【課題】基板と蓋との密着性が良好で、かつ外観不良のないマイクロチップを提供する。
【解決手段】表面に流路を有するマイクロチップ基板及び／又は当該基板と密着する平面を有する蓋に有機溶剤を塗布した後、前記基板と前記蓋とを重ね合わせて、両者を接合する方法であって、前記基板及び前記蓋が、いずれも極性基を有しないノルボルネン系重合体からなるものであり、前記有機溶剤として溶解パラメータ（ＳＰ値）が８〜９であるエーテル化合物を用いる接合方法により、マイクロチップを製造する。 （もっと読む）

【課題】マスクの位置合せが不要で、マスクの位置ズレがなく、製造コストの低廉なマイクロ流体回路の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、透明な上プラスチック基板を、光吸収性の下プラスチック基板に積層し、上プラスチック基板を通して光を照射することにより上プラスチック基板と下プラスチック基板とを溶着して接合するマイクロ流体回路の製造方法であって、上プラスチック基板の底面および／または下プラスチック基板の天面に、マイクロチャネルを有し、上プラスチック基板を通して光を照射するとき、マイクロチャネルへの光の透過量が減衰する光減衰領域を上プラスチック基板に形成する工程を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】可動板を互いに直交する２つの軸のそれぞれの軸まわりに安定して回動させることのできる光スキャナーおよび画像形成装置を提供すること。
【解決手段】貫通孔４１１に挿通された永久磁石８１１が、アライメント面４１Ｘ，４１Ｙに固定されることにより、永久磁石８１１を変位部４１の所望の位置に位置決めして固定することができる。詳しくは、永久磁石８１１のＸ軸方向寸法の中心およびＹ軸方向寸法の中心が、回動中心軸Ｘ１，Ｙ２の交点と一致させることができる。これにより、電源８１３，８３３からコイル８１２，８３２に交番電圧を印加することにより、永久磁石８１１が傾斜し、回動中心軸Ｙ２からずれることなく、駆動梁４３を捩じり変形させつつ、変位部４１が回動中心軸Ｙ２まわりに安定して傾斜する。これにより、可動梁４２は、回動中心軸Ｘ１からずれて傾いた屈曲をすることなく、可動部２を安定して回動させることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、薄型化を実現すると共に、接合された２つの半導体基板の導通配線を簡単に行うことができる電子デバイスおよび電子デバイスの製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明の電子デバイス１は、絶縁膜４１を介して、接合突部４２が突設された第１半導体基板２と、導電性接合材料を介して、第１半導体基板２の接合突部４２に溶着接合された第２半導体基板３と、接合方向において、接合突部４２および絶縁膜４１に貫通形成されたスルーホール５４と、溶着接合に伴ってスルーホール５４に充填された導電性接合材料により構成され、第１半導体基板２と第２半導体基板３とが同電位となるように導通する導通配線部４４と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】板上に慣性センサを取り付けるシステムおよび方法を提供する。
【解決手段】センサパッケージは基板層３２、３４、センサ層２４、およびセンサ層２４と基板層３２、３４との間に配置される絶縁層２６、２８を有し、基板層３２、３４の１つにＶ溝が非等方性エッチングにより形成される。基板層３２、３４は１００結晶面方位にある。センサパッケージは、その後、ウェハから分離され、エッチングにより形成された基板層３２または３４の表面は、板に取り付けられる。一例において、検出軸が互いに垂直になるように３つのセンサパッケージが板に取り付けられる。 （もっと読む）

【課題】組立体の機械的脆弱性を防止しながらも、金属間化合物によってもたらされる長所、すなわち両対象の間の連結素子の融点が向上するという長所を有する2つの対象の新しいタイプの組立体を提供すること。
【解決手段】両対象の間に設けられた少なくとも1つの連結素子(108)を介して互いに一体となる2つの対象(102、106)の組立体であって、前記連結素子は少なくとも第1の材料部分(116)を含み、この材料部分は第1のろう付け用金属、および第1のろう付け用金属の融点より高い融点の第2の金属で形成される相の金属間化合物を備えており、前記連結素子は少なくとも第3の金属から構成される少なくとも第2の材料部分(118)をさらに含み、前記第2の材料部分は両対象に接触している組立体。 （もっと読む）

【課題】パッケージング応力による基板変形が無く、かつ安価なパッケージングが可能なＭＥＭＳデバイスアセンブリを提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳデバイスアセンブリ２０は、ＭＥＭＳダイ２２と、集積回路ダイ２４とを備える。また、ＭＥＭＳダイは、基板３８に形成されたＭＥＭＳデバイス３６とキャップ層３４とを備える。パッケージング処理は、基板３８にＭＥＭＳデバイス３６を形成することとＭＥＭＳデバイスが存在するカンチレバー基板台を形成するためにＭＥＭＳデバイスを包囲する基板の一部分を除去することを含み、キャップ層３４は基板に接続される。ＭＥＭＳダイは集積回路ダイに電気接続され、ＭＥＭＳダイ、集積回路ダイ、およびそれらを電気的に相互接続する相互接続部３０を実質的に封止するためにモールド成形化合物３２が施される。キャップ層はモールド成形化合物がＭＥＭＳデバイスと接触することを防止する。 （もっと読む）

【課題】デバイス構造が形成された基板と、これを封止する基板を陽極接合する際に電気的な接続を確実に行うことができる配線接続方法を提供する。
【解決手段】第１の基板４０と第２の基板４５とが陽極接合され、かつ前記第１の基板と前記第２の基板とが、純度９９．９質量％以上で、平均粒径０．００５μｍ〜１．０μｍの金、銀、白金及びパラジウムから選択される１種以上の金属からなる多孔質金属５１，５２を介して電気的に接続されたデバイス４、及び第１の基板の接続電極部及び第２の基板の接続電極部の少なくとも一方に多孔質金属（バンプ）を形成し、前記第１及び第２基板の接続電極部同士がバンプを挟んで対向するように前記第１及び第２基板を重ね合わせた後、両基板を陽極接合すると同時に多孔質金属を介して前記第１及び第２基板の接続電極部間を電気的に接続する配線接続方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、する封止型デバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の封止型デバイスは、固定部と前記固定部の内側に位置する可動部を有する第１基板と、前記第１基板の前記固定部及び前記可動部の上方を覆う第２基板と、前記第１基板の前記固定部と前記第２基板との間に配置され、前記第１基板と前記第２基板との間を封止する第１封止部材と、前記第１基板の前記固定部と前記第２基板との間に配置され、前記第１封止部材の外周部において前記第１基板と前記第２基板との間を封止する第２封止部材と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチングを用いてシリコン基板における凹部の底部に垂直な開口を設けることができるシリコン基板の加工方法を提供する。
【解決手段】第１の開口４の底部に、パターン開口１０を有するパターニングマスク１４’を用いて、プラズマを用いた反応性イオンエッチングにより第２の開口５を形成するシリコン基板の加工方法であって、前記プラズマに対する前記第１の開口内の露出を妨げる遮蔽構造１１’を前記シリコン基板内又は上に形成した状態で前記反応性イオンエッチングを行うシリコン基板の加工方法である。これにより、第２の開口の傾きの原因である、プラズマモールディング効果と呼ばれるシースの歪みを緩和することが出来る。 （もっと読む）