Ｎ−アルキルピロリドン及びヒドロキシルアミン、及びヒドロキシルアミン誘導体を含まず、回転式粘度計で測定して、５０℃で、動的せん断粘度が１〜１０ｍＰａｓである液体組成物であって、該液体組成物の全質量に対して、
（Ａ）溶解したテトラメチルアンモニウムヒドロキシド（Ｂ）の存在下に、遠ＵＶ吸収発色団を含む、厚さが３０ｎｍのポリマー性バリア反射防止層について、５０℃で一定の除去速度を示す、４０〜９９．９５質量％の、少なくとも１種の極性有機溶媒、
（Ｂ）０．０５〜＜０．５質量％の、水酸化第4級アンモニウム、及び
（Ｃ）＜５質量％の水、
を含む液体組成物；その製造方法、電気装置を製造する方法、及びパターン化Ｔｈｒｏｕｇｈ Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｖｉａｓによる、及び／又はメッキ及びバンピングによる３Ｄ Ｓｔａｃｋｅｄ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔｓ及び３Ｄ Ｗａｆｅｒ Ｌｅｖｅｌ Ｐａｃｋｉｎｇｓの製造で、ネガティブトーン及びポジティブトーンフォトレジスト、及びエッチング後の残留物を除去するために、この液体組成物を使用する方法。 （もっと読む）

【課題】不燃性かつ低毒性等の性質を有し、取り扱いが容易であり、地球温暖化係数が小さく、かつ、温室効果の小さい新規の組成物を提供し、金属やプラスチック部材の洗浄に有効であり、特に、洗浄対象となるプラスチック部材に対する損傷が極めて少ない、洗浄組成物を提供することを課題とする。
【解決手段】１，１，１，３，３−ペンタフルオロブタンと（Ｚ）−１−クロロ−３，３，３−トリフルオロプロペンからなる共沸様組成物を用いた。 （もっと読む）

【課題】洗浄性、すすぎ性に優れた、物品の洗浄すすぎ方法を提供する。
【解決手段】汚染物質が付着した物品を、芳香族炭化水素を含有する炭化水素系溶剤に接触させる洗浄工程と、含フッ素エーテルに接触させるすすぎ工程を有する物品の洗浄すすぎ方法であって、含フッ素エーテルが式１で表される化合物であることを特徴とする物品の洗浄すすぎ方法。
Ｒ^１−Ｏ−Ｒ^２ ・・・式１
ただし、Ｒ^１、Ｒ^２は、各々独立に含フッ素アルキル基を示す。Ｒ^１およびＲ^２に含まれるフッ素原子の数はそれぞれ１以上であり、かつＲ^１およびＲ^２に含まれる炭素原子の数の合計は４〜８である。 （もっと読む）

基材，例えば電子デバイス基材，例えば超小型電子ウェハまたはフラットパネルディスプレイからの有機物質の除去のために有用な組成物および方法を提供する。最小体積の組成物をコーティングとして無機基材に適用することによって、十分な熱を加え、そして直ちに水でリンスして完全な除去を実現する方法を提供する。これらの組成物および方法は、ポジ型およびネガ型の種類のフォトレジスト、更に電子デバイスからの熱硬化性ポリマーを除去および完全に溶解させるのに特に好適である。 （もっと読む）

【課題】油汚れの激しい作業衣のクリーニング用溶剤による再汚染が防止されるかつ浄化頻度を増加させることなく水溶性の汚れも同時に除去できるクリーニング法を提案する。クリーニングの際に熱エネルギーをほとんど使わずに溶剤を回収し再利用する。また使用する水系の溶剤も回収して再利用し、ゼロエミッション型のクリーニング装置を提案する。
【解決手段】炭化水素系溶媒を含む溶液（Ｏ溶液と略称）とアルカリ性水溶液（A溶液と略称）との混合溶液で作業衣を洗濯後、遠心脱溶液し、該作業衣を水洗脱水を繰り返し、該作業衣を乾燥する。洗濯後の混合溶液を分液槽で分液し、分液後のそれぞれの溶液を精製し、再利用する。 （もっと読む）

