【課題】再加熱割れ感受性が低く、熱間加工性に優れるNi-Cu-Al合金の提供。
【構成】重量%でC：0.05〜0.30％、Si：1.5％以下、Mn：2.0％以下、P：0.05%以下、S：0.010%以下、Cu：20.0〜40.0%、Al：1.0〜5.0%、Fe：3.0%以下、Cr：4.0％以下、Ti：0.03〜1.0％を含み、さらにMg：0.050%以下、Ca：0.050%以下から選ばれる少なくとも1種以上を含み、且つ、次式（１）を満足することを特徴とする、残部がNiおよび不可避な不純物からなるNi-Cu-Al合金。
(Mg％+Ca％)≦0.050 % （１） （もっと読む）

【課題】導電ペースト作製工程における省力化、処理時間の短縮化を図ることができ、また、超微粒子の凝集を防止することで凝集粒子が存在しない、分散性および乾燥膜密度に優れる金属超微粉スラリーの提供。
【解決手段】有機溶媒と、界面活性剤と、金属超微粉とを含有する金属超微粉スラリーであって、前記界面活性剤が、オレオイルサルコシンであり、前記金属超微粉スラリー中に、前記金属超微粉を７０質量％以上９５質量％以下含有し、前記界面活性剤を前記金属超微粉１００質量部に対して０．０５質量部超２．０質量部未満含有する金属超微粉スラリー。 （もっと読む）

【課題】 例えばＬｉイオン二次電池のリードのようにハンダ付けされるニッケル材料用として、優れたハンダ付け性を付与できるニッケル材料帯の製造方法を提供する。
【解決手段】 ハンダ付けされるニッケル材料の製造方法であって、質量％９９％以上がニッケルからなるニッケル材料帯材を、露点−３０℃以下の還元性雰囲気中で焼鈍を行った後、圧下率２〜３０％の範囲で最後の冷間圧延を適用し、硬さをＨｖ８０〜１９０のニッケル材料帯材とするハンダ付け性に優れたニッケル材料帯の製造方法である。好ましくは、上述のニッケル材料は、Ｃ：０．０３％以下、Ｓｉ：０．０１％以下、Ｍｎ：０．０４％以下を含有し、残部はＮｉ及び不可避的不純物でなるハンダ付け性に優れたニッケル材料帯の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】優れた導電性を有し、更に、芯材粒子との密着性が高くかつ凝集性が少ない導電性微粒子、メッキ浴の安定性が高い該導電性微粒子の製造方法、及び該導電性微粒子を用いた異方性導電材料を提供する。
【解決手段】芯材粒子の表面に無電解メッキ法によりニッケル、銅、及びリンを含有する合金メッキ被膜が形成されている導電性微粒子、好ましくは合金メッキ被膜中の厚さ方向のリン含有量が、芯材粒子側よりも合金メッキ被膜表面側で少ない導電性微粒子、金属触媒を担持させた芯材粒子の水性懸濁液に、ニッケル塩、リン系還元剤、及びｐＨ調整剤を含むメッキ液を添加して初期無電解メッキ反応を行い、その後、ニッケル塩、銅塩、リン系還元剤、及びｐＨ調整剤を含むメッキ液を添加して後期無電解メッキ反応を行う該導電性微粒子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 水素吸蔵材料の水素吸蔵、放出速度を速め、水素吸蔵、放出温度の低温化を実現することのできる水素吸蔵放出触媒を提供する。また、より低温で多量の水素を吸蔵、放出することのできる水素吸蔵複合材料を提供する。
【解決手段】 水素吸蔵放出触媒を、無機酸化物および炭素材料の少なくとも一方からなる担体と、該担体に担持された金属粒子とから構成する。また、この水素吸蔵放出触媒を水素吸蔵材料に高分散状態で複合化させて、水素吸蔵複合材料とする。水素吸蔵放出触媒は、水素吸蔵材料の水素吸蔵放出特性を向上させる。よって、該水素吸蔵放出触媒を複合化した水素吸蔵複合材料は、より低温下で、多量の水素を吸蔵、放出することができる。 （もっと読む）

