【課題】 本発明の目的は、射出成形で得られる樹脂基板をマイクロ流路デバイスとして用いる場合であってもウェルドラインの発生が問題とならないようなマイクロ流路デバイスの製造方法を提供することにある。
【解決手段】 本発明のマイクロ流路デバイスの製造方法は、一方の面に流路用溝が形成された樹脂基板と、前記流路用溝が形成された面を覆うように配置される樹脂フィルムとを、貼り合わせて接合体を得る貼着工程と、前記接合体を加熱処理する加熱工程とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】樹脂封止型の半導体装置の信頼性低下を抑制する。
【解決手段】キャップ（部材）２とキャビティ部（空間形成部）５ｄを備えるキャップ（部材）５を重ね合わせて接合することで、密封された空間８が形成され、空間８内にセンサチップ（半導体チップ）１および複数のワイヤ４を配置する半導体装置を以下のように製造する。キャップ２とキャップ５の接合部を封止する封止工程において、キャップ５の上面５ａ全体と、キャップ２の下面２ｂ全体がそれぞれ露出するように樹脂から成る封止体９を形成する。これにより、封止工程において、キャップ５を押し潰す方向に作用する圧力を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスの製造方法において、封止用のキャビティ内の真空度を高めることを目的とする。
【解決手段】シリコンを含む第１の基板１１の一方の主面１１ａ側に可動部１４ａを形成する工程と、シリコンを含む第２の基板２０の一方の主面２０ｃ側にキャビティ２０ｂを形成する工程と、第１の基板１１と第２の基板２０の少なくとも一方の主面に、酸素及び窒素のいずれかの原子を含むプラズマを照射する工程と、プラズマを照射した後、キャビティ２０ｂを可動部１４ａに対向させた状態で、第１の基板１１と第２の基板２０の各々の主面同士を真空中で接合することにより、キャビティ２０ｂ内を真空に保ちつつ、可動部１４ａを第２の基板２０で封止する工程と、封止の後、シリコンと上記原子とが反応する温度以上の温度に第１の基板１１と第２の基板２０をアニールする工程とを有する電子デバイスの製造方法による。 （もっと読む）

【課題】ウェハ貫通ビア（ＴＷＶ）を使用した相互接続において、ダイ区域の消費を低減し、ダイ区域を利用可能とする、バッチ製作された３Ｄ相互接続を提供する。
【解決手段】１つまたは複数の垂直相互接続を製作する。ウェハ積層体を形成するために複数のウェハをパターニングおよび積層するステップを含む。ウェハ積層体の１つまたは複数の切断刃の通り道内でウェハ積層体に複数の開口を形成し、導電性材料を複数の開口の側壁に堆積させる。ウェハ積層体は、側壁の導電性材料が、結果として得られる積層ダイの縁部部分に露出されるように、１つまたは複数の切断刃の通り道に沿い、複数の開口を通ってダイシングする。 （もっと読む）

【課題】基板を貫通するトレンチによって複数の部分領域に分割されてなる領域分割基板およびそれを用いた半導体装置ならびにそれらの製造方法であって、部分領域の側壁に導電層を形成するメリットだけを享受して、該導電層の形成に伴う悪影響を排除することのできる領域分割基板およびそれを用いた半導体装置ならびにそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】基板３０の第１表面Ｓ１から第２表面Ｓ２に亘って、当該基板３０を貫通するように形成されたトレンチ３１ａによって、当該基板３０が複数の部分領域Ｃｅ，Ｃｅａ〜Ｃｅｄ，Ｃｅｋ，Ｃｅｌに分割され、前記複数の部分領域のうち、一部の部分領域Ｃｅａ〜Ｃｅｄの側壁に、第１表面Ｓ１の側から第２表面Ｓ２の側に亘って、当該基板３０より高い導電率を有する導電層３５が形成され、トレンチ３１ａに絶縁体３１ｂが埋め込まれてなる領域分割基板Ａ２０とする。 （もっと読む）

