【課題】良好な溶接品質を得ることができるタンデムパルスアーク溶接制御装置を提供することを目的とする。
【解決手段】タンデムパルスアーク溶接制御装置３，３ａは、パルス波形選択回路３２と、電圧検出器１８ｂと、電圧設定器２４ｂと、パルスピーク電流基準値設定回路３６と、パルスベース電流基準値設定回路３８と、パルスピーク電流増減値とパルスベース電流増減値とを算出する誤差増幅器２５ｂと、パルスピーク電流増減値とパルスピーク電流基準値とを加算してパルスピーク電流値を算出する加算器３７と、パルスベース電流増減値とパルスベース電流値を算出する加算器３９と、パルスピーク期間のときはパルスピーク電流値を出力し、パルスベース期間のときはパルスベース電流値を出力するパルス波形選択回路４０と、第２溶接ワイヤ１９ｂの電流値を制御する出力制御回路３５ｂとを備える。 （もっと読む）

【課題】下板および立板からなる水平すみ肉溶接用部材の該立板が傾斜した、すみ肉角度が９０°超の水平すみ肉部の溶接を行う片側水平すみ肉ガスシールドアーク溶接方法において、仮付け溶接ビードが有る箇所においても深い溶け込みが得られ、スパッタ発生量の少ない方法を提供する。
【解決手段】ソリッドワイヤを用いて、ワイヤ送給速度：１５〜１７ｍ／ｍｉｎ、パルスピーク電流（Ｉｐ）：４８０〜６００Ａ、パルスベース電流（Ｉｂ）：３０〜８０Ａ、パルス周波数：２００〜３００Ｈｚで、かつパルスピーク電流（Ｉｐ）とパルスピーク時間（Ｔｐ）が下記（１）式を満足するパルスを付加して溶接を行う。４８０≦Ｉｐ［Ａ］×Ｔｐ［ｍｓｅｃ］≦９００・・・・（１） （もっと読む）

【課題】スパッタ発生量を抑制しつつ、高効率溶接を行うことが可能なＧＭＡ溶接方法を提供すること。
【解決手段】シールドガスＳＧ中を溶接母材ＷＰに向けてワイヤＷを送給しつつ、ワイヤＷに接触させた第１コンタクトチップ２と溶接母材ＷＰとの間にアーク電圧を印加することによりアークＡｃを発生させる、ＧＭＡ溶接方法であって、第１コンタクトチップ２と溶接母材ＷＰとの間にパルス電流としての第１ＧＭＡ溶接電流Ｉｗａを流すとともに、ワイヤＷに接触させた第２コンタクトチップ３と溶接母材ＷＰとの間に、その電流値が一定値に制御された一定電流として第２ＧＭＡ溶接電流Ｉｗｂを流す。これにより、ワイヤＷのスムーズな溶滴移行とアークＡｃの長さの適正化が可能であり、スパッタ飛散量が少ない安定した高効率溶接を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】消耗電極式パルスアーク溶接において、外乱によるアーク長の変動を正確に抑制する技術を提供する。
【解決手段】溶接制御装置は、式（１）のパラメータとして、溶接電源の外部特性Ｋｓ、第２パルス期間における溶接電流設定値Ｉｓ２および溶接電圧設定値Ｖｓ２の各情報と、第２パルス期間において検出された溶接電流の瞬時値Ｉｏ２および溶接電圧の瞬時値Ｖｏ２の各情報とに基づいて、パルス周期において第１パルス期間を終了して第２パルス期間を開始した時点から、式（１）で表す電圧誤差積分値Ｓｖ２の演算を開始する積分器と、演算の結果、電圧誤差積分値Ｓｖ２の値が０と等しくなったか否か比較する比較器と、パルス周期毎に、電圧誤差積分値Ｓｖ２の値が０と等しくなった時点で、当該パルス周期を終了して次回のパルス周期を開始する波形生成器とを備える。Sv2=∫{Ks(Io2-Is2)+Vs2-Vo2}dt…式（１） （もっと読む）

【課題】ハンピングピードおよび蛇行ビードといった不当な溶接ビードの発生を抑制する。
【解決手段】本発明のプラズマＧＭＡ溶接方法は、溶接トーチ２を通して溶接母材Ｐに向けて送給されるワイヤＷと溶接母材Ｐとの間にパルス波形のＧＭＡ溶接電流Ｉｗｍを流すことによりＧＭＡアーク１３を発生させるとともに、ワイヤＷを囲むように供給されるガスＧｃを介して溶接トーチ２と溶接母材Ｐとの間にプラズマ溶接電流Ｉｗｐを流すことによりプラズマアーク３２を発生させる方法であり、ＧＭＡ溶接電流Ｉｗｍのピーク電流値Ｉｍｐおよびベース電流値Ｉｍｂを、ＧＭＡ溶接電流Ｉｗｍの平均電流値Ｉｍａが変化されるときに変化する変化区間を有し、かつ平均電流値Ｉｍａがある値に設定されるときのピーク電流値Ｉｍｐおよびベース電流値Ｉｍｂが、平均電流値Ｉｍａより小さい値が設定されるときのピーク電流値Ｉｍｐおよびベース電流値Ｉｍｂ以上であるように設定する。 （もっと読む）