【課題】 導電性、溶接性に優れ、しかも良好なプレス成形性を備えた導電部品用クラッド材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明のクラッド材は、Ｃを０．００６〜０．０４５mass％含み、残部実質的にＮｉからなるＮｉ−Ｃ合金で形成されたニッケル合金層２と、純ＡｌあるいはＡｌを主成分とするＡｌ基合金で形成されたアルミニウム層３とが接合されたものである。前記ニッケル合金層２は、平均硬さがＨｖ１２０以下とされ、前記アルミニウム層とニッケル合金層との間に形成される金属間化合物層は平均厚さが６．０μm 以下とされる。前記アルミニウム層３の厚さはクラッド材の全体厚さの１５〜９５％程度にすることが好ましい。前記クラッド材は、ニッケル合金層とアルミニウム層とを圧接した後、４５０〜５８０℃の比較的低温で焼鈍することによって容易に製造することができる。 （もっと読む）

【課題】高信頼性の半導体素子を得るために高融点金属、高融点金属からなる合金、高融点金属の珪化物、Ｔｉ，Ｔａ，Ｗ，Ｔｉ−Ｗ合金の窒化物からなる膜をコンタクトバリアー層またはゲート電極などに用い、半導体素子のリーク電流を抑える。
【解決手段】Ｔｉ原料からＡｌを除去してＡｌ濃度が３ｐｐｍ以下であるマグネトロンスパッタリング装置用Ｔｉ材を調製し、このＴｉ材を用いてＡｌ含有量が原子数で１×１０^１８個／ｃｍ^３以下であり結晶質または非晶質であるコンタクトバリアー又はゲート電極層をスパッタリング法により形成することを特徴とするソース−ドレイン領域の接合深さが０．３μｍ以下である半導体素子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】触媒金属に適した表面凹凸の大きな白金族合金の微粒子粒子粉末を得る。
【解決手段】式〔Ｔ_XＭ_1-X〕、ただし式中、ＴはＦｅ、ＣｏまたはＮｉの１種または２種以上、ＭはＰｔ、ＰｄまたはＲｕの１種または２種以上、Ｘは０.１〜０.９の範囲の
数値を表す、の組成比でＴとＭを含有する合金の粉体であって、ＴＥＭ観察により測定される平均粒径（Ｄ_TEM) が５０ｎｍ以下、Ｘ線結晶粒径（Ｄｘ）が１０ｎｍ以下、ＴＥＭ
観察により粒子の表面に複数の角が観測され且つ角と角の間に窪みが観測される、凹凸表面をもつ微細な合金粒子粉末である。この合金粒子粉末は、結晶構造が面心立方晶（ｆｃ
ｃ構造）であり、単結晶化度（Ｄ_TEM) ／（Ｄｘ）が１.５０以上である。また動的光散
乱法による平均粒径が５０ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】 Ｒ・Ｔ・Ｎ系永久磁石用合金粉末の耐水性又は耐酸化性を改良し、水分或いは酸素による汚染を極力抑える事ができる耐水性、耐酸化性を有するＲ・Ｔ・Ｎ系の合金粉末を提供する。
【解決手段】 一般式がＲ_ｘＴ_{１００−ｘ−ｙ−ｚ}Ｎ_ｙＳ_ｚで表される合金粉末（但し、Ｒはイットリウムを含む希土類元素の群より選ばれる少なくとも一種の元素であり、Ｔは、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉの群から選ばれた少なくとも一種の元素であり、Ｎは窒素であり、Ｓはイオウであり、式中のｘ、ｙ、及びｚはそれぞれ次の範囲を満たす。３≦ｘ≦３０原子％、５≦ｙ≦１５原子％、０．００１≦ｚ≦１５原子％）を用いる。このようにＳを特定量含有することで、耐水性、耐酸化性に効果がある。その結果、経済的に有利な還元拡散法の工業的利用を可能にするばかりか、Ｓｍ−Ｆｅ−Ｎ系合金粉末を用いた永久磁石の耐環境性を高める事が出来る。 （もっと読む）

【課題】 電気クロムメッキに近い外観を有し、明るさおよび色調を調整する必要がある新しい顔料のニーズにも対応でき、優れた耐食性および耐薬品性を有する塗膜を得ることができる耐食光輝性顔料を、提供する。
【解決手段】 Ｃｒ合金、Ｔｉ合金およびＮｉ合金から選ばれた少なくとも１種類の金属膜であり、表面反射率が１０％〜４９％である第１の金属膜と、Ａｌ、Ａｌ合金およびＮｉ合金から選ばれた１種類の金属膜であり、表面反射率が５０％〜９５％である第２の金属膜とが積層されているフレーク状金属片を含有する。 （もっと読む）