【課題】 レーザビームにより被加工物の切断加工を行うレーザ加工方法において、ピアシング穴径を縮小し、飛散する溶融金属量を低減し、かつ短時間で貫通穴を形成するレーザ加工方法を得る。
【解決手段】 第１のピアシング条件にてビームを照射する第１の工程と、一旦ビーム照射を停止する第２の工程と、第２のピアシング条件にて再度ビームを照射する第３の工程からピアシング加工を行うことにより、ピアシング中における酸化燃焼反応を抑制し、飛散する溶融金属量を低減させる。 （もっと読む）

【課題】レーザ光を用い、基板内に、基板の厚さ方向における深さが異なる複数の改質領域を形成する場合に、基板に形成された電子素子の劣化を抑制する。
【解決手段】基板１１の基板表面１１ａに複数の半導体発光素子２１が形成された素子群形成基板２０に対し、基板１１の基板裏面１１ｂ側からｙ方向に沿って、第１出力にてレーザ光６４を順次照射し、基板裏面１１ｂからの深さが第１深さＤ１となる部位にレーザ光６４を順次集光させ、基板１１内に第１改質領域Ｌ１を形成し、第１改質領域Ｌ１が形成された素子群形成基板２０に対し、基板１１の基板裏面１１ｂ側からｙ方向に沿って、第３出力（＜第１出力）のレーザ光６４を順次照射し、基板裏面１１ｂからの深さが第１深さＤ１よりも浅い第３深さＤ３となる部位にレーザ光６４を順次集光させ、基板１１内に第１改質領域Ｌ１に沿う第３改質領域Ｌ３を形成する。 （もっと読む）

【課題】レーザ光を用い、基板内において交差する方向に３以上の改質領域を形成し、且つ、これらのうち２つの改質領域を同じ方向に沿って形成する場合に、基板に形成される改質領域の位置ずれを抑制する
【解決手段】ウエハ状の基板１１の基板表面１１ａに複数の半導体発光素子２１を構成する積層半導体層１２が形成された素子群形成基板２０に対し、基板裏面１１ｂ側からレーザ光６４を照射することで、基板１１の内部に、基板１１の面に沿うｙ方向に向かう第１改質領域Ｌ１、基板１１の面に沿い且つｙ方向とは異なるｘ方向に向かう第２改質領域Ｌ２、ｙ方向に向かう第３改質領域Ｌ３、ｘ方向に向かう第４改質領域Ｌ４を、第１改質領域Ｌ１〜第４改質領域Ｌ４の順で形成する。 （もっと読む）

【課題】レーザ光を用い、基板内において交差する方向に３以上の改質領域を形成し、且つ、これらのうち２つの改質領域を同じ方向に沿って形成する場合に、基板に形成された電子素子の劣化を抑制する。
【解決手段】ウエハ状の基板１１の基板表面１１ａに複数の半導体発光素子２１が形成された素子群形成基板２０に対し、基板１１の基板裏面１１ｂ側からレーザ光６４を照射することで、基板１１の内部に、基板１１の面に沿うｙ方向（第１方向に対応）に向かう第１改質領域Ｌ１および第３改質領域Ｌ３と、基板１１の面に沿い且つｙ方向とは異なるｘ方向（第２方向に対応）に向かう第２改質領域Ｌ２および第４改質領域Ｌ４とを形成する改質領域形成工程において、基板の基板裏面１１ｂからの深さを異ならせて、改質領域群を構成する第１改質領域Ｌ１、第２改質領域Ｌ２、第３改質領域Ｌ３および第４改質領域Ｌ４を形成する。 （もっと読む）

【課題】被加工物の上面位置を計測する高さ位置計測装置およびレーザー加工機を提供する。
【解決手段】発光源からの光を第１の経路に導き、反射光を第２の経路に導く光分岐手段と、第１の経路に導かれた光を平行光に形成するコリメーションレンズによって平行光に形成された光を被加工物に導く対物レンズと、コリメーションレンズと対物レンズとの間に配設され、対物レンズ側の端面に反射ミラーが形成され、光路長を伸ばす透明体からなる円筒状の基準光路長設定部材と、反射ミラーによって反射し第１の光分岐手段から第２の経路に導かれた反射光と、被加工物で反射し第１の光分岐手段から第２の経路に導かれた反射光との干渉を回折する回折格子と、回折した反射光の所定の波長域における光強度を検出するイメージセンサーからの検出信号に基づいてチャックテーブルの表面から被加工物の上面までの距離を求める制御手段とを具備している。 （もっと読む）

