【課題】ラインエッジラフネス（ＬＥＲ）を改善し、パターン倒れを抑制できる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、それを用いたレジスト膜及びパターン形成方法、並びに電子デバイスの製造方法及び電子デバイスの提供。
【解決手段】（Ａ）下記一般式（Ｉ−１）〜（Ｉ−３）のいずれかで表される構造を有する繰り返し単位と、ラクトン構造、サルトン構造及びシアノ基からなる群より選択される少なくとも１種を含有する繰り返し単位とを有する樹脂、及び（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
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【課題】安価に実施可能であり、段差基板上でのパターン形成性に優れたパターン形成方法、及び該方法に使用するための感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の提供。
【解決手段】（ア）側鎖にラクトン環構造を有する特定のアクリル酸エステル繰り返し単位（ａ）、ならびに下記一般式（III）、（IV）及び（V）の少なくとも１つで表される少なくとも１種の繰り返し単位（ｂ）を有する樹脂（Ｐ）と、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物（Ｂ）とを含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程と、（イ）前記膜をＫｒＦエキシマレーザーにて露光する工程と、（ウ）有機溶剤を含む現像液を用いて前記膜を現像し、ネガ型のパターンを形成する工程とを含むパターン形成方法。
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【解決手段】酸不安定基で置換されたカルボキシル基を有する繰り返し単位及び／又は酸不安定基で置換されたヒドロキシ基を有する繰り返し単位とオキシラン環又はオキセタン環を有する繰り返し単位を含有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得るパターン形成方法。
【効果】本発明によるレジスト膜は、有機溶剤による現像におけるポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く溶解コントラストが高く、酸拡散を抑制する特徴を有する。このフォトレジスト膜を用いて格子状パターンのマスクを使って露光し、有機溶剤現像を行うことによって、微細なホールパターンを寸法制御よく形成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】従来のレジスト組成物では、得られるパターンのマスクエラーファクター（ＭＥ
Ｆ）が必ずしも十分に満足できない場合があった。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物。


［式（Ｉ）中、Ｔ１は、単結合又は芳香族炭化水素基を表す。Ｌ１は、飽和炭化水素基を
表し、該飽和炭化水素基を構成しているメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き
換わっていてもよい。ｍは０又は１を表す。Ｌ２及びＬ３は、単結合又は飽和炭化水素基
を表し、該飽和炭化水素基を構成しているメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置
き換わっていてもよい。環Ｗ１及び環Ｗ２は、炭化水素環を表す。Ｒ１及びＲ２は、水素
原子、ヒドロキシ基又はアルキル基を表す。Ｒ３及びＲ４は、ヒドロキシ基又はアルキル
基を表す。Ｒ５は、水素原子又はメチル基を表す。ｔは、０〜２の整数を表す。ｕは、０
〜２の整数を表す。］ （もっと読む）

【課題】良好な形状のレジストパターンを形成できる、ネガ型レジスト組成物に用いる樹脂成分として有用な高分子化合物の提供。
【解決手段】一般式（ｆ１−１）又は一般式（ｆ１−２）で表される塩基解離性基を含む構成単位（ｆ１）と架橋性基含有基を含む構成単位（ｆ２）とを有する高分子化合物。式中、Ｒは水素原子、炭素原子数１〜５の低級アルキル基、又は炭素原子数１〜５のハロゲン化低級アルキル基であり；Ｘは二価の有機基であり、Ａ_ａｒｙｌは置換基を有していてもよい芳香族環式基であり、Ｘ_０１は単結合又は二価の連結基であり、Ｒ^２はフッ素原子を有する有機基である。
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【課題】室温付近で液晶相を示し、溶媒溶解性に優れる重合性組成物であって、硬化させると、均一な膜状態を維持し、配向制御及び光学特性に優れ、且つ基材への密着性に優れる重合膜が得られる重合性組成物を提供すること。
【解決手段】下記一般式（１）で表される化合物（Ａ）並びに（メタ）アクリレート基及びカルボキシル基を各々少なくとも一つ有する化合物（Ｂ）を含有する重合性組成物。下記式中、Ｒ¹及びＲ²は、各々独立に水素原子又はメチル基を表し、環Ａ¹〜Ａ³は、各々独立にベンゼン環、ナフタレン環等を表し、Ｘ、Ｙ及びＺは、各々独立にＣ１〜８アルキル基等を表し、Ｌ¹〜Ｌ⁴は、各々独立に単結合、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ等を表し、ａ、ｂ及びｃはそれぞれ環Ａ¹〜Ａ³における置換基の数であって、環Ａ¹〜Ａ³に含まれる６員環の数をｖとすると、ａ、ｂ及びｃは各々独立に２ｖ＋２以下の整数を表す。
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【課題】高硬度であって、透明性および撥水性に優れた硬化物（塗膜）が得られる、硬化性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】フッ素原子を有さない、１分子中に６個以上の（メタ）アクリロイルオキシ基を有する化合物（Ａ）と、上記（メタ）アクリロイルオキシ基と反応しうる反応性官能基と、フルオロアルキル基と、を有するシルセスキオキサン（Ｂ）と、光重合開始剤（Ｃ）と、を含有する硬化性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】簡便な方法で、抵抗値が低く、電流の均一性に優れ、かつ長期保存での導電性の劣化がなく、安定性の高い透明導電性基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板２上に、金属を含有する細線電極３と導電性ポリマー含有層４とが形成され、該細線電極３が金属粒子及び溶剤を含有する導電性インクにより形成され、該導電性インクを基板２上に付与した後、該導電性インクの焼成温度Ｔ_０（℃）より低く、かつ該導電性インク成分の揮発温度Ｓ_Ｔ（℃）よりも高い温度Ｔ_１（℃）でＳ_１（分）加熱された後に、焼成温度Ｔ_０（℃）でＳ_２（分）加熱され、かつ該焼成温度Ｔ_０（℃）と該溶剤の揮発温度よりも高い温度Ｔ_１（℃）との差が、２００℃＞Ｔ_０−Ｔ_１＞５０℃の関係を満たす透明導電性基板１を形成する。 （もっと読む）

【課題】 適度な強度の酸を発生させ、かつ、発生酸の移動、拡散を適度に制御することが可能であり、また、基板との密着性を損なわない酸発生単位をベースポリマーに導入することができるスルホニウム塩、該スルホニウム塩を用いた高分子化合物、該高分子化合物をベースポリマーとして用いた化学増幅型レジスト組成物および、該化学増幅型レジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 下記一般式（１）で表される重合性アニオンを有するスルホニウム塩。
【化１】
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【課題】リソグラフィー特性及びレジストパターン形状に優れ、且つ高感度なレジストパターンを形成できるレジスト組成物、及び該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）及び露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有するレジスト組成物であって、基材成分（Ａ）は、α位の炭素原子に結合した水素原子が置換基で置換されていてもよいアクリル酸エステルから誘導される構成単位であって、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位（ａ１）と、ヒドロキシアダマンチル基を有する（メタ）アクリレート単位（ａ５）とを有する樹脂成分（Ａ１）を含有し、酸分解性基を分解させるための活性化エネルギーが１００ｋＪ／ｍｏｌ以下であるレジスト組成物。 （もっと読む）