【課題】高分子駆動器を含む微小バルブ構造体及びラボオンチップモジュールを提供する。
【解決手段】微小バルブ構造体は基板１０上に配置される柔軟構造物２０及び柔軟構造物２０内に挿入される高分子駆動器４０を含むことができる。この時、柔軟構造物２０は微小流路３５を定義するバルブ部２５を有し、高分子駆動器４０は柔軟構造物２０によって微小流路３５から分離される。さらに、高分子駆動器４０はバルブ部２５の変位を制御することによって、微小流路３５の幅を変化させるように構成される。 （もっと読む）

【課題】集積化センサ装置を提供すること。
【解決手段】集積化センサ装置は、表面部分を含む第１の基板および積層構成で第１の基板の表面部分に結合される第２の基板を備え、そこでは空洞が、第１の基板と第２の基板との間に規定される。集積化センサ装置はまた、第１の基板内に少なくとも部分的に設置される１つまたは複数の微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）センサを備え、そこではＭＥＭＳセンサは空洞と連通する。集積化センサ装置はさらに、１つまたは複数のセンサを備える。 （もっと読む）

【課題】パッドとバンプとの接触端を起点にクラックが発生したとしても、該クラックによって半導体基板が受けるダメージを低減することができる構造を提供する。
【解決手段】第１半導体チップ１０において第１パッド部１２を貫通して第１絶縁層１１ｃに達する第１トレンチ１３を設け、第２半導体チップ２０において第２パッド部２２を貫通して第２半導体基板２１に達する第２トレンチ２３を設ける。そして、バンプ３０によって第１半導体チップ１０と第２半導体チップ２０とをフリップチップ接合する。このとき、各トレンチ１３、２３が、各パッド部１２、２２にバンプ３０が接触した接触面のうちの外縁部に配置されるようにする。これにより、該接触面において各トレンチ１３、２３よりも内側に進展するクラック１５、２５を阻止することができる。 （もっと読む）

【課題】静電気力で動作させるマイクロ機械素子における帯電量の変化に起因する駆動特性の変化を測定することを目的とする。
【解決手段】駆動電極１０ａ〜１０ｃを片側極性の電圧制御により動作させる静電駆動式のマイクロ機械素子１に対し、基準電極電圧を変化させることにより、擬似的に逆極性駆動を行って、マイクロ機械素子上の電荷の帯電量に起因する駆動特性の変化量を測定する。 （もっと読む）

【課題】 半導体集積回路の形成に用いるフォトマスクの加工修正など、ごく微小な加工に使用される微小加工装置用プローブおよび微小加工装置を提供する
【解決手段】 カンチレバー２２と、カンチレバー姿勢維持機構３０と、カンチレバー２２および前記カンチレバー姿勢維持機構３０に設けられた接触検知機構１０と、カンチレバー２２の基端部を先端部が自由端となるように片持ち状態で固定する本体部２３と、を備え、カンチレバー２２の先端には、尖鋭化された探針部２１がカンチレバー２２上から突出して設けられている微小加工装置用プローブとした。 （もっと読む）

医学的状態の処置、予防又は改善のために高アスペクト比マイクロデバイスを使用するシステム及び方法が提供される。 （もっと読む）

本発明は、微小流体用途のための分相複合物に関し、当該複合物の安定性を保証するために当該複合物の高さに対する或る比率の頂部層を得るように重合／相分離が行われる。
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ラボ・オン・チップ（LOC）およびマイクロ・トータル・アナリシス・システムズ（Micro Total Analyses Systems）の製造のための相互接続およびパッケージング方法が提供される。バイオセンサー、ヒーター、クーラー、バルブおよびポンプといった種々の機能が、電子的／機械的／流体的モジュール内に、超音波接合処理を使ったフリップチップ技術によって組み合わされる。チップ上での所定のポリマー環がシールのはたらきをする。
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【課題】 本発明の課題は、試薬を圧力調整された高圧下で反応させることができる加圧式マイクロリアクタシステムを提供することにある。
【解決手段】 本発明は、互いに反応し合う流体を流通させる微細な流路（合流流路１２）を有するマイクロリアクタ１０と、マイクロリアクタ１０に接続される圧力調整手段（冷却流路２１）とを備える加圧式マイクロリアクタシステム１であって、冷却流路２１が、流体を流通させる微細な流路で形成されていることを特徴とする。この加圧式マイクロリアクタシステム１では、冷却流路２１の圧力損失によってマイクロリアクタ１０の合流流路１２内の圧力が調整される。 （もっと読む）

【課題】 マイクロ化学チップの局部反応領域の大きさや形状に拘わらず、良好な温度制御が可能になる熱電装置を提供すること。
【解決手段】 下基板２１ａの下部電極２２ａと上基板２１ｂの上部電極２２ｂにそれぞれ熱電素子２３の端面を接合して熱電モジュール２０を構成し、この熱電モジュール２０をマイクロ化学チップ１１の局部反応領域１５ａ，１５ｂ，１５ｃにそれぞれ取り付けて熱電装置１０を構成した。そして、局部反応領域１５ａ等と熱電モジュール２０との間に局部温調ヒートシンク部１２ａ，１２ｂ，１２ｃを設けた。この局部温調ヒートシンク部１２ａ等は、上面を局部領域１５ａ等に沿わせて形成し、下面を熱電モジュール２０の上基板２１ｂに沿わせて形成した。また、局部反応領域１５ａ等を高熱伝導性を有する箔層で構成した。 （もっと読む）