【課題】高い信頼性を有する電子デバイスを提供する。
【解決手段】本発明に係る電子デバイス１００は、基体１０と、基体１０上に載置されている機能素子１０２と、基体１０上に機能素子１０２を覆って載置されているシリコンの蓋体２０と、を含み、蓋体２０には、貫通孔４０と、貫通孔４０を塞ぐ封止部材６０と、が設けられ、貫通孔６０は、基体１０側の第１開口４１の面積よりも、第１開口４１と反対側の第２開口４２の面積の方が大きく、貫通孔４０の体積に対する封止部材６０の体積の比率は、３５％以上８７％以下である。 （もっと読む）

【課題】断熱構造を持つマイクロ流体デバイスを提供する。
【解決手段】半導体基板と、半導体基板内の少なくとも１つのマイクロリアクタ１０５と、半導体基板内でマイクロリアクタに接続された１つ以上のマイクロ流体チャネル１０１と、マイクロ流体チャネルを封止するための、半導体基板に接合されたカバー層と、マイクロリアクタ及びマイクロ流体チャネルを包囲する基板貫通トレンチ１００とを備えたマイクロ流体デバイス１０４であって、基板貫通トレンチは空隙であるか、または断熱材料で充填されている、マイクロ流体デバイス （もっと読む）

【課題】小型で、高速応答性に優れ、大きく変位することが可能なアクチュエーターを提供すること、このようなアクチュエーターを容易に製造可能な製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明のアクチュエーターは、複数の電極１１と、複数のカチオン交換樹脂膜１２と、複数のアニオン交換樹脂膜１３と、の積層体で構成され、カチオン交換樹脂膜１２とアニオン交換樹脂膜１３とが交互に積層されており、カチオン交換樹脂膜１２およびアニオン交換樹脂膜１３は、それぞれ、２つの電極１１で挟持されており、隣り合うカチオン交換樹脂膜１２とアニオン交換樹脂膜１３との間の電極１１が、同じ極性となるように電圧が印加されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】一体化されたＭＥＭＳおよび半導体電気回路センサを提供すること。
【解決手段】ＭＥＭＳセンサであって、第一の層と、基層と、該第一の層と該基層との間に配置された第一の絶縁層と、該第一の層と該基層と該第一の絶縁層のうちの任意の層に形成された空洞であって、該第一の層は半導体電気回路の基板であり、アクティブなＭＥＭＳ要素として存在する、空洞とを備えている、ＭＥＭＳセンサ。本発明の一実施形態において、上記第一の層内にインプラントエリアがさらに備えられ得る。 （もっと読む）

【課題】構造設計が容易であり、体格の増大と、熱応力による検出精度の低下とが抑制された半導体装置、及び、その製造方法を提供する。
【解決手段】母基板（１０）と、母基板（１０）に連結された複数の子基板（３０）と、子基板（３０）に形成された素子と、を有する半導体装置であって、母基板（１０）と子基板（３０）とを連結する連結部（５０）を有し、複数の子基板（３０）の内、ある子基板（３０）に形成された素子は、互いに対向する可動電極と固定電極から成るコンデンサを有し、該コンデンサの静電容量変化に基づいて物理量を検出するセンサ部（４０）であり、任意の子基板（３０）と母基板（１０）とを連結する連結部（５０）と、任意の子基板（３０）とは異なる子基板（３０）と母基板（１０）とを連結する連結部（５０）とは、高さ方向の長さが異なり、複数の子基板（３０）は、高さ方向に並んでいる。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳの製造における応力を軽減する。
【解決手段】ＭＥＭＳ１２は、ＭＥＭＳの上方に支持層を形成することによって部分的にボンディングウェハに取付けられる。第１共晶層は支持層の上方に形成される。応力を軽減するために、第１共晶層はセグメント２４、２６、２８、３０にパターン化される。第２共晶層３４はボンディングウェハの上方に形成される。共晶接合がセグメントおよび第２共晶層で形成され、ボンディングウェハがＭＥＭＳに取付けられる。 （もっと読む）

【課題】導電性が皆無又はほとんど無い活性層を必要とする構造を低コストで製造可能なＭＥＭＳ構造およびその製造方法を提供する。
【解決手段】マイクロシステム又はナノシステム型デバイスは、可動部分１２０を有する第１基板１００と、第２基板２００と、第１基板及び第２基板の間に配置されている第１電極１０２及び誘電層１０１とを備えている。第１基板１００が、第１電極１０２に対して当接している導電性材料により充填されている貫通状態の縦導電経路１１１を有する。 （もっと読む）

【解決課題】特殊な技術や装置を必要とせず、接合の際に電気的な接続を歩留まりよく確立可能な、パッケージされたデバイス及びパッケージング方法並びにそれに用いられるパッケージ材の製造方法を提供する。
【解決手段】電子回路、ＭＥＭＳその他のデバイスを搭載したデバイス基板１０と、ビア配線２１を配設してかつキャビティ２２を有するパッケージ材２０とを接合して成る。ビア配線２１と一体化した接続用バンプ２４がキャビティ２２内に突出しており、かつデバイスに接続された配線接続用パッド１２が接続用バンプ２４と対向して接続していることにより、接続用バンプ２４を経由してデバイスがビア配線２１に配線接続している。 （もっと読む）

【課題】ミラー面の鏡面性と製造歩留りに優れたＭＥＭＳ走査型ミラーの製造方法を提供する。
【解決手段】空洞HOが形成されるハンドル層Hと表面が鏡面仕上げされたデバイス層B、Ｔとがシリコン酸化膜を介して接合されたウエハを準備する工程、デバイス層にＭＥＭＳ走査型ミラーの下層構成要素に対応しかつデバイス層に形成すべき下層構造体を形成する工程、下層構造体形成後のウエハのデバイス層にシリコン酸化膜を介して上層のデバイス層を形成するためのウエハを接合する工程、上層のウエハを加工して所定厚さの上層のデバイス層を形成する工程、上層のデバイス層にＭＥＭＳ走査型ミラーの上層構成要素に対応しかつ上層のデバイス層に形成すべき上層構造体を形成する工程、ハンドル層Hに空洞を形成する工程、下層構造体のシリコン酸化膜を除去してＭＥＭＳ走査型ミラーを完成させる工程とからなる。 （もっと読む）

【課題】応力が過度に集中する鋭角な部分や直角な部分が形成されていない断面形状を有するマイクロ流路基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のマイクロ流路基板１０は、内部にマイクロ流路１１が設けられたマイクロ流路本体１５を備え、マイクロ流路１１の天井部とマイクロ流路１１の内側壁が交わる第１の角部１６、およびマイクロ流路１１の底部と内側壁が交わる第２の角部１７が曲面をなしていることを特徴とする。 （もっと読む）