【課題】２ワイヤ溶接方法において、磁気吹きの発生によるアーク切れを抑制すること。
【解決手段】消耗電極と母材との間にピーク電圧Ｖｐの印加とベース電圧Ｖｂの印加とを１周期として繰り返すことによって溶接電流Ｉｗを通電してアークを発生させて溶融池を形成すると共に、フィラーワイヤを前記溶融池に送給しながら溶接を行う２ワイヤ溶接制御方法において、前記ベース電圧Ｖｂの上昇によって前記アークに磁気吹きが発生していることを判別（時刻ｔ４２）し、前記磁気吹きの発生を判別したときは前記フィラーワイヤに前記溶接電流Ｉｗと同一方向の電流Ｉｆを通電することによって磁気吹きを解消（時刻ｔ４３）させる。溶接ワイヤ及びフィラーワイヤに同一方向の電流が通電するために、磁気吹きによって偏向したアークに吸引力が作用して、アークの偏向を正常化する。 （もっと読む）

【課題】シールドガスの混合比率及びチップ・母材間距離が変化しても安定したアーク状態を維持することができるパルスアーク溶接方法を提供すること。
【解決手段】第１ピーク期間Ｔｐ１中の第１ピーク電流Ｉｐ１の通電及び第２ピーク期間Ｔｐ２中の第２ピーク電流Ｉｐ２（＜Ｉｐ１）の通電及びベース期間Ｔｂ中のベース電流Ｉｂの通電とを１パルス周期として繰り返して溶接するパルスアーク溶接方法において、チップ・母材間距離が基準値よりも短くなったときは基準値とチップ・母材間距離との差に応じて前記第１ピーク電流値Ｉｐ１を増加させ、チップ・母材間距離が基準値よりも長くなったときは基準値とチップ・母材間距離との差に応じて前記第２ピーク電流値Ｉｐ２を減少させる。これにより、チップ・母材間距離の変化に伴う溶滴形成入熱の変化を補償して、良好な溶滴移行状態を維持することができる。 （もっと読む）

【課題】ワイヤが必要以上に軟化するのを抑制して安定したＧＭＡアークを発生させる。
【解決手段】本発明のプラズマＧＭＡ溶接方法は、ワイヤＷと溶接母材Ｐとの間にパルス波形のＧＭＡ溶接電流Ｉｗｐを流すことによりＧＭＡアーク３１を発生させるとともに、溶接トーチ２と溶接母材Ｐとの間にプラズマ溶接電流を流すことによりプラズマアーク３２を発生させる方法であって、ＧＭＡ溶接電流Ｉｗｍのパルスピーク電流値Ｉｍｐおよびパルスベース電流値Ｉｍｂを、プラズマ溶接電流Ｉｗｐを変化させるときにパルスピーク電流値Ｉｍｐおよびパルスベース電流値Ｉｍｂが変化する変化区間を有し、かつプラズマ溶接電流Ｉｗｐがある値に設定されるときのパルスピーク電流値Ｉｍｐおよびパルスベース電流値Ｉｍｂが、当該プラズマ溶接電流Ｉｗｐより小さい値が設定されるときのパルスピーク電流値Ｉｍｐおよびパルスベース電流値Ｉｍｂ以下であるように設定する。 （もっと読む）

【課題】消耗電極式の交流アーク溶接において、アークスタート直後にアーク切れが頻繁に発生する場合がある。
【解決手段】ワイヤ送給速度がスローダウンワイヤ送給速度から定常溶接ワイヤ送給速度に到達するまでの期間または定常溶接ワイヤ送給到達して所定時間後まで直流アーク溶接制御で出力し、その後、ワイヤ送給速度が一定の定常溶接ワイヤ送給速度となった安定した状態で交流アーク溶接制御に切り替えることでアーク切れを抑制する。 （もっと読む）

【課題】低周波の切換周波数でアーク長を周期的に揺動させて溶接するアーク長揺動パルスアーク溶接方法において、溶接開始部分のビードに発生するブローホールを低減すること。
【解決手段】溶接ワイヤを送給すると共に、ピーク期間ＨＴｐ、ＬＴｐ中のピーク電流ＨＩｐ、ＬＩｐ及びベース期間ＨＴｂ、ＬＴｂ中のベース電流ＨＩｂ、ＬＩｂを交互に繰り返して通電し、切換周波数で前記ピーク期間及び／又はピーク電流を変化させることによってアーク長を周期的に揺動させて溶接を行うアーク長揺動パルスアーク溶接制御方法において、溶接開始時点から予め定めた初期期間Ｔｓ中は、前記切換周波数（初期周波数ｆｓ）をそれ以降の定常期間の予め定めた定常周波数ｆｔよりも低い値に設定する。これにより、溶接開始時の溶融池を十分に撹拌することができ、ブローホールの発生を低減することができる。 （もっと読む）