【課題】機能部を有する機能性素子が配線基板上に搭載されるとともに、少なくとも配線基板と機能性素子との接合部を保護するための封止層が設けられている電子部品において、封止層の機能部への侵入を防止し、当該機能部が動作できるような空間を、電子部品のサイズを大型化させることなく、また工程数を増大させることなく形成する。
【解決方法】配線基板の導電層における非接続領域を保護するための保護層を、前記配線基板の主面上において、前記配線基板上に搭載した機能性素子と相対向する位置であって、その機能部と相対向する位置を除く領域にまで延在させ、封止層を配線基板と機能性素子との接合部から前記機能性素子の前記機能部にまで延在させることなく、前記配線基板の前記主面と前記機能部との間に空隙を形成するようにして、電子部品を構成する。 （もっと読む）

【課題】駆動の安定性及びハンドリング性を向上させたプレーナ型アクチュエータ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】枠状の固定部４と、固定部４の内側に形成されるトーションバー５ａ，５ａ、５ｂ，５ｂと、各トーションバーを介して固定部４に回動可能に軸支され駆動手段により駆動される可動部６ａ，６ｂとを第１半導体基板７で一体形成して備えたアクチュエータ部２と、第２半導体基板１０で形成され固定部４介してアクチュエータ部２を支持する支持部３とを有し、第１半導体基板７として、少なくとも各トーションバーに対応する部位に各トーションバーに応じた厚さが残るように予め溝部９ａ，９ｂが形成されたキャビティー基板を用いて形成したプレーナ型アクチュエータ１において、第２半導体基板１０で形成された支持部３を、固定部４と異なる形状に形成する。 （もっと読む）

【課題】支持部材の上に半導体素子を実装した半導体装置において、半導体素子の高さを小さくでき、ひいては半導体装置を低背化することのできる製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉウエハの上に複数個の音響センサ５１を設ける。Ｓｉウエハ７４を用いて空洞７０や貫通電極６５、６６などを有する複数個のインターポーザ５２を一体に形成する。複数個の音響センサ５１の、Ｓｉウエハと反対側の面を複数個のインターポーザ５２に接合一体化する。この後、音響センサ５１とインターポーザ５２が接合一体化された状態において、音響センサ５１のＳｉウエハを研磨してＳｉウエハの厚みを薄くする。この後、接合されたままで１個１個に分割された単体の音響センサ５１及びＳｉウエハを、信号処理回路とともにパッケージ内に実装する。 （もっと読む）

【課題】可動基板をエッチングする際の深さ寸法のばらつきを抑制し、保持部の厚み寸法の精度を向上できる干渉フィルターの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の干渉フィルターの製造方法は、固定基板と、可動部５２１および保持部５２２を備えた可動基板５２と、固定反射膜と、可動反射膜５７と、を備える干渉フィルターの製造方法であって、固定基板を製造する固定基板製造工程と、可動基板５２を製造する可動基板製造工程と、固定基板と可動基板５２とを接合する基板接合工程と、を備え、前記可動基板製造工程は、第一母材５２４Ａおよび第二母材５２５Ａを、プラズマ重合膜５２６Ｃを介して接合させる母材接合工程と、プラズマ重合膜５２６Ｃをエッチングストッパーとして、第二母材５２５Ａをエッチングして、保持部５２２を形成する保持部形成工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】端面実装センサを提供すること。
【解決手段】回路基板上に側面実装するためのセンサデバイス・パッケージを作るセンサパッケージおよび方法。シリコンの機械層（２５）中のセンサデバイスは、第１と第２のガラス層（２４、２６）の間にサンドイッチ状に挟まれてウェーハを作る。シリコンの機械層の予め定められた領域を露出させるために、第１のビア（３０）が第１または第２の層に作られる。第２のビア（１０２）が、第１または第２の層に作られる。少なくとも１つの第２のビアは、第１のビアの深さ寸法よりも小さな深さ寸法を有する。機械層の露出領域と第２のビアの一部の間に金属トレース（７０、７２）が付けられる。ウェーハは、第２のビアが２つの部分に分けられるようにスライスされ、それによってセンサダイが作られる。次に、センサダイは、スライスされた第２のビアのところで回路基板に電気的かつ機械的に結合される。 （もっと読む）