【課題】 鮮鋭性を維持しながらコントラストに優れた放射線像変換パネル及びそれを用いた放射線像撮影方法を提供する。
【解決手段】 支持体上に、気相堆積法で形成された柱状結晶の輝尽性蛍光体を含有する輝尽性蛍光体層、保護層をこの順に積層した放射線像変換パネルを用いる放射線像撮影方法において、該柱状結晶の平均長さが１００〜１０００μｍであり、かつ撮影時の管電圧が５０ｋＶ以上であることを特徴とする放射線像撮影方法。 （もっと読む）

【課題】軽水炉等の核分裂炉、および核融合炉における高温動作に適した照射誘起発光体およびこれを配した放射線計測装置の提供。
【解決手段】希土類酸化物を用いることにより高温で動作する照射誘起発光体が得られ、またこの希土類酸化物を用いたことを特徴とする放射線計測装置が得られる。更に詳しくは、希土類酸化物として、ユーロピウム酸化物（Eu₂O₃）、ガドリニウム酸化物（Gd₂O₃）乃至エルビウム酸化物（Er₂O₃）の内一つあるいは複数と、光ファイバーと、光検出器とで構成され、前記光ファイバーの一端に該発光体を配した放射線計測装置である。 （もっと読む）

【課題】 輝尽性蛍光体粒子内に発光分布がなく、それを用いた放射線像変換パネルは粒状性がよく、Ｘ線損傷による発光強度低下も小さい、希土類賦活アルカリ土類金属フッ化ハロゲン化物系輝尽性蛍光体とそれを用いた放射線像変換パネルを提供することにある。
【解決手段】 下記一般式（Ｉ）で表され、発光面積が蛍光体粒子表面積の５０〜１００％である希土類賦活アルカリ土類金属フッ化ハロゲン化物系輝尽性蛍光体。
一般式（Ｉ） Ｂａ_(1-x)Ｍ²_(x)ＦＢｒ_(y)Ｉ_(1-y)：ａＭ¹，ｂＬｎ，ｃＯ
（式中、Ｍ¹はＬｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ及びＣｓ、Ｍ²はＢｅ，Ｍｇ，Ｓｒ及びＣａ、ＬｎはＣｅ，Ｐｒ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｔｍ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｎｄ，Ｅｒ及びＹｂ、ｘ，ｙ，ａ，ｂ及びｃは、各々、０≦ｘ≦０．３，０≦ｙ≦０．３，０≦ａ≦０．０５，０＜ｂ≦０．２，０≦ｃ≦０．１） （もっと読む）

【課題】 Ｇｄを含有する金属酸化物からなる母体材料に、発光中心としてＣｅが添加された構造を有する無機シンチレータであって、蛍光出力が十分に大きく、しかも蛍光減衰時間が十分に短い無機シンチレータを提供する。
【解決手段】 上記課題を解決するために、本発明は、放射線によりシンチレーションを起こすことが可能な無機シンチレータであって、Ｌｕ、Ｇｄ、Ｃｅ及びＳｉを含有する金属酸化物からなる結晶であり、下記式（１Ａ）；
０．００２５≦｛Ａ_Ｃｅ／（Ａ_Ｌｕ＋Ａ_Ｇｄ）｝≦０．０２５ …（１Ａ）
で表される条件を満足し、かつ波長４１５ｎｍの光に対する吸収係数が０．５００ｃｍ^−１以下である無機シンチレータを提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、無機薄膜エレクトロルミネッセンスディスプレイ、無機分散エレクトロルミネッセンスディスプレイ、蛍光表示管、電界放出型ディスプレイ、ＣＲＴ等のディスプレイやランプ等に用いられる蛍光体に関し、青の色度を向上させると共に、青の色度が略一定となるよう再現良く発光させることのできる蛍光体を提供する。
【解決手段】Ｙ，Ｌａ、Ｓｃ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎイオンのうち少なくとも１つのイオンををＺｎＳにドープしたものを母材として用い、この母材に付活剤であるＣｅイオンを付活させた蛍光体。 （もっと読む）

【課題】 交流駆動をしても照明のチラツキがなく、しかもスイッチをオフにすれば殆ど違和感なく消光することができると共に、半導体発光装置自体にチラツキ防止手段が施され、半導体発光装置をどのような状態で照明装置などに組み込んでも照明装置側に特別な処理を施すことなくチラツキを防止することができる半導体発光装置を提供する。
【解決手段】 基板１１上に発光層を形成するように半導体層を積層して半導体積層部１７が形成され、その半導体積層部１７が複数個に電気的に分離されると共に、それぞれに一対の電極１９、２０が設けられることにより、複数個の発光部１が形成されている。この複数個の発光部１は、配線膜３を介して、それぞれ直並列に接続されると共に、複数の発光部１の光発射面側に残光時間が１０ミリ秒から１秒以内の蛍光材料を含有する蛍光体層６、および／または蓄光ガラスを含む層を設けられている。 （もっと読む）

【課題】より優れた輝尽発光輝度を有する放射線画像変換パネルの製造方法を提供すること。
【解決手段】基板上に気相堆積法で輝尽性蛍光体層が形成された蛍光体プレートを空気又は不活性ガス雰囲気下で熱処理と有機溶剤ガス雰囲気下で熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】 画像欠陥が少なく、感度（輝度）、鮮鋭性共に良好な放射線画像変換パネルの製造方法及び放射線画像変換パネルの提供。
【解決手段】 輝尽性蛍光体を含有する蒸発源を抵抗加熱方法により加熱して基板上に蒸着させることにより輝尽性蛍光体層を形成する工程を有する放射線画像変換パネルの製造方法において、蒸着装置として蒸発源と支持体（基板）との間に開閉可能なシャッタを具備した蒸着装置を用いて、該開閉可能なシャッタを閉じた状態で加熱を開始し、一定時間経過後にシャッタを開いて基板上に蒸着源を蒸着することを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法。 （もっと読む）

本発明は、厚膜絶縁性電子発光ディスプレイ用の多成分の薄膜の燐光物質のための新規なスパッタターゲット及び蒸着方法であって、蒸着された燐光物質は、テレビ用として要求される高輝度と多色を提供する。 この方法は、反応種と非反応種とを有するガスを含む低圧スパッタリング雰囲気中で、単一の複合ターゲットをスパッタリングするステップを備えている。 この複合ターゲットは、マトリクス相と封入相、若しくは２つのマトリクス相を有しており、前記相の一方が、燐光物質の組成に寄与する一以上の金属元素を含むと共に、成分相の他方が、燐光物質の組成に寄与する残余の元素を含んでいる。 前記方法においては、複合ターゲットのマトリクス相及び封入相のスパッタリング速度を制御するためにスパッタリング雰囲気内で前記反応種の圧力を変化させることにより、蒸着すべき２つの相における元素の割合を、基板上に形成する燐光体膜として所望の割合とするステップを更に備えている。 （もっと読む）

【課題】低コストで製造することができ、画質及び安定性が良好な放射線画像変換パネルを実現する。
【解決手段】 支持体上に輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルにおいて、輝尽性蛍光体層に含有される輝尽性蛍光体の粒子の表面を、所定のフッ素含有化合物により覆い、輝尽性蛍光体に疎水性能を付与するようにした。 （もっと読む）