【課題】パルスレーザビームの照射条件を最適化することで、表面に金属膜が形成される被加工基板について、優れた割断特性を実現するレーザダイシング方法を提供する。
【解決手段】表面に金属膜を備える被加工基板のレーザダイシング方法であって、被加工基板をステージに載置し、金属膜に対してデフォーカスされたパルスレーザビームを照射し、金属膜を剥離する金属膜剥離ステップと、被加工基板の金属膜が剥離された領域にパルスレーザビームを照射し、被加工基板にクラックを形成するクラック形成ステップを有
することを特徴とするレーザダイシング方法。 （もっと読む）

【課題】切断された加工対象物の切断面において少なくとも可視光および近赤外光に対して不透明な領域の形成を低減でき、上記加工対象物の、切断のためのレーザ光の入射面において、該レーザ光に起因する熱源の発生を抑制することが可能なレーザによる割断方法、レーザ割断装置、およびレーザ光発生装置を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態に係るレーザによる割断方法は、加工対象物３４の内部に割断予定線に沿って、改質領域を形成し（ステップＳ４１）、加工対象物３４の内部において、フェムト秒レーザにより、光吸収率増加領域を形成し（ステップＳ４２）、光吸収散る増加領域が元に戻る前に、加工対象物３４に対して透明なナノ秒レーザを加工対象物３４に照射し、光吸収率増加領域にナノ秒レーザを吸収させて、割断予定線に沿って加工対象物３４を切断する（ステップＳ４３）。 （もっと読む）

【課題】製造ロットが相違したり製造メーカーが異なるサファイア基板であっても適正な改質層を形成することができるサファイア基板の加工方法を提供する。
【解決手段】パルスレーザー光線を照射し、サファイア基板の内部に改質層を形成する加工方法であって、サファイア基板の特性に対応して少なくとも２種類の加工条件を設定する加工条件設定工程と、加工条件が設定されたサファイア基板を判別するための判別条件設定工程と、設定された判別条件に基づいてサファイア基板を判別し、サファイア基板の該加工条件設定工程において設定された少なくとも２種類の加工条件から一つの加工条件を決定する加工条件決定工程と、加工条件決定工程において決定された加工条件に従ってレーザー光線の集光点をサファイア基板の内部に位置付けて分割予定ラインに沿って照射し、サファイア基板の内部に分割予定ラインに沿って改質層を形成する改質層形成工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】被加工物にレーザビームによるダメージを与えることなく精度良くバリを除去するバリ除去方法を提供する。
【解決手段】レーザ照射装置のレーザ照射範囲にバリ２および表面部１ａが含まれるように被加工物１を載置するとともに、レーザ照射装置から照射するレーザビームＬの焦点位置Ｐをバリ２よりも遠い位置に設定し、バリ２および表面部１ａに対してレーザ照射装置からレーザビームＬを照射する。レーザビームＬを確実にバリ２に照射して当該バリ２を精度良く除去することができ、また、表面部１ａではレーザビームＬが乱反射しレーザビームＬの強度が適度に弱められるので、被加工物１にレーザビームＬによるダメージが与えられない。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、過剰酸素によるセルフバーニング等による切断面への悪影響を防止し、切断に寄与しない酸素ガスを低減し、加工精度を維持することを目的としている。
【解決手段】 被切断材２にレーザ光３ａを照射すると共に、該レーザ光３ａを照射した切断点２ａ及びその近傍に酸素ガスを噴射しつつ切断するレーザ切断装置１であって、レーザ光３ａを出射するノズル口４の周囲に設けた複数のノズル口５と、該複数のノズル口５のうちで切断点２ａよりも切断進行方向の前後に配置されるノズル口５を判断する制御部と、該制御部６により判断された切断点２ａよりも切断進行方向の前後に配置されるノズル口５に高圧の酸素ガスを供給すると共に、該切断進行方向の前後以外の部位に配置されるノズル口５に低圧の酸素ガスを供給するガス供給部８を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】III−Ｖ族化合物半導体層を有するウェハを高精度かつ効率よく切断する。
【解決手段】発光素子の製造方法は、基板の表面上にIII−Ｖ族化合物半導体からなる半導体層が積層されたウェハの基板の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射することにより改質領域を形成し、この改質領域によって、ウェハをチップ状に切断するための切断予定ラインに沿って基板のレーザ光入射面から所定距離内側に切断起点領域を形成し、切断起点領域に沿ってウェハを切断する工程を備える。 （もっと読む）

