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国際特許分類[B22F9/08]の内容

処理操作;運輸 (1,245,546) | 鋳造;粉末冶金 (29,309) | 金属質粉の加工;金属質粉からの物品の製造;金属質粉の製造 (12,322) | 金属質粉またはその懸濁液の製造 (2,773) | 物理的プロセスを用いるもの (960) | 液体物質からはじまるもの (397) | 鋳造によるもの,例.ふるいを通してまたは水中への鋳造,アトマイズまたはスプレイによるもの (385)

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【課題】ターゲットに含まれる強磁性金属元素の含有量を減少させずに、マグネトロンスパッタリング時の漏洩磁束量を従来よりも増加させることができるマグネトロンスパッタリング用ターゲットを提供する。
【解決手段】強磁性金属元素を有するマグネトロンスパッタリング用ターゲットであって、前記強磁性金属元素を含む磁性相12と、前記強磁性金属元素を含み、かつ、構成元素またはその含有割合の異なる複数の非磁性相14、16と、酸化物相18とを有しており、前記磁性相12および前記複数の非磁性相14、16からなる各相は、お互いに前記酸化物相18により仕切られている。 (もっと読む)


【課題】焼結時や加工時に割れの発生しないCu、In、GaおよびSeを含有するCu−In−Ga−Se系粉末、およびこれを用いた焼結体およびスパッタリングターゲットを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、Cu、In、GaおよびSeの元素を含有する粉末であって、Cu−In−Ga−Se系化合物および/またはCu−In−Se系化合物を、合計で60質量%以上含有することを特徴とする粉末である。本発明の粉末は、In−Se系化合物を20質量%以下および/またはCu−In系化合物を20質量%以下含有することが好ましい。 (もっと読む)


【課題】生産効率の良いSi系材料の製造方法を提供する。
【解決手段】炭素系るつぼ12、または、炭素系サセプタ16内に配置した耐熱ガラスるつぼ18内に純Siまたは純Siおよび下記合金原料Xを投入し、高周波誘導加熱により炭素系るつぼ12または炭素系サセプタ16を加熱して、るつぼ12、18内の純Siまたは純Siおよび下記合金原料Xを溶解し、溶湯14を得る工程と、合金原料X:長周期型周期表の2A族元素、遷移元素、2B族元素、3B族元素、および、4B族元素から選択される1または2以上の元素、アトマイズ法またはロール急冷法を用いて、溶湯14からSi系材料を得る工程とを有する製造方法とする。 (もっと読む)


【課題】比較的低温で焼成しても良好に焼結し、高密度の焼結体を製造可能な造粒粉末、およびかかる造粒粉末を容易に製造可能な造粒粉末の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明のチタン焼結体は、チタン系粉末を焼結してなるものであり、チタンα相の結晶組織を含んでいる。この結晶組織は、平均粒径が5μm以上50μm以下のものであり、かつアスペクト比が3以下のものである。また、チタン焼結体の酸素含有量は質量比で3000ppm(0.3質量%)以下である。また、窒素含有量は質量比で1000ppm(0.1質量%)以下であるのが好ましく、炭素含有量は質量比で1500(0.15質量%)ppm以下であるのが好ましい。 (もっと読む)


【課題】面内均一性に極めて優れたAg系薄膜を形成するのに有用なAg系スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ag系スパッタリングターゲットのスパッタリング面の平均結晶粒径daveを下記手順(1)〜(3)によって測定したとき、平均結晶粒径daveは10μm以下を満足する。(手順1)スパッタリング面の面内に任意に複数箇所を選択し、選択した各箇所の顕微鏡写真(倍率:40〜2000倍)を撮影する。(手順2)各顕微鏡写真について、井桁状または放射線状に4本以上の直線を引き、直線上にある結晶粒界の数nを調べ、各直線ごとに下式に基づいて結晶粒径dを算出する。d=L/n/m式中、Lは直線の長さ、nは直線上の結晶粒界の数、mは顕微鏡写真の倍率を示す。(手順3)全選択箇所の結晶粒径dの平均値をスパッタリング面の平均結晶粒径daveとする。 (もっと読む)


【課題】安全に製造することが可能なIn−Se合金粉末、In−Se合金焼結体、Ga−Se合金粉末、Ga−Se合金焼結体、In−Ga−Se合金粉末、In−Ga−Se合金焼結体、Cu−In−Ga−Se合金粉末及びCu−In−Ga−Se合金焼結体の製造方法を提供すること
【解決手段】本発明のIn−Se合金粉末の製造方法は、In粉末とSe粉末を混合してIn及びSe混合粉末を作製する。In及びSe混合粉末は、In及びSeの融点以上に加熱された加熱部に逐次的に投入される。
In及びSe混合粉末は、加熱部に逐次的に投入されるため、その部分に含まれるInとSeの合金化反応により発生した熱は次のIn及びSe混合粉末が投入されるまでに放熱される。したがって、InとSeの合金化反応に伴なう熱が爆発的に発生することが防止され、安全にIn−Se合金粉末を製造することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】肉盛合金の靭性を高めると共に、相手材との耐摩耗性を向上させることができる肉盛用合金粉末を提供する。
【解決手段】肉盛用合金粉末は、C:0.7〜1.0質量%、Mo:30〜40質量%、Ni:20〜30質量%、Cr:10〜15質量%、及び残部がCoと不可避不純物からなる合金粉末、または、C:0.2〜0.5質量%、Mo:30〜40質量%、Ni:20〜30質量%、及び残部がCoと不可避不純物からなる合金粉末である。 (もっと読む)


【課題】 高硬度、高靭性で、しかも安価なショットピーニング用投射材を提供する。
【解決手段】 質量%で、B:5〜8%、C:0.05〜1%を含み、残部Feおよび不可避的不純物よりなり、かつ、BとCの合計が8.5%以下であることを特徴とするショットピーニング用高硬度投射材。さらに、上記に加えて、Cr:25%以下を含むショットピーニング用高硬度投射材。 (もっと読む)


【課題】熱電材料の製造時間を短縮化し得てコストを低減できるとともに不純物が少なく、熱電特性の良好なFeVAl基ホイスラー型熱電材料の製造方法を提供する。
【解決手段】FeVAl基ホイスラー化合物の原料を溶解する溶解工程と、溶湯をガスアトマイズ法により急冷凝固させて粉末化する粉末化工程とを経て製造したアスペクト比が5以下の粉末を70%以上含む熱電材料の粉末を、その後に粉砕処理することなく直接焼結を行って熱電材料を製造する。 (もっと読む)


【課題】ギャップを設けないリアクトルのコアに好適で、高圧に加圧しなくてもよい軟磁性複合材料の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明軟磁性複合材料の製造方法は、次の工程を備える。(見掛密度/真密度)×100で表される密度比が45%超70%以下の軟磁性粉末を準備する準備工程。この軟磁性粉末10と樹脂20とを混合する工程であって、この混合時の樹脂温度における樹脂20の粘度を100mPa・s〜100Pa・sに調整して混合を行う混合工程。この混合材料を型3に充填し、大気圧以上1MPa以下の圧力にて樹脂を硬化させて成形体を得る成形工程。この方法によれば、所定の密度比の軟磁性粉末を用いることで、ある程度軟磁性粉末の充填率が高い軟磁性複合材料を得ることができる。 (もっと読む)


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