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国際特許分類[C08F32/08]の内容

国際特許分類[C08F32/08]に分類される特許

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【課題】パターン形状の設計の自由度が広く、寸法精度の高いコア部(光路)を簡単な方法で形成することができ、また、耐久性に優れる光導波路を備えた光導波路構造体および電子機器を提供すること。
【解決手段】光導波路構造体1は、コア層93の両面にクラッド層91、92を積層してなる光導波路9と、その両面にそれぞれ接合された導体層51、52と、光導波路9の光路をほぼ直角に屈曲させる光路変換部96と、発光素子10と電気素子12とを備えている。コア層93は、コア部94とクラッド部95とを有し、コア部94は、(A)環状オレフィン樹脂と、(B)前記(A)とは屈折率が異なり、かつ環状エーテル基を有するモノマーおよび環状エーテル基を有するオリゴマーのうちの少なくとも一方と、(C)光酸発生剤と、を含む組成物で構成された層に対し光を選択的に照射することにより所望の形状に形成されたものである。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、生産性が高く、光損失の少ない感光性樹脂組成物を提供することを目的とする。また、前記感光性樹脂組成物を用いることにより、生産性が高く、光損失の少ない光導波路形成用感光性樹脂組成物、光導波路形成用フィルム、光導波路、光配線、光電気混載基板および電子機器を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明の感光性樹脂組成物は、光導波路形成用の感光性樹脂組成物であって、(A)官能基を2つ以上有する脂環式エポキシモノマー及び/又は(B)官能基を2つ以上有するオキセタンモノマーと、(C)酸発生剤とを含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】無機膜との密着性に優れ、銅配線のヒロックを抑制できる絶縁膜、該絶縁膜を備える半導体装置及び該絶縁膜を提供できる膜形成用組成物を提供すること。
【解決手段】本発明の絶縁膜は、1分子内に、アダマンタン型のかご型構造を含む部分構造と、重合反応に寄与する重合性反応基とを有する重合性化合物および/または当該重合性化合物が部分的に重合した重合体を含む膜形成用組成物を用いて形成された絶縁膜であって、該絶縁膜とSiCN膜とを用いて測定される、m−ELT法による密着力が、0.15MPa・m(1/2)以上0.35MPa・m(1/2)以下であることを特徴とする。前記重合性反応基は、芳香環と、当該芳香環に直接結合するエチニル基またはビニル基とを有するものであり、前記重合性化合物において、前記芳香環由来の炭素の数は、当該重合性化合物全体の炭素の数に対して、15%以上、38%以下であるのが好ましい。 (もっと読む)


【解決手段】(A)水性アルカリ性現像液に可溶性であり、酸触媒による反応で水性アルカリ性現像液に不溶性となるベースポリマー、及び/又は、水性アルカリ性現像液に可溶性であり、酸触媒により架橋剤と反応して水性アルカリ性現像液に不溶性になるベースポリマーと架橋剤の組み合わせ、(B)酸発生剤、(C)塩基性成分として窒素を含有する化合物を含有する化学増幅ネガ型レジスト組成物において、上記ベースポリマーの少なくとも一部として、一般式(1)で示される高分子化合物を用いる。


【効果】酸の拡散をより均一かつ低拡散にすることができ、ラインエッジラフネスの改善、パターンの基板依存性の小さい化学増幅ネガ型レジスト組成物を提供する。 (もっと読む)


