【課題】従来技術の封止方法の欠点が無い新規の封止方法を提供すること。
【解決手段】二つの要素(100、102)間の封止方法であって、前記二つの要素のうちの第一要素(100)の面に第一封止材料(104)を生成するステップと、前記二つの要素のうちの第二要素の一つの面に、前記第一封止材料とは異なる第二封止材料(108)を生成するステップと、前記二つの要素を、前記第一封止材料および第二封止材料の融解温度未満の温度Tcで前記封止材料が互いに押し付けられる熱圧着により、固定するステップと、を含み、前記第一封止材料および第二封止材料がそれぞれ、前記固定するステップ中に前記封止材料の相の成分の相互拡散により他方の封止材料の相と反応できる少なくとも一つの相を有し、それにより温度Tcよりも高い融解温度を有する少なくとも一つの別の固相を形成するように、前記第一封止材料および前記第二封止材料が選ばれる、方法。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳ素子が実装基板から応力を受け、その結果、ＭＥＭＳデバイスの感度低下又は感度バラツキを引き起こす。
【解決手段】ＭＥＭＳデバイスでは、ＭＥＭＳ素子１００が実装基板２０１に実装されている。ＭＥＭＳ素子１００では、シリコン基板１０１の下面１０１Ｂには突起物１０６が形成されている。突起物１０６と実装基板２０１とは接着剤２０２を介して接続されている。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、射出成形で得られる樹脂基板をマイクロ流路デバイスとして用いる場合であってもウェルドラインの発生が問題とならないようなマイクロ流路デバイスの製造方法を提供することにある。
【解決手段】 本発明のマイクロ流路デバイスの製造方法は、一方の面に流路用溝が形成された樹脂基板と、前記流路用溝が形成された面を覆うように配置される樹脂フィルムとを、貼り合わせて接合体を得る貼着工程と、前記接合体を加熱処理する加熱工程とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】矩形の基板上に、変換体と矩形の半導体基板と有し、小型化と低コスト化可能な変換体モジュールを提供する。
【解決手段】矩形の形状を有する基板２と、鋭角の頂点を１つ以上含む多角形の形状を有する変換体３と、矩形の形状を有する半導体基板４とを備え、変換体３は、基板２の第１側辺と変換体３の一つの側辺とが実質的に平行となるように、基板２上に配置され、半導体基板４は、基板２の第１側辺と半導体基板４の１つの側辺とが実質的に平行となるように基板２に配置される。 （もっと読む）

【課題】実装時の素子の破損を回避し、素子の歩留りを向上させる。
【解決手段】マイクロミラー素子は、ミラー基板１００と、ミラー基板１００と対向して配置される電極基板２００と、ミラー基板１００に変位可能に形成された可動電極である板ばね１０３ｂと、電極基板２００上に、板ばね１０３ｂとの間に空隙を設けた状態で対向して配置された断面略Ｕ字形状の駆動用固定電極２０１ｂと、駆動用固定電極２０１ｂの壁電極部の上に形成された絶縁層２０５ｂと、絶縁層２０５ｂの上に形成されたシールド電極２０６ｂとを備える。板ばね１０３ｂは、駆動用固定電極２０１ｂの底部と壁電極部と絶縁層２０５ｂとシールド電極２０６ｂとによって囲まれる空間の中に入るように配置される。 （もっと読む）

【課題】センサデバイスをパッケージ化する際に、製造コストを低減し、他の素子の仕様に合わせて接続関係を容易に変更でき、基板とパッケージとの接合の信頼性を向上させ、パッケージ化されたセンサデバイス全体の低背化を可能にするセンサデバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１基板と、第１基板上に配置され、可動部を有するＭＥＭＳ素子と、ＭＥＭＳ素子の可動部の周辺に非連続に配置された第１支持部と、第１支持部に固定されて少なくとも可動部を覆う第２基板と、第１支持部よりも外側に配置された第１端子と、第１端子に電気的に接続されて、可動部の変位に基づく電気信号を伝達する第１配線と、を具備し、第１配線は、第１支持部の非連続な部位を通ることを特徴とするセンサデバイス。 （もっと読む）

【課題】キャビティ形成用の犠牲層の除去を比較的高速に且つ残渣を低減させて行うことができる容量型電気機械変換装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板４と所定の間隔を保って可動に保持される振動膜３により形成されるキャビティ９と、キャビティに面する表面が露出する電極８と、キャビティに面する表面が絶縁膜で覆われる電極１を有する容量型電気機械変換装置の製造方法である。基板上に犠牲層６を形成し、犠牲層の上に振動膜３を含む層を形成し、外部から犠牲層に通じるエッチング孔１０を形成する。その後、キャビティに面する表面が露出する電極８を電解エッチング用の一方の電極として、外部に設けた電解エッチング液に接している他方の電極１２との間で通電し、犠牲層を電解エッチングしてキャビティ９を形成する。エッチング孔１０から犠牲層除去剤を導入し、電解エッチングによる犠牲層の残渣１７を低減する。 （もっと読む）

【課題】気密性の高い貫通電極及びこれを用いた微小構造体、並びにそれらの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】導電性を有する基板１０の所定領域１１を貫通トレンチ２０で囲み、周囲から絶縁分離した貫通電極１００において、
前記貫通トレンチ内の深さ方向における所定部分を塞ぐように充填された第１の成長膜４０と、
前記貫通トレンチの両側面の間を横断する横断部５５を含み、該横断部の底面部が前記第１の成長膜の内側に接触するように充填された第２の成長膜５０と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】動作部位へのダストの混入を防止しつつ、アライメント等の問題点を少なくとも部分的に解消すること。
【解決手段】本発明は、ＭＥＭＳ素子を搭載した素子基板にキャップ基板が接合されたＭＥＭＳデバイスの製造方法であって、キャップ基板５０の原料基板に素子基板の切断パターンに沿って非貫通のトレンチ３００を形成する工程と、素子基板の原料基板に、トレンチが形成されたキャップ基板の原料基板を接合する接合工程と、少なくとも非貫通のトレンチが貫通するまで、接合されたキャップ基板の原料基板をエッチングするエッチング工程とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ２以上のセンサー素子を含む素子構造体の製造を容易化すること。
【解決手段】 素子構造体は、第１支持層１００と、第１支持層１００の上方に設けられる第１センサー素子ＳＥ１と、を有する第１基板ＢＳ１と、第２支持層２００と、第２支持層２００の上方に設けられる第２センサー素子ＳＥ２と、を有する第２基板ＢＳ２と、を含み、第２基板ＢＳ２は、第１センサー素子ＳＥ１と第２センサー素子ＳＥ２とが互いに対向した状態で、第１基板ＢＳ１上にスペーサー３００を介して配置されている。 （もっと読む）