【課題】変位の保持特性と繰り返し耐久性に優れたアクチュエータの創出。
【解決手段】イオン液体とポリマーからなる電解質膜の表面に、炭素含有導電性ナノ材料とイオン液体、およびポリマーとのゲル状組成物から構成されるアクチュエータ用導電性薄膜が相互に絶縁状態で少なくとも２個形成され、該層に電位差を与えることにより湾曲および変形を生じさせ得るアクチュエータ素子の駆動方法であって、前記アクチュエータ素子の作製及び／又は駆動を低水分及び／又は低酸素雰囲気中で行うことを特徴とするアクチュエータ素子の駆動方法。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳデバイスとの熱膨張の整合がよくとれた基板を有する構造の製造方法を提供する。
【解決手段】ボンディングされたエッチ・バック絶縁体上シリコン（以降は、ＢＥＳＯＩと称する）方法に基づく。ＢＥＳＯＩ方法はＳＯＩウェハ４０を含み、該ＳＯＩウェハ４０は、ハンドル・レイヤ４６、二酸化ケイ素からなる誘電体レイヤ４４、及びデバイスレイヤ４２を有する。ＳＯＩウェハ４０のデバイスレイヤ４２をメサ・エッチングによってパターン形成した後、該ＳＯＩウェハ４０を、パターン形成されたデバイスレイヤを有する別の基板にボンディングする。その後、ＳＯＩウェハ４０のハンドル・レイヤ４６、及び誘電体レイヤ４４をエッチングによって除去される。さらに、デバイスレイヤ４２をエッチングしてＭＥＭＳ装置を形成する。このＢＥＳＯＩ方法では、二酸化ケイ素誘電体レイヤ４４が除去された後に構造エッチングが実行される。 （もっと読む）

【課題】密閉キャビティ形成のためのフリップチップハイブリダイゼーション方法、およびこのような方法によって得られるシステムを提供する。
【解決手段】一方が他方の上に置かれ、その間に充填材料に埋め込まれた少なくとも１つの密閉キャビティが形成される、少なくとも１つの第１および第２マイクロ電子部品を含むマイクロ電子アセンブリの製造方法であって、側壁を用いてキャビティを規定する段階と、側壁と共同して充填材料に対するバイパスダクトを形成できる妨害物を形成する段階と、前記第１部品および前記第２部品のフリップチップハイブリダイゼーションを実施する段階と、前記２つのハイブリッド化部品の間に液体形態の充填材料を注入する段階と、を含む、マイクロ電子アセンブリの製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】サイズが縮小され、熱検知性能が改善された検知装置パッケージ（２０）を提供すること。
【解決手段】例示的パッケージは、複数のパターン、特定用途向け集積回路（アナログＡＳＩＣ）チップ（２６）、および微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）のダイ上に形成された微細機械加工されたセンサ（２８）を有するプリント回路板（２４）を含む。アナログＡＳＩＣチップは、プリント回路板に電気的かつ機械的に取り付けられる。ＭＥＭＳのダイは、プリント回路板のパターンの一部分とのみ直接的に電気通信し、アナログＡＳＩＣチップに機械的かつ熱的に直接取り付けられる。ＭＥＭＳのダイとアナログＡＳＩＣチップの間に熱伝導化合物（３６）が配置される。１つまたは複数のはんだボール（３２）が、アナログＡＳＩＣチップをプリント回路板に電気的に取り付け、１つまたは複数のはんだパターンが、ＭＥＭＳのダイをプリント回路板に電気的に取り付ける。 （もっと読む）

【課題】射出成形で得られる樹脂基板をマイクロ流路デバイスとして用いる場合であって、電極部を有するマイクロ流路デバイスの製造方法、及びそれを用いて製造したマイクロ流路チップを提供する。
【解決手段】第１基板２が流路を有し、第２基板３が電極部４を有する基板同士の接着が熱圧着であって、その熱圧着が、低温および高温の二温度の二段階で行い、二温度間の温度差が２０度以上、５０度未満であることを特徴として得られる。 （もっと読む）

【課題】 小さい流体体積を取り扱うための磁気的に駆動されるマイクロポンプの提供。
【解決手段】 第一のチャンバ及び第二のチャンバを含むマイクロポンプであって、可撓性膜が第一のチャンバと第二のチャンバの間に配列され、可撓性膜は、膜を変位させるためのアクチュエータに磁気的に連結される。 （もっと読む）

【課題】比較的簡単な方法で、電子デバイスを構成する部材間の接合強度をより高めることが可能な電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基体２と、半導体基体２を実装する基体１と、半導体基体２を基体１側に接合する接合部３とを備えた電子デバイス１０の製造方法であって、接合部３がＡｕを含む接合材料からなり、半導体基体２の接合部３側が接合材料を構成する元素以外から構成される母材材料からなり、基体１に設けた接合部３を溶融する温度以上に加熱して液相状態にした接合材料と固相状態の母材材料とを接触させる接触工程と、接触工程後に、Ａｕと母材材料を構成する元素との合金の融点の温度以上に加熱して、半導体基体２を基体１側に接合する接合工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】小型で信頼性の高いセンサーデバイス、及び、その製造方法を提供する。
【解決手段】センサーデバイス１は、第１の面１０ａに第１の電極１１を有する半導体装置としてのＩＣチップ１０と、基部２１、前記基部２１から延伸された振動部を有し、第１の面１０ａと対向する第２の面２０ａに第２の電極としての引き出し電極２９を有する振動片としての振動ジャイロ素子２０と、を備えている。第１の面１０ａには、絶縁樹脂からなり第１の電極１１と配線３６を介して電気的に接続された第３の電極３７の少なくとも一部を露出させる開口部３２ａを有する筒状支持部３２が設けられ、第１の面１０ａおよび開口部３２ａにより形成された凹部に導電性接着剤９８が埋設され、引き出し電極２９に設けられたバンプ１２が凹部内に配置されている。 （もっと読む）

【課題】被処理基板における凹凸形状を備えた面と下地基板の表面とを仮接着した後に減圧下において処理する際の、加工精度、処理効率、及び／又は処理の安全性を高める。
【解決手段】本発明の１つの貼り合せ構造体４０の製造方法は、凹部４２Ａ及び凸部４２Ｂが形成された第１表面を備える被処理基板４１の第１表面４２上に、２５℃における粘度が０．０２Ｐａ・ｓ以上０．１Ｐａ・ｓ以下である溶液状仮接着材を供給する溶液状仮接着材供給工程と、その溶液状仮接着材を加熱することにより、第１表面４２の凸部４２Ｂを１０μｍ超２０μｍ以下の厚みの仮接着材４６Ｂによって覆う仮接着材形成工程と、その仮接着材４６Ｂを介して、第１表面４２と平板状の下地基板４８とを一時的に貼り合わせる貼り合せ工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】素子に不具合が生じることが抑制された電子デバイス、及び、その製造方法を提供する。
【解決手段】接合された２つの基板（１０，５０）に素子（２０，６０）と貫通電極（３０）とが形成されて成る電子デバイスであって、素子（２０，６０）は、２つの基板（１０，５０）の少なくとも一方に形成され、貫通電極（３０）は、２つの基板（１０，５０）の少なくとも一方に形成されており、貫通電極（３０）は、一方の基板（１０）における他方の基板（５０）との接合面（１０ａ）側から、その裏面（１０ｂ）まで除去されて成るトレンチ（３１）と、該トレンチ（３１）を構成する壁面の一部に形成された導電膜（３５）と、を有する。 （もっと読む）