【課題】
半導体工業で求められている、フッ素以外のハロゲンを実質上含まないモノフルオロメタンを実用的かつ効率的に製造する方法を提供する。
【解決手段】
本発明は、１−メトキシ−１，１，２，２−テトラフルオロエタンを触媒と接触させて熱分解する熱分解工程と、熱分解生成物からモノフルオロメタンを回収する工程とを少なくとも有するモノフルオロメタンの製造方法であり、回収する工程において行われる分離は、蒸留、吸収、反応などによることができる。 （もっと読む）

【課題】地球環境に対する影響が小さく、かつ必要とされる性能を有するドライエッチング剤を提供する。
【解決手段】（Ａ）１，３，３，３−テトラフルオロプロペンと、（Ｂ）Ｈ_２、Ｏ_２、ＣＯ、Ｏ_３、ＣＯ_２、ＣＯＣｌ_２、ＣＦ_３ＯＦ、ＣＯＦ_２、ＮＯ_２、Ｆ_２、ＮＦ_３、Ｃｌ_２、Ｂｒ_２、Ｉ_２、ＣＨ_４、Ｃ_２Ｈ_２，Ｃ_２Ｈ_４，Ｃ_２Ｈ_６、Ｃ_３Ｈ_４、Ｃ_３Ｈ_６、Ｃ_３Ｈ_８、ＨＩ、ＨＢｒ、ＨＣｌ、ＮＯ、ＮＨ_３、及びＹＦｎ（式中、ＹはＣｌ、Ｂｒ、又はＩを表し、ｎは整数を表し、１≦ｎ≦７である。）からなる群より選ばれる少なくとも１種のガスと、（Ｃ）不活性ガスを含むドライエッチング剤を提供する。
これらのエッチング剤を用いることにより飛躍的にプロセスウインドウを広げることができ、特殊な基板の励起操作等なしにサイドエッチ率が小さく高アスペクト比が要求される加工にも対応できる。 （もっと読む）

本発明は、半導体装置の表面上への新規なエッチング組成物の非接触堆積方法、さらにはその後に行われる、これら半導体装置の最上部に位置する機能層のエッチングに関する。前記機能層は、表面パッシベーション層及び／又は反射防止コーティング（ＡＲＣ）として提供され得る。 （もっと読む）

ドープされたシリコン含有材料の除去よりも速いかまたは等しい速度で、ドープされていないシリコン含有材料をマイクロエレクトロニクスデバイスから除去するための組成物および方法。 （もっと読む）

【課題】 銀又は銀合金からなる金属膜と透明導電膜とを一液で、かつ工業的に満足できる速さでエッチングできるエッチング液及びエッチング方法を提供する。
【解決手段】 銀又は銀合金からなる金属膜と透明導電膜とを一液でエッチングするための組成物として、銅イオン、硝酸、及びフッ素化合物を含有する組成物を使用する。 （もっと読む）

【課題】窒化チタン被膜を剥離するための窒化チタン剥離液であって、絶縁層に影響を与えることなく、窒化チタン被膜を剥離することができる窒化チタン剥離液を提供すること。
【解決手段】フッ酸、過酸化水素、及び水溶性有機溶剤を含有し、前記水溶性有機溶剤が多価アルコール又はそのアルキルエーテルを含む、窒化チタン剥離液。本発明によれば、窒化チタン剥離液がグリコールエーテルを含有するので、窒化チタン被膜を剥離する際に、窒化チタン剥離液による絶縁層への浸食を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】 シリコン化合物含有膜と、ポリシリコン膜又はアモルファスシリコン膜とが積層された積層膜を微細加工する際に、シリコン化合物含有膜のみを選択的に微細加工する微細加工処理剤、及びそれを用いた微細加工処理方法を提供する。
【解決手段】 本発明の微細加工処理剤は、０．０５〜１０重量％のフッ化水素、１０〜３９重量％のフッ化アンモニウム及び水を含む混合溶液に、脂肪族アミン又は脂肪族アミノハイドロフロライドの少なくとも何れかの界面活性剤を０．００１〜０．１重量％添加したものであり、フッ化水素の含有量をＸ重量％、フッ化アンモニウムの含有量をＹ重量％とした場合に、Ｘ及びＹは下記数式を満たし、シリコン化合物含有膜とポリシリコン膜又はアモルファスシリコン膜とのエッチレートの選択比（シリコン化合物含有膜／（ポリシリコン膜、又はアモルファスシリコン膜））が１０００以上である。
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【課題】 単結晶ケイ素およびウェファーの製造工程でＳｉ基材を洗浄及び／又はエッチングするときに、基材の損傷を最小化しつつ高平滑度に仕上げる改良された表面処理用の組成物を提供する。
【解決手段】 組成物は、硝酸塩とフッ化水素酸より腐蝕性の低いフッ化物とを有効成分として含んで成る。硝酸塩のフッ化物に対する重量比を１：９〜９：１の範囲、より好ましくは、硝酸塩のフッ化物に対する重量比を３：７〜７：３の範囲とする。反応促進剤及び／又は界面活性剤を添加することができ、反応促進剤を添加する場合の濃度は、３０〜９０重量％の範囲とする。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスからのエッチ後残留物の除去のための組成物及び方法を提供する。
【解決手段】電子デバイスのような基体からポリマー物質を除去するために有用な組成物及び方法が提供される。フッ化物源、多価アルコール及びエーテル、水、並びに、炭酸を含むポリカルボン酸と有機アミンからなるＰＨ調節剤、を含む組成物。この組成物は、プラズマエッチ工程に続いて電子デバイスからポリマー残留物を除去するために特に好適である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、金属層の形成の前に、非導電性基板表面のエッチング、特にポリアミドまたはABSプラスチック表面をエッチングするための方法及びエッチング溶液に関する。
【解決手段】本発明においては、被エッチング表面を、Na、Mg、Al、Si、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Ca及びZnからなる群から選択された少なくとも１つの金属を含むハロゲン化物及び／または硝酸塩を有するエッチング溶液で処理する。本発明の利点はいかなるクロム酸塩も使用することがない点にある。 （もっと読む）