国際特許分類[C08G77/16]の内容
化学;冶金 (1,075,549) | 有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物 (224,083) | 炭素−炭素不飽和結合のみが関与する反応以外の反応によって得られる高分子化合物 (33,999) | 高分子の主鎖にいおう,窒素,酸素または炭素を有しまたは有せずにけい素を含む連結基を形成する反応により得られる高分子化合物 (3,161) | ポリシロキサン (2,133) | 酸素含有基に結合したけい素を含むもの (379) | 水酸基に (51)
国際特許分類[C08G77/16]に分類される特許
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反射防止フィルム、該反射防止フィルムを用いた偏光板及び、該反射防止フィルム又は該偏光板をディスプレイの最表面に用いた画像表示装置
【課題】十分な反射防止性を有しながら耐擦傷性・防汚性の向上した反射防止フィルムを提供すること、そのような反射防止フィルムを用いた偏光板や画像表示装置を提供すること。
【解決手段】特定の構造を有する水酸基含有分岐ポリグリセロール変性シリコーンと、含フッ素共重合体とを含有する塗布液組成物を硬化させることによって形成された低屈折率層を含む反射防止フィルム、そのような反射防止フィルムが、偏光板における偏光膜の2枚の保護フィルムのうちの一方に用いられている偏光板、及びそのような反射防止フィルム又は偏光板がディスプレイの最表面に用いられている画像表示装置。
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高分子量のオルガノポリシロキサンの製造法
本発明は、第一の段階において、一般式HO(R2SiO)m(HRSiO)nH (I)のOH末端の主として線状のシロキサン(1)と、k=0の時、H2C=CR3−Z (2a)およびk=1の時、R4C≡C−Z (2b)の群から選択された式CfH2f−2k−1−Z (II)の有機化合物(2)とを反応させ、かつ第二の段階において、第一の段階において得られた一般式HO(R2SiO)m((Z−CfH2f−2k)RSiO)n−o(HRSiO)oH (III)[式中、oは、0でありまたは1〜10の整数である]のシロキサンジオール(3)を縮合し、その際、基および添え字は請求項1の中で示された意味を有することを特徴とする、高分子量のシロキサンポリマーの製造法に関する。 (もっと読む)
半導体発光デバイス用部材及びその製造方法、並びにそれを用いた半導体発光デバイス
【課題】透明性、耐光性、耐熱性、耐リフロー性及び耐温度サイクル性に優れ、長期間使用してもクラックや剥離を生じることなく半導体発光デバイスを封止し、蛍光体を保持することのできる、新規な半導体発光デバイス用部材を提供する。
【解決手段】固体Si−核磁気共鳴スペクトルにおいて、ピークトップの位置がケミカルシフト−40ppm以上0ppm以下の領域にあり、ピークの半値幅が0.3ppm以上、3.0ppm以下であるピーク、及び、ピークトップの位置がケミカルシフト−80ppm以上−40ppm未満の領域にあり、ピークの半値幅が0.3ppm以上5.0ppm以下であるピークからなる群より選ばれるピークを、少なくとも1つ有するとともに、ケイ素含有率が20重量%以上であり、シラノール含有率が0.1重量%以上、10重量%以下であり、デュロメータタイプAによる硬度測定値(ショアA)が5以上90以下である。
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シリコーン樹脂の製造方法
【解決手段】(1)一般式(i)で表わされるモノメチルシランの1種又は2種以上の混合物と、
CH3SiClm(OR’)3-m (i)
(R’は炭素数3〜10のアルキル基又はアリール基を表し、m=0,1又は2である。)
(2)CH3SiCl3以外のクロルシランと
をモル比として(1)/(2)=5/95〜100/0の割合で用いたシラン原料を、
(A)水と、
(B)水と混合、静置すると水と2相に分離する有機溶媒と
からなる溶媒混合物を撹拌しているところに、上記シラン原料中の加水分解性基Si−X(X=Cl及びOR’)に対する(A)成分の水のモル比が水/Si−X=5〜50の範囲を満たすように加え、反応させることを特徴とする分子鎖末端にSiOH基を有するシリコーン樹脂の製造方法。
【効果】本発明の製造方法によれば、末端がSiOH基で封鎖されたシリコーン樹脂を経済的にも有利で、環境に問題を与えることなく、容易に製造することができる。
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レジスト組成物並びにこれを用いたパターン形成方法
【解決手段】(A)式(1)、(2)、(3)の化合物を含む加水分解性シランモノマー混合物の共加水分解・縮合により得たシリコーン樹脂、
(B)酸発生剤、
(C)含窒素有機化合物、
(D)有機溶剤
を含有するレジスト組成物。
R5R6qSiX3-q (2)
R7R8rSiX3-r (3)
