【課題】厚さが３５ｎｍ以下でも十分に高い保磁力および角型比を有する磁性のコバルト薄膜を得ることができるコバルト薄膜の形成方法およびこの方法により形成したコバルト薄膜を用いたナノ接合素子を提供する。
【解決手段】ポリエチレンナフタレート基板１１上に真空蒸着法などによりコバルト薄膜１２を３５ｎｍ以下の厚さに成膜する。こうしてポリエチレンナフタレート基板１１上にコバルト薄膜１２を成膜した積層体を二つ用い、これらの二つの積層体をそれらのコバルト薄膜１２のエッジ同士が、必要に応じて有機分子を挟んで、互いに対向するように交差させて接合することによりナノ接合素子を構成する。このナノ接合素子により不揮発性メモリや磁気抵抗効果素子を構成する。ポリエチレンナフタレート基板１１の代わりに、少なくとも一主面がＳｉＯ₂ からなる基板、例えば石英基板を用いてもよい。 （もっと読む）

【課題】均一な形状、粒径及び磁気特性を有するＦｅＰｔ又はＣｏＰｔナノ粒子を、その磁化容易軸の向きを垂直に揃えて非磁性基板の表面に均一に配列することが可能な磁気記録媒体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】非磁性基板２の表面２ａにテクスチャリング処理を施すことにより、円周方向成分を有する複数の溝３を形成する工程と、テクスチャリング処理が施された非磁性基板２の表面２ａに、ＦｅＰｔ又はＣｏＰｔナノ粒子５の分散溶液を接触させることにより、この非磁性基板２の上に垂直磁性層４となるＦｅＰｔ又はＣｏＰｔナノ粒子配列体５Ａを形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】所望の長さのナノワイヤを、所望の向き、位置に配列させる方法。
【解決手段】ナノワイヤの配列方法であって、二つの電極を有する基板上に、両末端が互いに異なる二つの極性であるナノワイヤを静置、第１電極に第１極性の電圧を印加し、その反対の第２極性の片末端を第１電極上に固定、第１電極に第１極性の電圧を印加した状態で、第１電極から第２電極に流体を流す、第１電極の電圧を自然電位に設定後、第２極性の電圧を第２電極に印加し、第１極性の片末端を第２電極に固定、第２電極に第２極性の電圧を印加した状態で、第２電極から第１電極に流体を流す、第２電極の電圧を自然電位に設定後、第１電極に第１極性の電圧を印加し、第２極性の片末端を第１電極上に固定、第１電極に第１極性の電圧を印加した状態で、第２電極から第１電極に流体を流す、第１電極に第１極性の電圧を印加した状態で、第１電極から第２電極に流体を流す、を順次行う。 （もっと読む）

【課題】所定の長さのナノワイヤを所定の向きに、所定の位置に配列させる方法、並びに所定の長さのナノワイヤを分離抽出する方法を提供する。
【解決手段】基板上の所定の位置にナノワイヤを配置するためのナノワイヤの配列方法であって、前記ナノワイヤの両端を固定するための、所定の距離を離間させた対となる固定化部位を設けた基板を作製する工程と、両末端に前記基板上の固定化部位と特異的な結合を形成するための結合部位を有するナノワイヤを作製する工程と、前記ナノワイヤを含有する液を前記基板上に分散させ、前記ナノワイヤの結合部位を前記基板上の固定化部位に結合させる工程と、前記対となる固定化部位の相対する方向に対して略垂直に流体を流す工程とを順次行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】１０ｎｍ程度の溝を有する微細構造物を安価で簡便かつ高精度に作製可能な微細構造物の製造方法、該微細構造物の製造方法により製造される微細構造物、及び該微細構造物を有する電界効果型半導体素子を提供すること。
【解決手段】本発明の微細構造物の製造方法は、トップダウン形成法により、基板上に少なくとも２つの凸状の形状からなる第１の構造体を形成する第１の構造体形成工程と、ボトムアップ形成法により、前記第１の構造体が形成された基板上に形成材料を堆積させ、隣接する前記第１の構造体の中間位置に凹状の溝を有する第２の構造体を形成する第２の構造体形成工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明の実施形態によれば、信頼性の高い半導体メモリを提供することができる。
【解決手段】 半導体メモリは、半導体基板のチャネル領域上に形成されたトンネル絶縁膜と、トンネル絶縁膜上に形成された電荷蓄積膜と、前記電荷蓄積膜上に形成されたブロック絶縁膜と、ブロック絶縁膜上に形成されたゲート電極とを備え、トンネル絶縁膜内にはクーロンブロッケイド条件を満たす導電性微粒子を含む微粒子層がある。 （もっと読む）

【目的】水素終端よりも強い界面終端構造を有する半導体装置を提供することを目的の１つとする。
【構成】実施形態の半導体装置は、絶縁膜とＳｉ半導体部とを備えている。絶縁膜は、酸化物と窒化物と酸窒化物とのいずれかを用いて形成される。Ｓｉ半導体部２０２は、前記絶縁膜下に配置され、硫黄（Ｓ）とセレン（Ｓｅ）とテルル（Ｔｅ）とのうち少なくとも１種の元素が前記絶縁膜との界面に存在する、シリコン（Ｓｉ）を用いて形成される。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む固体化合物表面乃至は、予め透明性材料膜が形成されたＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む固体化合物表面に、膜厚変化を誘起せずに、微細な凹凸構造を形成する手法を確立する。
【解決手段】任意の基体１上に高分子製プライマー２を介してＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む固体化合物膜３乃至は、透明性材料膜と固体化合物膜３との積層構造を形成し、その表面から波長１９０ｎｍより長く４００ｎｍ以下の光を照射することにより、固体化合物膜３乃至は、透明性材料膜とＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む固体化合物膜３の積層構造に、膜厚変化を与えることなく、露光部分のみをマイクロ／ナノオーダーで沈下させる。 （もっと読む）

【課題】表面に微細パターンを有する成型体の製造方法において、スピンコート法等により薄膜に形成された光重合性組成物を保持し、精度よく微細パターンを有する成型体を製造できる方法を提供する。
【解決手段】前記微細パターンの反転パターンを表面に有するモールドと基板との間に、第１の紫外線の照射により半硬化してなる光重合性組成物の半硬化層を挟持する第１の工程と、前記モールドおよび前記基板により加圧した状態で、前記光重合性組成物の半硬化層に第２の紫外線の照射を行い、前記半硬化層を硬化層とする第２の工程と、前記光重合性組成物の硬化層から前記モールドを分離する第３の工程を有する、表面に微細パターンを有する成型体の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】バンド間トンネリングが横方向に起こる構造を有し、バンド間トンネリングが起こる領域が大きいトンネルトランジスタを備える半導体装置を提供する。
【解決手段】第１上面Ｓ１と、第１上面Ｓ１よりも高さの低い第２上面Ｓ２と、第１上面と第２上面との間に存在する段差側面Ｓ３と、を有する段差が形成された基板。さらに、基板の段差側面Ｓ３と第２上面Ｓ２とに連続して形成されたゲート絶縁膜と、基板の段差側面Ｓ３に形成されたゲート絶縁膜に接するよう、第２上面Ｓ２上にゲート絶縁膜１３１を介して形成されたゲート電極１３２とを備える。さらに、基板内において、第１上面の下方に形成された第１導電型のソース領域１２１と、第２上面の下方に形成された第２導電型のドレイン領域１２２と、段差側面Ｓ３とソース領域１２２との間に形成された第２導電型の側方拡散領域１２３とを備える。 （もっと読む）