【課題】発光異種核銅−イリジウム錯体及びこれを利用した有機電界発光素子を提供する。
【解決手段】高効率燐光を発する発光異種核銅−イリジウム錯体とこれを利用した有機電界発光素子を提供する。本発明の異種核銅−イリジウム錯体は、有機電界発光素子の有機膜形成時に利用可能であり、高効率の燐光材料として５９０〜６３０ｎｍで発光するだけでなく、高い輝度と低い駆動電圧とを持つ。 （もっと読む）

【課題】フェロセン骨格を有するホスフィン遷移金属錯体を含有する抗癌剤の提供。
【解決手段】下記一般式（３）で表されるフェロセン骨格を有するホスフィン遷移金属錯体、該錯体を含有する抗癌剤。
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ジアステレオマー又は純粋なジアステレオマーの混合物の形態での、式（Ｉ）：第二級ホスフィン−Ｑ−Ｐ（＝Ｏ）ＨＲ_１（Ｉ）〔式中、第二級ホスフィンは、置換基として炭化水素基又はヘテロ炭化水素基を有する第二級ホスフィン基であり；Ｑは、ビスアリール又はビスへテロアリール架橋結合に対して２個のリン原子がオルト位に結合している、軸性キラル中心を有する二価ビスアリール又はビスへテロアリール基であるか、或いはＱは、第二級ホスフィンのリン酸原子がシクロペンタジエニル環に直接又はＣ_１〜Ｃ_４炭素結合を介して結合している、面性キラル中心を有する又は面性キラル中心を有さない二価フェロセニル基であり、−Ｐ^＊（＝Ｏ）ＨＲ_１基は、同じシクロペンタジエニル環でそこに結合した第二級ホスフィンに対してオルト位に結合しているか又は他のシクロペンタジエニル環に結合しており；Ｐ^＊は、キラルなリン原子であり、そしてＲ_１は、炭化水素基、ヘテロ炭化水素基又はフェロセニル基であり、ここでＲ_１は、Ｑが面性キラル中心を有さない二価フェロセニル基である場合、面性キラル中心を有するフェロセニル基である〕で示されるリガンド。これらのリガンドの金属錯体は、不斉付加反応、特に水素化における均一触媒である。 （もっと読む）

【課題】遷移金属錯体からなる触媒において不斉環境を提供することができ、かつ触媒的不斉反応において高い化学収率及び立体選択性を与える触媒を調製可能な光学活性配位子を提供する。
【解決手段】固相担体に結合された下記の一般式(I)：


（Ａはアミノ酸残基、又はペプチド残基を、ｎは０又は１を、Ｒ¹は水素原子、アルキル基、アリール基、又はアラルキル基を、Ｘ¹及びＸ²は−Ｎ（Ｒ^x）−、Ｏ、又はＳを、Ｙはアルカンジイル基、アルケンジイル基、アルキンジイル基、又はアリールジイル基を、Ｚ¹及びＺ²はアルキル基又はアリール基を示す。）で表される化合物。 （もっと読む）

本発明は、抗菌活性を有する陽イオン金属が付随する酸化金属を含むナノ材料に関する。特に、本発明は、式（Ｉ）のナノ結晶性化合物に関する：ＡＯ_Ｘ−（Ｌ−Ｍｅ^ｎ＋）_ｉ，（Ｉ）、ここにおいて、ＡＯ_Ｘは、Ｘ＝１または２である、酸化金属または酸化メタロイドを意味し；Ｍｅ^ｎ＋は、ｎ＝１または２である、抗菌活性を有する金属イオンを意味し；Ｌは、有機または有機金属の何れかであり、酸化金属または酸化メタロイドおよび金属イオンＭｅ^ｎ＋に同時に結合できる二官能性分子であり；およびｉは、ＡＯ_Ｘナノ粒子に結合するＬ−Ｍｅ^ｎ＋基の数を意味する。 （もっと読む）

本発明は金属錯体及びそれらの調製、特に、式中のＭは第８、９、又は１０族金属であり、Ｘはハロゲン化物、ＨＣＯ_３⁻、ＮＯ_３⁻、ＣＯ_３^２−又はカルボキシラートである、金属錯体ＭＬｎＸｍに関する。ｎは前記金属の配位数以下の数であり、ｍは１又は２であり、且つ該金属の酸化状態に等しい。配位子Ｌは、本明細書に記載する式（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、又は（ＩＶ）の二座ホスフィンでよい。製造プロセスは、金属Ｍのアンミン化合物を錯体形成化合物、好適にはホスフィンと反応させることを含む。 （もっと読む）

本発明は、その配位子球中に少なくとも１個のη^６−結合アレーン配位子及び１個のシリル−配位子を有するルテニウム−錯体；その配位子球中に少なくとも１個のη^６−結合アレーン配位子を有し、それに直接又はスペーサーを介して１個のシリル−又はシロキシ−基が結合されているルテニウム−錯体及びその配位子球中に少なくとも１個のη^６−結合アレーン配位子及び少なくとも１個の他の配位子を有し、それに直接又はスペーサーを介して１個のシリル−又はシロキシ−基が結合しているルテニウム−錯体を含む群から選択されるルテニウム−化合物、その製造及びヒドロシリル化での触媒としての使用に関する。 （もっと読む）

鏡像異性的に純粋なジアステレオマーの形態又はジアステレオマーの混合物の形態の式Ｉの化合物であって、式中、ラジカルＲ_１は、同一又は異なっており、それぞれ、Ｃ_１〜Ｃ_４アルキルであり；ｍは、０又は１〜３の整数であり、ｎは、０又は１〜４の整数であり；Ｒ_２は、炭化水素ラジカル又はＣ結合ヘテロ炭化水素ラジカルであり；Ｃｐは、非置換又はＣ_１〜Ｃ_４アルキル置換シクロペンタジエニルであり；Ｙは、メタレーション試薬の金属をオルト位置へ向かわせる、Ｃ結合キラル基であり；そしてＰｈｏｓは、Ｐ結合Ｐ（ＩＩＩ）置換基である。この化合物は、不斉合成において均一触媒として使用される遷移金属の錯体のためのキラルリガンドである。
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芳香族一級アミンを合成するための触媒的方法、この方法を行うための試薬組成物、およびこの方法に有用な遷移金属錯体が提供される。 （もっと読む）

【課題】アポトーシス及び／又は炎症に関連する神経変性疾患の予防及び／又は治療において有効な新規化合物の提供。
【解決手段】式（Ｉ）で示される新規な化合物の提供。


（但し、Ｒ^１は任意に置換された炭素環又はヘテロ環基であり、Ｒ^２は任意に置換された５若しくは６員のヘテロ環基又は任意に置換された６員の炭素環基であり、Ｅは水素、ハロゲン、シアノ、Ｃ_１−６アルコキシ又はＣ_１−６アルキルであり、Ｇは水素、ハロゲン、シアノ、Ｃ_１−６アルコキシ又はＣ_１−６アルキルであり、Ｌは水素、ハロゲン、シアノ、Ｃ_１−６アルコキシ又はＣ_１−６アルキルである。） （もっと読む）