本発明は、燃料電池の電極触媒として有用な、金-被覆粒子に関するものである。該粒子は、金または金合金の外殻により、少なくとも部分的に封入されている、電極触媒的に活性なコアを含む。本発明は、より詳しくは、貴金属-含有コア、およびより具体的にはプラチナまたはプラチナ合金コアを含むこのような粒子に関するものである。他の態様では、本発明は、これらの電極触媒を含有する燃料電池および該電池から電気エネルギーを発生する方法に関する。 （もっと読む）

【課題】接触抵抗を低く保つことができ、寿命が長いＭＥＭＳスイッチの提供。
【解決手段】本発明に係るＭＥＭＳスイッチは、固定電極３又は下部電極５の少なくとも一方はＡｕで構成され、他方は、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｏｓ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｔｅから選ばれた一つの金属、又は、ＴｉＮ、ＺｒＮ、ＨｆＮ、ＶＮから選ばれた一つの金属を主成分として構成されている。 （もっと読む）

【課題】抗折力が低く割れが発生し易いマンガン合金の欠点を解決し、鍛造マンガン合金ターゲットを安定して製造できる方法を提供する。これによってノジュールやパーティクルの発生が少なく、高特性・高耐食性の薄膜を形成できるマンガン合金スパッタリングターゲットを得る。
【解決手段】酸素１０００ｐｐｍ以下、硫黄２００ｐｐｍ以下であり、単相の等軸晶組織を有し、結晶粒径が５００μｍ以下である鍛造組織を備えていることを特徴とするマンガン合金スパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【解決手段】本発明は、水素の可逆貯蔵に適合される材料の作製方法に関し、マグネシウムに基づく材料の第１粉末を供給するステップと、第１粉末の少なくとも一部を金属水素化物に転換するために第１粉末を水素化するステップと、水素化された第１粉末を、チタンとバナジウムとクロム又はマンガンから選択された少なくとも１つの他の金属とに基づく体心立方構造を有する合金から形成されている第２粉末添加物と混合するステップとを備え、得られた混合物の第２粉末の質量比が１質量％と20質量％との間にあり、更に、第１粉末及び第２粉末の混合物を粉砕するステップを備える。
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【課題】 半導体の動作機能を保証するために障害となる不純物を低減させた高純度ジルコニウム若しくはハフニウム粉を、安全かつ安価に得ることのできる高純度ジルコニウム若しくはハフニウム粉の製造方法を得る。
【解決手段】 ジルコニウム若しくはハフニウム原料を電子ビーム溶解して高純度化した後インゴットに鋳造する工程、得られた高純度ジルコニウム若しくはハフニウムインゴット又は切粉等を水素雰囲気中で５００°Ｃ以上に加熱して水素化する工程、該インゴットを冷却し水素化ジルコニウム若しくはハフニウム粉をインゴットから剥落させて水素化高純度ジルコニウム若しくはハフニウム粉を得る工程、及び水素化高純度ジルコニウム若しくはハフニウム粉の水素を除去する工程からなることを特徴とする高純度ジルコニウム若しくはハフニウム粉の製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体の動作機能を保証するために障害となる不純物を低減させた高純度ジルコニウム若しくはハフニウム粉を、安全かつ安価に得ることのできる高純度ジルコニウム若しくはハフニウム粉の製造方法を提供する。
【解決手段】ジルコニウム若しくはハフニウム原料を電子ビーム溶解して高純度化した後インゴットに鋳造する工程、得られた高純度ジルコニウム若しくはハフニウムインゴット又は切粉等を水素雰囲気中で５００°Ｃ以上に加熱して水素化する工程、該インゴットを冷却し水素化ジルコニウム若しくはハフニウム粉をインゴットから剥落させて水素化高純度ジルコニウム若しくはハフニウム粉を得る工程、及び水素化高純度ジルコニウム若しくはハフニウム粉の水素を除去する工程からなることを特徴とする高純度ジルコニウム若しくはハフニウム粉の製造方法。 （もっと読む）

ハフニウムの塩化物を水溶液にし、これを溶媒抽出によりジルコニウムを除去した後、中和処理により酸化ハフニウムを得、さらにこれを塩素化して塩化ハフニウムとし、これを還元してハフニウムスポンジを得、さらにハフニウムスポンジをさらに電子ビーム溶解し、ハフニウムインゴットを得る高純度ハフニウムの製造方法及びこれによって得られた高純度ハフニウム材料、同材料からなるターゲット及び薄膜。ハフニウム中に含まれるジルコニウムの含有量を低減させた高純度ハフニウム材料、同材料からなるターゲット及び薄膜及びその製造方法に関し、効率的かつ安定した製造技術及びそれによって得られた高純度ハフニウム材料、同材料からなるターゲット及び高純度ハフニウム薄膜を提供する。 （もっと読む）

【課題】表面Ａｌ₂Ｏ₃層と内部合金とのはく離、および酸化の進行を抑制することにより、耐酸化性に優れた二オブ基合金耐熱部材を提供する。
【解決手段】二オブ合金基材と酸化防止合金層間の拡散防止のためのＲｅ基合金からなる第一層と、表面に耐酸化性に優れたＡｌ₂Ｏ₃を形成するためのＡｌ基合金からなる第二層の皮膜を有する二オブ基合金耐熱部材は、その特徴を活かせる１２００℃以上の超高温域でＡｌ₂Ｏ₃膜と内部合金との熱膨張率の差によるはく離、および酸化の進行の問題が顕著となる。この解決のため、Ｈｆ、Ｚｒのうちの１種以上を第二層に少量添加することにより、はく離を著しく抑制することが可能になり、超高温域での耐熱性に加えて耐酸化性も優れた耐熱部材を得ることができる。 （もっと読む）

本発明は１、Ｈｆに、Ｚｒ若しくはＴｉのいずれか、又は双方を総計で１００ｗｔｐｐｍ−１０ｗｔ％含有することを特徴とするハフニウム合金ターゲットであり、平均結晶粒径が１−１００μｍ、不純物であるＦｅ、Ｃｒ、Ｎｉがそれぞれ１ｗｔｐｐｍ以下、さらに｛００２｝とこの面から３５°以内にある｛１０３｝、｛０１４｝、｛０１５｝の４つの面の晶癖面配同率が５５％以上で、かつ場所による４つの面の強度比の総和のばらつきが２０％以下であるハフニウム合金ターゲットに関する。成膜特性や成膜速度が良好であり、パーティクルの発生が少なく、ＨｆＯ又はＨｆＯＮ膜等の高誘電体ゲート絶縁膜の形成に好適なハフニウム合金ターゲット及びその製造方法を得る。 （もっと読む）

【課題】異なる表面領域を異なるコーティングで保護された保護物品を提供すること。
【解決手段】保護物品（２０）が、表面（５２）および基板（５０）アルミニウム含有量を有する基板（５０）を含む。第１の保護層（５４）が、基板（５０）の表面（５２）の第１の領域（４０）を覆い、第１の保護層（５４）は、基板（５０）アルミニウム含有量よりも少なくとも３原子パーセント多い第１保護層アルミニウム含有量を含む組成を有する。第２の保護層（５８）が、第１の領域（４０）とは別の、基板（５０）の表面（５２）の第２の領域（４２）を覆い、第２の保護層（５８）は、少なくとも約６０重量パーセントの白金、ロジウム、またはパラジウム、およびそれらの組合せを含む組成を有する。 （もっと読む）