【課題】レジスト組成物自体の熱安定性・保存安定性が良好で、ClやNaなどのイオン性の不純物が少なく、広い波長領域で透明性に優れ、厚膜かつアスペクト比の高いレジストパターンが得られるイオンビーム描画用ネガ型レジスト組成物およびそれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】次の成分(A)および(B)を含有するイオンビーム描画用ネガ型レジスト組成物並びに上記のネガ型レジスト組成物を利用するパターン形成方法。(A)下記式(1)または環状オレフィンを開環重合した後水素添加した重合体単位、ビニルエーテル重合体単位から選ばれ、イオンビームの照射により現像液に難溶又は不溶となる樹脂、(B)樹脂(A)を溶解する少なくとも一種以上の有機溶剤。
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【課題】高集積かつ高精度な電子デバイスを製造するための高精度な微細パターンをより安定的に形成するために、フォーカス余裕度(DOF)が広く、線幅バラツキ(LWR)が小さく、更にはブリッジ欠陥が低減されたパターンを形成できるパターン形成方法、これに用いる化学増幅型レジスト組成物、及び、該化学増幅型レジスト組成物により形成されるレジスト膜を提供する。
【解決手段】(ア)化学増幅型レジスト組成物により膜を形成する工程、(イ)該膜を露光する工程、(ウ)有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程、を含むパターン形成方法であり、前記レジスト組成物が、(A)実質的にアルカリ不溶性である樹脂、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、(C)架橋剤、(D)溶剤、を含有することを特徴とするパターン形成方法、該方法に用いる化学増幅型レジスト組成物、及び、該化学増幅型レジスト組成物により形成されるレジスト膜。 (もっと読む)


【課題】耐熱性に優れると共に皮膜形成能を有する高分子量のノルボルネン系トランスアニュラー重合体を提供する。
【解決手段】一般式(1)で表されるノルボルネン系重合体(A)の製造方法において、特定のルイス酸(b)と特定のアンモニウムボレート塩(c)の存在下で5−アルキリデンノルボルネン(a)を重合させることを特徴とするノルボルネン系重合体(A)の製造方法。


[式中、R1は炭素数1〜3のアルキル基、mは0以上の整数、nは72以上の整数であって、かつm+nは80以上、n/(m+n)は0.9〜1あり、各構造単位の結合形式はランダム、ブロック又はこれらの併用であってもよい。] (もっと読む)


【課題】本発明の目的はフォトレジスト組成物に用いる多環式オレフィンポリマーの重合方法を提供することである。
【解決手段】本発明により(a)多環式オレフィンモノマーを含むモノマー配合物、非オレフィン系連鎖移動剤および活性剤化合物を合わせて混合物を形成すること;(b)混合物を加熱すること;および(c)Niおよび/またはPdを含有する重合触媒を加えることを含む、多環式オレフィンモノマーの重合方法が提供される。非オレフィン系連鎖移動剤には、H、アルキルシラン、アルキルアルコキシシラン、アルキルゲルマン、アルキルアルコキシゲルマン、アルキルスタナン、およびアルキルアルコキシスタナンからなる群より選択される1種以上の化合物が含まれる。活性剤は、pKaが少なくとも5の活性水素を有することを特徴とする。得られる多環式オレフィンポリマーはフォトレジスト組成物に用いることができる。 (もっと読む)


【課題】空孔特性に優れ、表面にナノ〜ミクロンレベルの微細孔を有し、柔軟性と耐熱性に優れる非対称膜を提供する。
【解決手段】式(1)で示されるシロキサン官能性環状オレフィンを含む単量体組成物を付加重合することで得られる環状オレフィン重合体からなる非対称膜。


(式中、Rは、互いに独立に、炭素数1〜12のアルキル基及び/又は炭素数6〜10のアリール基であり、Xは所定のシロキシ基であり、aは1〜3の整数であり、bは0〜2の整数である。) (もっと読む)


【課題】SPM等の大気中の浮遊物質を十分に遮断可能であり、且つ外気を十分に導入することが可能な空調システムを提供する。
【解決手段】空調対象空間への気体の供給及び/又は空調対象空間からの気体の排出が透過膜13を通して行われる空調システムにおける透過膜としてケイ素含有置換基を有するノルボルネン系の単量体を含む単量体組成物を重合してなる高分子材料によって形成されている非対称膜13を用いる。 (もっと読む)


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