【課題】基本波の波長が赤外域の超短パルスレーザ光でレーザ加工を行う際に、被加工物上に堆積するデブリがより少ないレーザ加工を実現すること。
【解決手段】レーザ発振器１から出射されるパルスレーザ光を、シリコンを主成分とする被加工物１５に照射することでレーザ加工を行う際に、パルスレーザ光は、パルス幅が３０フェムト秒以上１００ピコ秒以下、かつ基本波の波長が赤外域のものとする。加工する際には、パルスレーザ光を透過する窓４ａを有するチャンバ４に被加工物１５を収納し、チャンバ４に六フッ化硫黄の反応性ガスを導入する。次いで、チャンバ４に導入した反応性ガスの分圧を１０ｋＰａ以上５００ｋＰａ以下に保ちながら窓４ａを介して被加工物１５にパルスレーザ光を照射することでレーザ加工を行う。 （もっと読む）

【課題】脆性材料で形成された被加工物をレーザビームのビームパターンによらずに安定して分割加工できる分割加工方法を得ること。
【解決手段】分割加工方法は、脆性材料で形成された被加工物に対しレーザビームを相対的に走査して局部的に溶融し蒸発させることにより、前記被加工物を分割する分割加工方法において、湾曲機構を備えたステージ台に、前記被加工物が分割予定線に沿って破壊応力未満の応力で前記湾曲機構により曲げられるように、前記被加工物を固定する固定ステップと、前記湾曲機構により曲げられた前記被加工物の前記分割予定線に沿ってレーザビームを相対的に走査させる切断ステップとを備えている。 （もっと読む）

【課題】互いに交差するスクライブ予定ラインに沿ってクロススクライブする際に、安定してスクライブ溝を形成でき、しかも後工程での角部の研磨加工を容易にする脆性材料基板のスクライブ方法を提供する。
【解決手段】脆性材料基板Ｇの互いに交差するスクライブ予定ラインＳＬに沿ってスクライブする方法であって、第１工程と第２工程とを含む。第１工程は、交差するスクライブ予定ラインＳＬの交点に、基板Ｇを貫通し、かつスクライブ予定ラインＳＬに沿って延びるエッジ１１ａ，１１ｂ，１１ｃ、１１ｄを有する貫通孔Ｈを形成する。第２工程は、基板Ｇのスクライブ予定ラインＳＬに沿ってレーザ光を照射して加熱するとともに、加熱された領域を冷却し、貫通孔Ｈを起点としてスクライブ予定ラインＳＬに沿って亀裂を進展させる。 （もっと読む）

【課題】 レーザビームの照射によって煙が発生しても集光器の対物レンズが汚染されることのないレーザ加工装置を提供することである。
【解決手段】 被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物に対して透過性を有する波長のレーザビームを照射するレーザビーム照射手段と、該チャックテーブルと該レーザビーム照射手段とを相対的に加工送りする加工送り手段とを備えたレーザ加工装置であって、該レーザビーム照射手段は、レーザ発振器と、該レーザ発振器が発振したレーザビームを集光し被加工物の内部に集光点を位置付けて被加工物の内部に改質層を形成する集光器とを含み、該集光器に隣接して配設され、該チャックテーブルに保持された被加工物のレーザビームが照射される領域に向けてガスを噴射するノズルを有するガス噴射手段を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）