マイクロエレクトロニクスデバイスまたはナノエレクトロニクスデバイスを洗浄するための洗浄組成物であって、組成物中の唯一の酸および唯一のフッ化物化合物としてのＨＦと、スルホンおよびセレノンからなる群から選択された少なくとも１種の第一の溶媒と、金属イオン錯化または結合部位を有する、ポリヒドロキシルアルキルアルコールまたはポリヒドロキシルアリールアルコールの少なくとも１種の共溶媒と、水と、任意選択で少なくとも１種のホスホン酸腐食防止剤化合物とを含み、アミン、塩基、およびその他の塩を含まない洗浄組成物。 （もっと読む）

【課題】本発明は、表面に微細な凹凸パターンを有するシリコンウェハの製造方法において、パターン倒れを誘発しやすい洗浄工程を改善するためのシリコンウェハ用洗浄剤を提供することを課題とする。
【解決手段】シリコンウェハ用洗浄剤は少なくとも水系洗浄液と、洗浄過程中に凹凸パターンの少なくとも凹部を撥水化するための撥水性洗浄液とを含み、該撥水性洗浄液は、シリコンウェハのＳｉと化学的に結合可能な反応性部位と疎水性基を含む撥水性化合物からなるもの、又は、該撥水性洗浄液の総量１００質量％に対して０．１質量％以上の該撥水性化合物と、有機溶媒とが混合されて含まれるものとすること。 （もっと読む）

本発明は、ストリッピング組成物と、注入フォトレジストを洗浄する方法でのそのようなストリッピング／洗浄組成物の使用とに関し、この組成物は、シリコン、チタン、窒化チタン、タンタル、およびタングステンに適合可能なものである。半導体デバイスの表面から高ドーズ量イオン注入フォトレジストを除去するための組成物であって、６５℃を超える引火点を有する少なくとも１種の溶媒、ニトロニウムイオンを提供する少なくとも１種の成分、および少なくとも１種のホスホン酸腐食防止剤化合物を有する組成物と、半導体デバイスの表面から高ドーズ量イオン注入フォトレジストを除去するための、そのような組成物の使用が提供される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、表面に微細な凹凸パターンを有するシリコンウェハの製造方法において、パターン倒れを誘発しやすい洗浄工程を改善するためのシリコンウェハ用洗浄剤を提供することを課題とする。
【解決手段】シリコンウェハ用洗浄剤は少なくとも水系洗浄液と、洗浄過程中に凹凸パターンの少なくとも凹部を撥水化するための撥水性洗浄液とを含み、該撥水性洗浄液は、シリコンウェハのＳｉと化学的に結合可能な反応性部位と疎水性基を含む撥水性化合物と、含窒素化合物溶媒を含む有機溶媒とが混合されて含まれるものであり、該撥水性化合物は、該撥水性洗浄液の総量１００質量％に対して０．１〜５０質量％となるように混合されて含まれ、さらに、該含窒素化合物溶媒は、窒素に結合する元素が炭素であるものとすること。 （もっと読む）

【課題】環境安全問題に配慮しつつ、洗浄性に優れた洗浄剤組成物を提供するための洗浄剤組成物用原液、それを用いてなる洗浄剤組成物および洗浄方法をそれぞれ提供する。
【解決手段】所定量の水を後添加した状態で、白濁状態にて、被洗浄物を洗浄するための洗浄剤組成物用原液等であって、第１の有機溶剤として、ＳＰ値が６．５〜１２の炭化水素化合物または芳香族化合物と、第２の有機溶剤として、ＳＰ値が８〜１５の含窒素化合物または含イオウ化合物と、と、第３の有機溶剤として、ＳＰ値が８〜１２のエステル化合物とをそれぞれ所定量含む。 （もっと読む）