(R1、R2、R3は水素原子、フッ素原子、アルキル基又はフッ素化されたアルキル基で、少なくとも一つはフッ素原子を含む。R4は炭化水素基、R5は官能基として酸分解性保護基で保護されたカルボキシル基を持つ有機基、R6はR4と同定義、R7は官能基としてラクトン環を有する有機基、R8はR4と同定義。Xは水素原子、塩素原子、臭素原子又はアルコキシ基、pは0又は1、qは0又は1、rは0又は1。)
【効果】本発明のレジスト組成物は、従来の近接位炭素がフッ素化されたアルコールを極性基とする組成物と同等以上の解像性を示し、酸素反応性エッチングにおけるエッチング選択比の問題もなく、ArF露光の2層レジスト法に好適である。
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着色シリカ系被膜形成用組成物
【課題】 半導体素子等に形成されているパターン形状を隠すために好適な着色層を形成するための着色シリカ系被膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】 着色シリカ系被膜形成用組成物は、シロキサンポリマーと、着色剤と、溶媒とを含む。このシロキサンポリマーとしては、ラダー型シロキサンポリマーが好適に用いられる。
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ポリオルガノシルセスキオキサンおよびその製造方法
【課題】
有機溶媒との相溶性が高く、また、シラノール基が極めて少なく、分子量分布が狭い低分子ポリオルガノシルセスキオキサン及びその製造方法の提供。
【解決手段】
ゲルパーミエーションクロマトグラフィーによる標準ポリスチレン換算の重量平均分子量(Mw)が500〜20,000であり、分子量分布(Mw/Mn)が1.0〜3.0の範囲で占められ、式〔1〕及び式〔2〕
で表される繰り返し単位、並びに式〔3〕で表される末端基を有し、上記式〔1〕中の3つの酸素原子が結合したケイ素原子が70mol%以上、上記式〔2〕中の2つの酸素原子と1つの水酸基が結合したケイ素原子が30mol%以下であり、上記式〔3〕中の1つの酸素原子と2つの水酸基が結合したケイ素原子が1mol%以下で構成されてなることを特徴とするポリオルガノシルセスキオキサン。
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半導体発光デバイス用部材及びその製造方法、並びにそれを用いた半導体発光デバイス
【課題】透明性、耐光性、耐熱性、耐リフロー性及び耐温度サイクル性に優れ、長期間使用してもクラックや剥離を生じることなく半導体発光デバイスを封止し、蛍光体を保持することのできる、新規な半導体発光デバイス用部材を提供する。
【解決手段】固体Si−核磁気共鳴スペクトルにおいて、ピークトップの位置がケミカルシフト−40ppm以上0ppm以下の領域にあり、ピークの半値幅が0.3ppm以上、3.0ppm以下であるピーク、及び、ピークトップの位置がケミカルシフト−80ppm以上−40ppm未満の領域にあり、ピークの半値幅が0.3ppm以上5.0ppm以下であるピークからなる群より選ばれるピークを、少なくとも1つ有するとともに、ケイ素含有率が20重量%以上であり、シラノール含有率が0.1重量%以上、10重量%以下であり、デュロメータタイプAによる硬度測定値(ショアA)が5以上90以下である。
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半導体発光デバイス用部材及びその製造方法、並びにそれを用いた半導体発光デバイス
【課題】透明性、耐光性、耐熱性に優れ、長期間使用してもクラックや剥離を生じることなく半導体発光デバイスを封止し、蛍光体を保持することのできる、新規な半導体発光デバイス用部材を提供する。
【解決手段】(1)固体Si−核磁気共鳴スペクトルにおいて、
(i)ピークトップの位置がケミカルシフト−40ppm以上0ppm以下の領域にあり、ピークの半値幅が0.5ppm以上、3.0ppm以下であるピーク、及び、
(ii)ピークトップの位置がケミカルシフト−80ppm以上−40ppm未満の領域にあり、ピークの半値幅が1.0ppm以上5.0ppm以下であるピーク
からなる群より選ばれるピークを、少なくとも1つ有するとともに、
(2)ケイ素含有率が20重量%以上であり、
(3)シラノール含有率が0.1重量%以上、10重量%以下である。
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OH末端有機水素ポリシロキサンを生成する方法
本発明は、OH末端オルガノヒドロポリシロキサン(P)を調製するためのプロセスを提供するものであり、このプロセスの第1ステップにおいて、オルガノヒドロジクロロシラン(A)およびジオルガノジクロロシラン(A)を加水分解性塩素1モル当たり最大0.5モルの水と反応させて部分水解物(T)および塩化水素ガスを得て、第2ステップにおいては依然存在するSiCl基を除去するため部分水解物(T)を水で処理して塩酸を発生させ、オルガノヒドロポリシロキサン(P)を含む水解物(H)を得る。 (もっと読む)
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