【課題】有機金属化合物を高収率で連続して製造する方法を提供する。
【解決手段】反応物質の層流を維持するような方法で２以上の反応物質１７，２７が反応器１０の接触ゾーン１５に運ばれ；それら反応物質に有機金属化合物を形成させる、有機金属化合物を連続的に製造する方法。 （もっと読む）

【課題】 本発明の課題は、ジルコニウムハロゲン化物を出発原料として、高収率及び高選択率にてジルコニウムアミド化合物を製造する、工業的に好適なジルコニウムアミド化合物の製造方法を提供することである。
【解決手段】 本発明の課題は、ジルコニウムハロゲン化物とジアルキルアミンと混合した後、次いで、置換基を有していても良いシクロペンタジエン及びアルキルアルカリ金属を反応させることを特徴とする、ジルコニウムアミド化合物の製造方法によって解決される。 （もっと読む）

【課題】 アミド化合物を温和な条件下で脱酸素して、対応するアミン化合物を高い収率及び選択率で製造できる方法を提供する。
【解決手段】 本発明のアミンの製造方法は、担体表面に金ナノ粒子を固定化した表面金固定化触媒及びシラン化合物の存在下、アミドを脱酸素して対応するアミンを得ることを特徴とする。担体としてハイドロキシアパタイトを好適に使用できる。シラン化合物として、ジメチルフェニルシラン、１，１，３，３−テトラメチルジシロキサンなどを用いることができる。 （もっと読む）

（１）シリカ又はこの前駆体、層構造シリケートの結晶化を可能とするための少なくとも１種の構造指向剤（ＳＤＡ）、及び水を提供する工程、（２）熱水的な条件下で、工程（１）に従って得られた混合物を加熱する工程、（３）同形置換のために適切な、少なくとも１種の元素の少なくとも１種の供給源を加える工程、（４）工程（３）に従い得られた混合物を、熱水的な条件下で加熱する工程、を含むことを特徴とする同形置換された層構造のシリケートを製造する方法。 （もっと読む）

本発明は、イタコン酸またはイタコン酸誘導体と式（Ｉ）の第１級アミンとを含有し、第１級アミン対イタコン酸またはイタコン酸誘導体のモル比が０．５：１〜２０：１の範囲である混合物であって、該混合物が、使用するイタコン酸または使用するイタコン酸誘導体に対して５０モル％以下の、式（ＩＩ）の４−カルボキシピロリドン、式（ＩＩ）の４−カルボキシピロリドンの誘導体、および式（ＩＩＩ）の４−カルバミドピロリドンを含有することを特徴とし、［式中、Ｒは、１〜２４個の炭素原子を有する直鎖状もしくは分岐状の飽和脂肪族基、または３〜２４個の炭素原子を有する飽和脂環式基を表わす］混合物に関する。さらに本発明は、１，３−アルキルメチルピロリドンおよび／または１，４−アルキルメチルピロリドンを生成するための本発明による混合物の使用、および１，３−アルキルメチルピロリドンおよび／または１，４−アルキルメチルピロリドンを生成するための方法に関する。さらに本発明は、１，３−アルキルメチルピロリドンおよび／または１，４−アルキルメチルピロリドンと、１，３−アルキルメチルピロリジンとを含有し、１，３−アルキルメチルピロリジンの部分が１０〜１０，０００ｐｐｍの範囲である混合物と、１，３−アルキルメチルピロリドンと１，４−アルキルメチルピロリドンとを含有し、１，３−アルキルメチルピロリドン対１，４−アルキルメチルピロリドンのモル比が１：１〜１０：１の範囲であることを特徴とする混合物とに関する。
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本発明は、ヒドロアミノ化触媒の前処理法において、ヒドロアミノ化触媒を、オレフィンとアンモニア、１級又は２級アミンとの反応の前に、アンモニア含有混合物と接触させ、その際、アンモニア含有混合物がオレフィン４０質量％未満を含有することを特徴とする方法に関する。さらに、本発明は、ヒドロアミノ化触媒をアンモニア含有混合物と接触させ、その際、アンモニア含有混合物がオレフィン４０質量％未満を含有することによって、オレフィンの反応前に本発明により前処理されるヒドロアミノ化触媒上でのオレフィンとアンモニア、１級又は２級アミンとの反応によるアルキルアミンの製造法に関する。 （もっと読む）

本発明は、触媒の存在下でエチレンオキシド、エチレングリコール、またはエタノールアミンをアミノ化することによってエチレンアミンを調製する方法であって、メチルアミンおよび／またはエチルアミンが反応流出流から除去されるステップを含む方法に関する。 （もっと読む）

対応する金属含有薄膜のＣＶＤ／ＡＬＤに有用なアンチモン、ゲルマニウム、およびテルル前駆体、ならびに該前駆体を含む組成物、該前駆体を作製する方法、ならびに該前駆体を使用して製造される膜およびマイクロ電子デバイス製品、さらに対応する製造方法が記載される。本発明の前駆体は、ゲルマニウム−アンチモン−テルル（ＧＳＴ）膜、および該膜を含む相変化メモリデバイス等のマイクロ電子デバイス製品の形成に有用である。
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本発明は、テトラメチレン−１，４−ビス−（Ｎ−メチルピロリジニウム）ジカチオンを構造指向剤として使用して調製されるＳＴＩトポロジーを有する新しい結晶質分子篩ＳＳＺ−７５、ＳＳＺ−７５を合成する方法、及びＳＳＺ−７の利用法に関する。 （もっと読む）