【課題】 レーザビームにより被加工物の切断加工を行うレーザ加工方法において、ピアシング穴径を縮小し、飛散する溶融金属量を低減し、かつ短時間で貫通穴を形成するレーザ加工方法を得る。
【解決手段】 第１のピアシング条件にてビームを照射する第１の工程と、一旦ビーム照射を停止する第２の工程と、第２のピアシング条件にて再度ビームを照射する第３の工程からピアシング加工を行うことにより、ピアシング中における酸化燃焼反応を抑制し、飛散する溶融金属量を低減させる。 （もっと読む）

【課題】レーザ光が照射された時の加工点からの光強度のモニタリング精度を向上させること。
【解決手段】レーザ光線２を生成するレーザ発振器１と、加工レンズ４にて集光されたレーザ光線２を加工ノズル１１を介して被加工物１２に照射するとともに、加工ノズル１１を介してアシストガスを供給する加工ヘッド５と、レーザ光線２が照射された時の加工部分からの光を検出する光センサ６ａ、６ｂと、レーザ光線２の照射開始時から被加工物１２の溶融開始時までを処理区間として設定し、処理区間内における光センサ６ａ、６ｂによる検出結果に基づいてレーザ光線２の位置を推定する信号処理装置９とを設ける。 （もっと読む）

【課題】レーザ光を用い、基板内において交差する方向に複数の改質領域を形成する場合に、基板に形成された電子素子の劣化を抑制する。
【解決手段】ウエハ状の基板１１の基板表面１１ａに複数の半導体発光素子２１を構成する積層半導体層１２が形成された素子群形成基板２０に対し、基板裏面１１ｂ側からレーザ光６４を照射し、基板１１の内部に、基板１１の面に沿うｙ方向に向かう第１改質領域Ｌ１、第３改質領域Ｌ３と、基板１１の面に沿い且つｙ方向とは異なるｘ方向に向かう第２改質領域Ｌ２、第４改質領域Ｌ４とを形成する改質領域形成工程において、基板１１の基板表面１１ａに近い側から遠い側（基板裏面１１ｂに遠い側から近い側）に向けて順番に、第１改質領域Ｌ１、第２改質領域Ｌ２、第３改質領域Ｌ３および第４改質領域Ｌ４の順で形成する。 （もっと読む）

【課題】レーザ光を用い、基板内において交差する方向に複数の改質領域を形成する場合に、基板に形成された電子素子の劣化を抑制する。
【解決手段】ウエハ状の基板１１の基板表面１１ａに複数の半導体発光素子２１が形成された素子群形成基板２０に対し、基板１１の基板裏面１１ｂ側からレーザ光６４を照射することで、基板１１の内部に、基板１１の面に沿うｙ方向（第１方向に対応）に向かう第１改質領域Ｌ１および第３改質領域Ｌ３と、基板１１の面に沿い且つｙ方向とは異なるｘ方向（第２方向に対応）に向かう第２改質領域Ｌ２および第４改質領域Ｌ４とを形成する改質領域形成工程において、基板の基板裏面１１ｂからの深さを異ならせて、第１改質領域Ｌ１、第２改質領域Ｌ２、第３改質領域Ｌ３および第４改質領域Ｌ４を形成する。 （もっと読む）

【課題】極端な高低差を有する異形状部が形成されたワークにおいて、レーザー加工により適切な深さに改質層を形成することができる分割方法を提供すること。
【解決手段】孔部５３を有する半導体ウェーハＷに対して分割予定ライン５１上の孔部５３の形成範囲を検出し、検出光線を半導体ウェーハＷの分割予定ライン５１上に照射して、孔部５３の形成範囲を含む所定区間を除いて半導体ウェーハＷからの反射光強度に集光レンズ４６を追従させることで半導体ウェーハＷの分割予定ライン５１上の表面高さ位置を検出し、表面高さ位置に基づいてレーザー光線の焦点を移動させながら半導体ウェーハＷ内で集光させることによって分割予定ライン５１に沿って連続的に改質層を形成する構成とした。 （もっと読む）