のトランスインピーダンス増幅器(TIA)回路は、入力及び出力を有する0次のTIAと、第1の演算増幅器(オペアンプ)と、を備えている。オペアンプは、0次のTIAの出力に接続する入力と、該入力によって駆動される第1のトランジスタと、第1のバイアス電圧によって駆動され且つ上記第1のトランジスタに接続する第2のトランジスタと、第2のトランジスタに接続する第1の電流源と、第1のトランジスタと第2のトランジスタの間のノードに存在する出力と、を備えている。 (もっと読む)


【課題】製造上の素子の特性ばらつきや電源電圧の変更やばらつきに対しても安定化させる。
【解決手段】入力端子2と、入力端子に入力された入力信号を増幅するトランジスタ1と、トランジスタの出力信号を出力する出力端子3と、トランジスタの出力信号の帰還量として振幅を調整して出力する帰還量調整回路10と、トランジスタに供給されるバイアス電流を生成するバイアス回路9と、帰還量調整回路の出力電圧と参照電圧とを比較して入力信号が前記トランジスタの利得抑圧を発生させることを判定したときトランジスタのバイアス電流を増加させるようにバイアス回路を動作させる差動電圧比較器11と、参照電圧を生成して差動電圧比較器の一方の入力端に印加させる第1の第1の入力バイアス回路12と、帰還量調整回路の出力電圧にバイアス電圧を付加して差動電圧比較器の他方の入力端に印加させる第2の第2の入力バイアス回路13と、を備える低雑音増幅器。 (もっと読む)


【課題】差分周波数Δfが数百MHzにおいても高周波半導体チップのドレイン端面の電圧が平滑化された半導体装置を提供する。
【解決手段】高周波半導体チップと、高周波半導体チップの入力側に配置された入力整合回路と、高周波半導体チップの出力側に配置された出力整合回路と、入力整合回路に接続された高周波入力端子と、出力整合回路に接続された高周波出力端子と、高周波半導体チップに接続される平滑化キャパシタ用端子とを備え、高周波半導体チップと、入力整合回路と、出力整合回路とが1つのパッケージに収納された半導体装置。 (もっと読む)


【課題】電池電圧低下時における拡声用のスピーカの音の歪を防止しつつ、電力消費を低減し得る携帯情報端末を提供する。
【解決手段】携帯情報端末200に、バッテリ210、電圧変換部220、およびセレクタ230を設ける。また、バッテリ210から電圧変換部220を経由してアンプ180に給電する第1給電路251と、電圧変換部220を迂回する第2給電路252とを形成する。バッテリ210の電池電圧が高い場合、電圧変換部220の降圧により、バッテリ210の放電電流を低減する。電池電圧が低い場合、電圧変換部220の昇圧により、アンプ180での歪を防止する。電池電圧が中間値の場合は、バッテリ210から電圧変換部220を迂回して給電し、電圧変換部220による電力消費を低減する。 (もっと読む)


【課題】信号増幅について消費出力を低減することの可能な増幅回路、電子機器、増幅方法を提供する。
【解決手段】高周波信号が入力されこの高周波信号を増幅して出力するn段アンプと、前記n段アンプの消費電力の制御を行う制御回路と、前記制御に対応して前記n段アンプの内の出力の選択を行う切り替え回路とを備えた増幅回路。また、アンテナと、前記アンテナを介して入力された信号を増幅して出力する複数のアンプと、前記複数のアンプのそれぞれに供給される電流を制御する制御回路と、前記制御回路の前記電流制御に対応して、前記複数のアンプの出力を切り替える切り替え回路とを有する増幅回路と、前記増幅回路から出力された信号を復調する復調回路と、を備えた電子機器。 (もっと読む)


【課題】高速シリアルインターフェイスおよび他の用途のために等化器および他の連続時間回路を改善すること。
【解決手段】マルチステージ増幅器チェーンであって、該マルチステージ増幅器チェーンは、該チェーン内に第1の増幅器ステージと最後の増幅器ステージとを含む、マルチステージ増幅器チェーンと、該最後の増幅器ステージの出力を受信することと、オフセット補正電圧信号を該第1の増幅器ステージに提供することとを行うように構成されているオフセットキャンセレーションループとを備えている、回路。 (もっと読む)


【課題】片手の操作で筐体から電源回路部を容易に取り外すことができて作業性を向上する。
【解決手段】筐体と、略直方体形状を有して筐体に着脱可能に収納される電源回路部180と、筐体に収納され、電源回路部180から給電される増幅部190とを備える。電源回路部180は、周側部のうち長手方向に平行な一対の側部の各々に、互いに対向するように、係止用突起を含む係止部200,210を有する。筐体は、係止用突起に係止可能な係止溝を有する。 (もっと読む)


