【課題】エネルギー密度の高い蓄電装置の構造および作製方法を提供する。
【解決手段】空気極の構造を、第１の集電体と、第１の集電体に接して設けられた凸状構造物を有する第２の集電体と、１層以上１００層以下のグラフェン膜を有する触媒層と、を備える構造とする。これにより、まず、第２の集電体の効果により空気極の表面積を飛躍的に増大させることが可能となる、そして、グラフェン膜は貴金属などの触媒を用いことなく触媒反応を発現できるため、第２の集電体上に触媒層を備える構造とすることにより、蓄電装置のエネルギー密度を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】サイクル特性及び充放電容量が向上させることが可能であり、活物質層に適用可能なシリコン膜の作製方法を提供する。また、当該シリコン膜を用いた蓄電装置の作製方法を提供する。
【解決手段】導電層上に、ＬＰＣＶＤ法により、結晶性を有するシリコン膜を形成し、原料ガスの供給を停止し、当該原料ガスを排気すると共に、当該シリコン膜を加熱処理し、当該原料ガスを反応空間に供給し、ＬＰＣＶＤ法で当該シリコン膜をウィスカー形状に成長させることである。また、ウィスカー形状に成長させたシリコン膜を負極に含まれる活物質層に用いて蓄電装置を作製することである。 （もっと読む）

【課題】高いスループット及びより良い収率を達成することができる方法を提供する。
【解決手段】高純度の半導体グレードの顆粒状シリコン、及びそのような顆粒状シリコンを製造する方法を開示する。第１の化学気相蒸着（ＣＶＤ）反応装置内で、シリコン・シードにシリコンをデポジットさせ、それによってシードをより大きな二次シードに成長させて、商業的品質の顆粒状シリコンを製造することができる。第２の化学気相蒸着反応装置内で、二次シードに追加のシリコンをデポジットさせる。この明細書に記載する方法を用いて、常套の方法よりも高いスループット及びより良い収率を達成することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、比較的低温において効率的に半導体シリコン膜を製造する方法を提供することである。また、本発明の目的は、基材がポリマー材料を有する半導体積層体を提供することである。
【解決手段】半導体積層体（１１０）を製造する本発明の方法は、（ａ）基材上にシリコン粒子分散体膜を形成する工程、（ｂ）シリコン粒子分散体膜を乾燥して、未焼結半導体シリコン膜を形成する工程、及び（ｃ）未焼結半導体シリコン膜に光を照射して、半導体シリコン膜を形成する工程を含む。また、本発明の半導体積層体（１１０）は、基材（１１２）及び半導体シリコン膜（１１８）を有し、基材が、ポリマー材料を有し、半導体シリコン膜が、互いに焼結されている複数のシリコン粒子から作られており、且つ半導体シリコン膜のキャリア移動度が、１．０ｃｍ^２／Ｖ・ｓ以上である。 （もっと読む）

本発明は、著量の水を含有する、アミノ官能性の高分子触媒前駆体を、その内部の多孔質構造およびその外部の球形の形状を維持しつつ、触媒の形成下に処理する方法に関するものであり、本発明による方法では、触媒前駆体を緩和な温度および減圧下に処理し、かつ２．５質量％未満の含水率を有する触媒が製造される。本発明による方法は有利には、シラン類からジクロロシラン、モノシラン、シランまたは太陽発電用もしくは半導体用ケイ素を製造する大工業的な方法に統合されている。 （もっと読む）

【課題】電気加熱の負担を減少させ、電気消耗量を減少させるとともに、従来に比べて短期間にポリシリコンを製造できる装置及び方法を提供する。
【解決手段】反応チャンバーと、前記反応チャンバー内にシランガスを供給するためのガス供給部と、前記ガス供給部で供給されるシランガスにレーザービームを照射し、前記シランガスを熱分解してポリシリコン粒子を形成するためのレーザー照射部と、前記ポリシリコン粒子を収容するためのポリシリコン粒子収容部とを含んでポリシリコンの製造装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ拡散現象を最小化してシリコンナノ粒子の粒度及び品質を向上させることができるＩＣＰを用いたシリコンナノ粒子製造装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るシリコンナノ粒子製造装置は、外壁にＩＣＰコイルが巻き取られており、内部にクォーツチューブが挿入されたクォーツリアクタを含み、シリコンナノ粒子形成のためのシランガスなどの１次ガス及びシリコンナノ粒子の表面反応のための水素、ボロン化合物ガスなどの２次ガスがアルゴンガスと共に前記クォーツチューブの内側及び外側に分離供給されるようにする。 （もっと読む）

【課題】なし
【解決手段】一次元のナノ構造は、約２００ｎｍ未満の均一な直径を有する。“ナノワイヤー”と呼ばれる、かかる新規のナノ構造は、異なる化学的な構成を有する少なくとも２つの単結晶の物質のヘテロ構造と同様に、単結晶のホモ構造を含む。単結晶の物質がヘテロ構造を形成するために使用されるので、結果となるヘテロ構造は、同様に単結晶となるであろう。ナノワイヤーのヘテロ構造は、一般的に、異なる物質を含むワイヤーを生成する、ドーピング及び構成が縦若しくは放射方向の何れかで制御されるか、又は両方向で制御される、半導体ワイヤーに基づく。結果となるナノワイヤーのヘテロ構造の例は、縦のヘテロ構造のナノワイヤー（ＬＯＨＮ）及び共軸のヘテロ構造のナノワイヤー（ＣＯＨＮ）を含む。 （もっと読む）

多結晶ケイ素を生成するための反応器（１０）が開示され、この反応器は、そこに形成された多数のノズル（４）を有する反応器のベースプレート（２）を提供されている。ケイ素含有ガスは、ノズル（４）を通って流れる。複数のフィラメントロッド（６）は、同じように反応器のベースプレート（２）上に取り付けられている。さらに、使用済みのケイ素含有ガスを、濃縮および／または処理ステージに供給するためのガスの出口開口（８）が提供されている。ガスの出口開口（８）は、内部管（２０）の自由終端（２１）に形成され、内部管（２０）が反応器のベースプレート（２）を通って導入されている。 （もっと読む）

【課題】金属級Ｓｉから太陽電池級Ｓｉを製造すべく、低純度Ｓｉから高純度Ｓｉへの精製を効率良く行い得るＳｉ精製方法、Ｓｉ精製装置及びＳｉ精製膜製造装置を提供する。
【解決手段】Ｓｉ精製方法は、低純度Ｓｉを原子状水素と化学反応させることにより、除去したいボロン（Ｂ）からなる水素化ガスＢ_２Ｈ_６とＳｉからなる水素化ガスＳｉＨ_４とを含む水素化ガス母集団を生成する工程と、水素化ガス母集団を、除去したいボロン（Ｂ）からなる水素化ガスＢ_２Ｈ_６の分解温度以上、かつＳｉからなる水素化ガスＳｉＨ_４の分解温度以下となる範囲に温度制御された加熱物体表面に衝突させることにより、除去したいボロン（Ｂ）を加熱物体表面に固着させて水素化ガス母集団から除去して、低純度Ｓｉよりも純度の高い高純度Ｓｉを得る工程とを含む。 （もっと読む）