【課題】窒素含有オルガノシラン又は酸素含有オルガノシランを、酸により触媒される侵食から安定化させ、そして生ずる分解を妨ぐための方法の提供。
【解決手段】製品の分解の影響を受けやすい、少なくとも一つのＳｉ−Ｈ又はＮ−Ｈ基を有する窒素含有オルガノシランを、（ａ）残余のアニオン又は金属カチオンを除去するための弱塩基性イオン交換媒体と接触させる段階、（ｂ）前記オルガノシランを前記弱塩基性イオン交換樹脂から分離する段階、（ｃ）前記オルガノシランを蒸留する段階よりなる処理を施す。上記Ｓｉ−Ｈ基を侵食するアニオン又は酸が排出され、この分解が妨げられる。これらのアニオンに低濃度で曝露しても、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素及び窒化ケイ素膜の使用に関する半導体の加工において、重大な分解を生じ、そして製品安定性及び長期間の有効期間に重大な影響が生じうる。 （もっと読む）

【課題】常圧下で、塗布法により、基体上に、均一なゲルマニウムドープシリコン導電膜を形成する方法およびそのためのリン原子含有高次シラン化合物の製造法の提供。
【解決手段】光重合性シラン化合物およびゲルマニウム化合物を含有する溶液に、４００ｎｍより長い波長の光線を照射せしめてゲルマニウム原子含有高次シラン化合物を生成せしめるゲルマニウム原子含有高次シラン化合物の製造法。上記方法で得られたゲルマニウム原子含有高次シラン化合物を含む溶液を基板に塗布し、さらにその塗布基板を熱処理することからなるゲルマニウム含有シリコン膜の形成方法。 （もっと読む）

【課題】金属窒化ケイ素ベース膜、金属酸化ケイ素又は金属酸窒化ケイ素ベース膜を形成させるために好適な前駆体の提供。
【解決手段】次の構造により表される有機金属錯体。


（式中、Ｍは、元素周期表の４族から選択される金属であり、そしてＲ^1〜4は、同一又は異なって、ジアルキルアミド、ジフルオロアルキルアミド、水素、アルキル、アルコキシ、フルオロアルキル及びアルコキシ、脂環式、並びにアリールから成る群から選択されることができるが、但しＲ¹及びＲ²が、ジアルキルアミド、ジフルオロアルキルアミド、アルコキシ、フルオロアルキル及びアルコキシである場合には、それらは連結して環を形成することができる。）。関連化合物もまた、開示されている。上記錯体を用いるＣＶＤ及びＡＬＤ堆積法がまた、含まれる。 （もっと読む）

【課題】 含窒素複素環化合物を工業的に効率よく製造するための方法を提供する。
【解決手段】 ヨウ化物塩と次亜ハロゲン酸塩またはエステルの存在下で、遷移金属化合物の非存在下、アミドとオレフィンの反応により、アジリジン化合物，及びオキサゾリン化合物を得る。 （もっと読む）

【課題】炭窒化ケイ素膜形成用前駆体の化学気相成長により基材上に炭窒化ケイ素膜を形成するための方法を提供する。
【解決手段】以下の式、即ち、


及びそれらの混合物によって表され、アミノシランからなる群より選択された前駆体を用いることを含む方法。 （もっと読む）

本発明は、（ｉ）アミノ分解工程において、一成分系前駆体化合物をアンモニアまたは有機アミンと反応させ、（ｉｉ）アミノ分解による反応混合物は、連続的に運転される抽出工程で少なくとも１回有機溶剤で抽出され、（ｉｉｉ）抽出の際に生じるアンモニア含有相または有機アミン含有相は、廃棄されるか、後処理されるか、または少なくとも一部分が返送され、および（ｉｖ）抽出の溶剤含有相から炭素含有のモノボロシラザン、オリゴボロシラザンおよび／またはポリボロシラザンを取得することを特徴とする、炭素含有のモノボロシラザン、オリゴボロシラザンおよび／またはポリボロシラザンを製造するための装置および方法に関する。
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【課題】 屈折率およびアッベ数の高い光学製品の原料として有用な金属含有チオール化合物、およびそれを効率よく製造する方法を提供すること。
【解決手段】 下記一般式（１）で表される金属含有チオール化合物
Ｍ(Ｒ₁)_n(Ｓ-Ｒ₂-ＳＨ)_4-n （１）
（式中、Ｍは、ケイ素、ゲルマニウム、スズ、ジルコニウムまたはチタン原子を示し、Ｒ₁およびＲ₂は、それぞれ独立に、炭素数１〜６のアルカン残基、炭素数４〜７のシクロアルカン残基、ヘテロ原子が酸素、窒素もしくは硫黄原子である炭素数３〜７のヘテロ環式化合物残基または炭素数６〜１０の芳香族化合物残基を示し、各残基は置換基を有していてもよい。ｎは０〜３の整数である。）、並びに一般式Ｍ(Ｒ₁)_nＸ_4-n（Ｘはハロゲン原子を示す。）で表されるハロゲン化金属化合物と一般式Ｒ₂(ＳＨ)₂で表されるジチオール化合物を反応させる一般式（１）で表される金属含有チオール化合物の製造方法である。 （もっと読む）

低誘電率（ｋ）薄フィルム、高ｋゲートシリケート、低温ケイ素エピタキシャルフィルム、ならびに窒化ケイ素（Ｓｉ_３Ｎ_４）、オキシ窒化ケイ素（ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ）および／または二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）含有フィルムのような、半導体デバイスの製造時のケイ素含有フィルムを形成するためのケイ素前駆体を開示する。本発明の前駆体は、ＵＬＳＩデバイスおよびデバイス構造の作製のための、低温（たとえば、＜５００℃または＜３００℃）化学蒸着法において使用可能である。
【化１】
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【課題】気化安定性を向上し得る、有機金属化学気相成長法用原料を提供する。
【解決手段】Ｈｆ又はＳｉのいずれか一方又はその双方を含有するゲート絶縁膜用の酸化膜を形成するためのＭＯＣＶＤ法用原料であって、化合物の一般式がＭ［(Ｒ¹)₂Ｎ］₄（但し、ＭはＨｆ又はＳｉであり、Ｒ¹はメチル基又はエチル基である。）で示され、化合物中に不純物として含まれる塩素量が２００ｐｐｍ以下、かつ不純物として含まれる水分量が３０ｐｐｍ以下である有機金属化合物からなる有機金属化学気相成長法用原料。有機金属化学気相成長法用溶液原料を製造することができ、この溶液原料を用いて蒸着法により金属含有薄膜を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】 プラスチックレンズなどの光学部材に要求される高い透明性を有しつつ、かつ、屈折率（ｎｄ）１．７を超える高屈折率を有する樹脂の原料となる重合性化合物、該樹脂からなる光学部材を提供する。
【解決手段】 一般式（１）で表される化合物、


（１）

（式中、ＭはＳｎ原子、Ｓｉ原子、Ｚｒ原子、Ｔｉ原子またはＧｅ原子を表す）

該化合物を含有する重合性組成物、該重合性組成物を重合して得られる樹脂、ならびに、該樹脂からなる光学部材に関する。 （もっと読む）