【課題】端子切替時の応答特性を改善した半導体スイッチを提供する。
【解決手段】電源回路部は、正の電源電位よりも高い第1の電位と、負の第2の電位と、を生成する。駆動回路部は、前記電源回路部に接続され、端子切替信号に応じて前記第1の電位をハイレベルとし前記第2の電位をローレベルとする制御信号を出力する。スイッチ部は、制御信号を入力して端子間の接続を切り替える。前記駆動回路部は、第1と、第2のレベルシフタと、第1の回路と、を有する。前記第2のレベルシフタは、前記第1のレベルシフタの出力電位に応じて互いに排他的にオンする第2のハイサイドスイッチと第2のローサイドスイッチとを有し、前記制御信号を出力する。前記第1の回路は、前記端子切替信号に応じて、前記制御信号の電位の変化よりも前に前記第2のローサイドスイッチに前記電源電位を供給し、または前記ハイサイドスイッチに前記接地電位を供給する。 (もっと読む)


【課題】受信用トランジスタを過入力による破壊から防ぐ簡易な構成であるとともに過入力が解消された後定常動作に復帰するまでの時間が短縮されるバイアス回路を得る。
【解決手段】バイアス回路は、受信用増幅器に用いられるバイアス回路であって、電界効果型トランジスタのドレイン電極とドレインバイアス端子の間に抵抗が直列に接続され、上記ドレイン電極とゲートバイアス端子の間に少なくとも2個以上の抵抗が直列に接続され、上記直列接続された2個以上の抵抗のうち2個の抵抗が接続される接続点を上記ゲート電極に接続する。 (もっと読む)


【課題】複数のトランジスタを均一に動作させ、低消費電力及び良好な歪特性を実現する。
【解決手段】高周波信号を増幅する電力増幅器100であって、上部電極120a及び下部電極120bを有し、高周波信号が入力される整合容量120と、整合容量120の下部電極120bから出力される高周波信号を増幅する複数のトランジスタ110が所定の方向に並んで配置されているトランジスタ列とを備え、トランジスタ列に隣り合う領域において、トランジスタ列の両端から略等しい距離には、接地されたビアホール170が形成され、下部電極120bは、ビアホール170を挟んで高周波信号が均等に分配されるように配置されたマイクロストリップ線路であり、複数のトランジスタ110のベース端子に接続される。 (もっと読む)


【課題】温度と無関係に同一の動作および性能特性を示す増幅器を設計することが望まれる。
【解決手段】改良された直線性および低減されたパワー消費を備えた高周波数応答性を与える可変利得増幅器が提供される。改良された直線性および安定した動作のために複数の信号経路および補償回路網を備えた、1段トポロジから構築される増幅器が開示される。この増幅器において、改良された性能は、単一のトランジスタコンポーネントを、局所的な負帰還を組み込むエンハンスされた活性デバイスと置き換えることにより、取得される。本発明の1実施形態は、従来技術に対して、トランスコンダクタンスおよび入力インピーダンスを向上させるエンハンスメント回路である。さらなる発展は、改良された直線性を提供するエンハンスされた活性なカスコード回路である。 (もっと読む)


【課題】温度変化によるアナログ回路のゲイン変動をより高精度に補償することができる温度補正回路を提供すること。
【解決手段】アナログ回路部20周囲の雰囲気温度を取得する温度取得部11と、雰囲気温度の変化に伴うアナログ回路部20のゲイン変動を補償する温度補正データを記憶した温度補正データ記憶部12と、雰囲気温度の変化に伴うアナログ回路部20のゲイン変動の個体差を補償する個体差補正データを記憶した個体差補正データ記憶部13と、温度取得部11によって取得された雰囲気温度に応じた温度補正データおよび個体差補正データに基づいて、アナログ回路部20の出力信号のレベルの温度変化による変動分を補正した信号を出力する補正部14と、を備える。 (もっと読む)


【課題】受信雑音性能の低下をともなうことなく簡易な構成により受信用トランジスタを過入力による破壊から防ぐことのできるバイアス回路を得る。
【解決手段】過入力保護回路を有さない受信用増幅器に用いられるバイアス回路であって、受信用増幅器を構成する受信用トランジスタ2のゲート端子に接続されたゲートバイアス回路8と、受信用トランジスタ2のドレイン端子に接続されたドレインバイアス回路9とを備える。ゲートバイアス回路8は、過入力時における受信用トランジスタ2のゲート電流Igまたはゲート電圧Vgの変化を検知して変化信号を生成する変化検知手段を有する。ドレインバイアス回路9は、過入力時の変化信号に応答して、受信用トランジスタ2に対するドレイン電圧Vdを低減させる。 (もっと読む)


【課題】単一の演算増幅器を使用して積分器と加算器の両方を実現するスイッチトキャパシタ回路を提供する。
【解決手段】1つの入力信号は、(1)1つまたは複数の積分ブランチと、(2)1つまたは複数の第1の加算ブランチとを介して演算増幅器の入力に送られる。第2の入力信号は、1つまたは複数の第2の加算ブランチを介して演算増幅器の入力に送られる。ブランチの各々は、キャパシタと、異なるクロック位相によって制御されるいくつかのスイッチとを含む。スイッチトキャパシタ回路はシングルエンドまたは差動とすることができる。 (もっと読む)


