【課題】フォトレジストパターンの残渣物及びエッチング残渣物を効果的に剥離除去することができ、金属に対する防食性に優れ、さらには長時間の継続使用も可能なフォトリソグラフィ用剥離液、及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】フォトリソグラフィ用剥離液は、（Ａ）フッ化水素酸、（Ｂ）一般式（ｂ−１）で表される塩基性化合物、及び（Ｃ）水を含有する。式中、Ｒ^１ｂからＲ^５ｂは、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基等を示し、Ｒ^１ｂからＲ^５ｂの少なくとも１つは水素原子である。Ｒ^１ｂからＲ^４ｂのうちいずれか１つとＲ^５ｂとが相互に結合して環構造を形成してもよい。Ｙ^１ｂ及びＹ^２ｂは炭素数１〜３のアルキレン基を示し、ｎは０〜５の整数を示す。ｎが２以上のとき、複数のＲ^５ｂ同士及び複数のＹ^１ｂ同士は互いに同一であっても異なっていてもよく、Ｒ^５ｂ同士が相互に結合して環構造を形成してもよい。
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【課題】基板からフォトレジスト及びエッチング残渣を選択的に除去できる組成物であって、上記組成物に対して同様に露出している可能性のある金属に破壊的化学作用を及ぼさない組成物を提供することを課題とする、また、極微量の酸化シリコンを呈し、一般的に絶縁体に対するエッチング速度の低い組成物を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明は、フォトレジスト及びエッチング残渣を除去するのに適切な組成物であって、ａ）少なくとも約５０重量％の、テトラフルフリルアルコール、ジアセトンアルコール、１，４−シクロヘキサンジメタノール及びアルキレングリコールエーテルからなる群より選択される溶媒；ｂ）約０．００５〜約０．８重量％のフッ素ソース；ｃ）上限約４９．９重量％の水；及び、ｄ）上限約２０重量％の腐食抑制剤を含むことを特徴とする組成物を含む。また、本発明は、基板からフォトレジスト及び／又はエッチング残渣を除去する方法であって、上記の組成物と基板を接触させることを含むことを特徴とする方法にも関する。 （もっと読む）

【課題】外壁を洗浄するための洗浄剤を洗い流す工程に関連し、環境汚染を防ぐための新規な技術を提案する。
【解決手段】酸性洗浄剤を建物外壁の汚れ部分に直接塗布する第３工程Ｓ３と、アルカリ性洗浄水により酸性洗浄剤を洗い流す第４工程Ｓ４を有する。酸性洗浄剤を含む排水を中性に近づけることができ、そのまま下水に排水してしまう場合と比較して、環境負荷を低減することができ、環境汚染を防ぐことが可能となる。また、アルカリ性洗浄水による中和の作用によって、残留してしまった酸性洗浄剤のｐＨを高めて中性に近づけることができるため、仮に、酸性洗浄剤が完全に洗い流されない場合であっても、酸性洗浄剤を中性に近づけることによって、外壁１０の変色や劣化を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】機器や配管等の金属表面に付着したカルシウム塩のスケールを良好に洗浄する難溶解性付着物の洗浄技術を提供する。
【解決手段】難溶解性付着物の洗浄剤は少なくともギ酸を成分に有し、金属表面に付着したカルシウム塩のスケールを洗浄する。遠心薄膜乾燥機２０においてこの洗浄剤を供給する供給タンク３１が接続されている。例えば、乾燥処理の対象となる廃液が、ホウ酸カルシウムを主成分とする懸濁液である場合、洗浄剤のギ酸濃度が０．５〜１０ｗｔ％、好ましくは１〜５ｗｔ％の範囲に調整される。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、金属層表面の微小な凹みの少ない銅被覆ポリイミドフィルム基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 ポリイミドフィルムの表面に乾式めっき法により形成した１次金属層上に湿式めっき法で銅層を積層した銅被覆ポリイミドフィルム基板の製造方法において、湿式めっき法を用いて銅層を積層する前に、ポリイミドフィルム或いは乾式めっき法により形成された１次金属層を有するポリイミドフィルムを、グリコール酸および硫酸を含有する水溶液中に浸漬する浸漬処理を施すことを特徴とする銅被覆ポリイミドフィルムの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】金属部材表面に付着したシリカ及びシランカップリング剤等を除去することが可能な金属部材の洗浄方法を提供する。
【解決手段】塩化水素とフッ化アンモニウムと水とを含む洗浄剤によって金属部材の表面を洗浄する工程を含む金属部材の洗浄方法である。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜や基板などの損傷を抑制ないし防止し、半導体基板表面に付着した不純物、特に、イオン注入されたレジストなどの付着物を効率よく剥離でき、安全性に優れた多剤型半導体基板用洗浄剤、これを用いた洗浄方法及び半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の洗浄時に少なくとも発泡剤と発泡助剤とを混合して使用する多剤型洗浄剤であって、前記発泡剤が炭酸アルキレンと炭酸塩とを含有し、前記発泡助剤が酸性化合物を含有し、さらに酸化剤を組み合わせて用いる半導体基板用洗浄剤。 （もっと読む）

【課題】硫酸又は硫酸主体の酸を用いる鋼材の酸洗において、短時間での脱スケールを可能にし、管理幅を広く、酸洗液寿命の長い酸洗剤及びこれを用いた脱スケール方法を提供する。
【解決手段】脱スケール促進剤としてチオ尿素と、チオ尿素ならびにチオ尿素誘導体以外の有機硫黄化合物及び／又はノニオン系界面活性剤を含有する硫酸又は硫酸主体の酸からなる鋼材の脱スケール酸洗剤。 （もっと読む）

【課題】ＳＰＭ洗浄剤に匹敵する洗浄力を発揮し、かつ、ＳＰＭ洗浄剤による半導体基板の損傷を大幅に改善し、半導体基板表面に付着した不純物、特にイオン注入されたレジストなどの付着物を効率よく剥離除去しうる半導体基板用洗浄剤、これを利用した洗浄方法及び半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】硫酸と、過酸化水素と、炭酸アルキレンとを組み合わせて用いることを特徴とする半導体基板用洗浄剤、並びに、硫酸と過酸化水素と炭酸アルキレンとを組み合わせて、半導体基板に適用して洗浄する半導体基板の洗浄方法。 （もっと読む）

【課題】実質的に中性に調整されたヒドロキシルアミン化合物を含有する洗浄組成物に特有の課題を解決し、半導体基板の金属層、特に窒化チタンの腐食を防止し、しかもその製造工程で生じるプラズマエッチング残渣やアッシング残渣を十分に除去することができる洗浄組成物、これを用いた洗浄方法及び半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】水と、洗浄剤と、塩基性有機化合物と、酸性有機化合物と、特定の含窒素非芳香族環状化合物とを含有し、実質的に中性に調整された半導体基板用洗浄組成物。 （もっと読む）