【課題】漏洩LO信号によって生成されたDCオフセットを最小化する回路を提供する。
【解決手段】受信機100におけるDCオフセット取消し回路(95、200、Cs、180)は、LO信号発生器105から漏洩されたLO(局部発振器)信号によって引き起こされたDCオフセットを取り消す。受信機は、送信モード中にDCオフセット取消し回路を使用することにより、最初にそれ自体を較正する。較正中に、DCオフセット取消し回路は漏洩されたLO信号によって引き起こされたDCオフセット電圧信号を記憶する。受信モード中に、受信機が信号を受け取っている場合、受信機は受信信号から記憶されたDCオフセット電圧信号を引き、漏洩されたLO信号によって引き起こされたDCオフセットを取り消す。 (もっと読む)


【課題】回路規模が小さく、温度変化や抵抗のばらつきに関係なく出力を一定にできる出力バッファ回路を提供する。
【解決手段】入力部20は、帰還抵抗22を持つソース接地増幅器で、負荷は2つの出力ノード35,36をもつカレントミラー部30の入力ノード34に接続される。カレントミラー部30の出力は、電流電圧変換部40に接続される。電流電圧変換部40は、2つのダイオード接続されたトランジスタ41,42を有し、それぞれのドレインはカレントミラー部の出力ノードに接続され、トランジスタ42のソースはノード47および抵抗43を介してGND80に接地し、他方のトランジスタ41のソースは直接GNDに接地し、さらにノード45と47間に抵抗44が繋がれている。帰還抵抗22と抵抗44の値はそれぞれ等しい。ノード46は電流電圧変換部40の出力であり、出力回路50のトランジスタ51のゲートに入力される。 (もっと読む)


【課題】DCオフセットキャンセル回路の回路規模と消費電力とを低減する。
【解決手段】差動増幅器5の非反転出力端子と反転出力端子にDCオフセットキャンセル回路51の差動入力端子が接続され、キャンセル回路51の出力信号は差動増幅器5の出力DCオフセット電圧を低減する。回路51はオンチップローパスフィルタ51と直流制御増幅器512を有し、フィルタ511は第1定電流源CS1、差動対の第1と第2のトランジスタ素子Mp1、Mp2、オンチップ容量C1を含む。第1定電流源CS1は素子Mp1、Mp2の共通電極に接続され、回路51の差動入力端子Vinp、Viinは素子Mp1、Mp2の制御入力電極に接続される。オンチップ容量C1の一端と他端に素子Mp1、Mp2の出力電極とが接続され、直流制御増幅器512は容量C1の両端の電圧に直流的に応答する。 (もっと読む)


【課題】RF及ぶ帯域で動作するシングルエンド出力であるフィードバック型の広帯域増幅器における二次歪み耐性を向上させる。
【解決手段】主増幅MOSトランジスタQ1を含むシングルエンド出力であるフィードバック型の主増幅器310に、これと相似的な構成の副増幅器320を並設し、この副増幅320の副増幅MOSトランジスタQ3へのバイアス値を所定値に合わせ込むことによって、主増幅器310に生じる二次歪成分のみに相似な二次歪成分相当の信号を生成し、該二次歪成分相当の信号で主増幅器310に生じる二次歪成分を打ち消すことによって、主増幅器310と副増幅回路320とを含む広帯域増幅器300の二次歪み耐性を向上させる。 (もっと読む)


【課題】プロセス、温度及び/又は電源電圧の変動による電流源の電流の変動を防止することができるバイアス回路を提供することを課題とする。
【解決手段】バイアス回路は、第1の定電位のノードと前記第1の定電位よりも低い第2の定電位のノードとの間の第3の電位のノードに接続される第1の抵抗(R11)と、ドレインが前記第1の抵抗を介して前記第3の電位のノードに接続され、ゲート及びソースが前記第2の定電位のノードに接続されるデプレッション型電界効果トランジスタ(Q11)とを有し、前記デプレッション型電界効果トランジスタのドレインは、第1の電流源のバイアス電圧を出力する。 (もっと読む)


【課題】経年劣化につれて適切でなくなった予備ルックアップテーブルを破棄しメモリ量を減少させるプリディストータを提供することを目的とする。
【解決手段】2個の保存部は、それぞれの保存ルックアップテーブル及び更新ルックアップテーブルのうち特性の高いルックアップテーブルを格納するが、一定期間毎にかつ異なる更新タイミングで、ルックアップテーブルの特性の比較によらず、それぞれの保存ルックアップテーブルを破棄し更新ルックアップテーブルを格納する。歪補償回路11は、通常では更新ルックアップテーブルをロードされるが、更新ルックアップテーブルの破綻時又は保存ルックアップテーブルのロード要求時などには、保存ルックアップテーブルをロードされる。このとき、破棄タイミングからロードタイミングまでの時間がより長い保存部から、歪補償回路11は保存ルックアップテーブルをロードされる。 (もっと読む)


101 - 120 / 1,001