【課題】ウェブ状の基材上へのガスバリア層の高速インライン処理を実現し、生産能率が高く、かつ基材とガスバリア層との密着耐久性も向上し得るガスバリア性フィルムおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】高周波印加電極である金属ロール電極と接地電極を配置したリアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）処理装置構成において、電極間に、不活性ガスを圧力が０．５Ｐａ以上５０Ｐａ未満で導入して、特定間隔の電極間に特定値の高周波電圧を印加し、高密度なプラズマを発生させて、プラスチックフィルム１００表面に、プラズマ処理を施し、基材と酸化珪素（ＳｉＯｘ）からなるガスバリア層１０２間に十分な密着性能を与えることを特徴とするガスバリア性フィルムとその製造方法。 （もっと読む）

【課題】良好なガスバリア性及び耐久性を示すガスバリア性フィルム、その製造方法、及びガスバリア性フィルムを用いた装置を提供する。
【解決手段】ガスバリア性フィルム１０（１０Ａ）は、基材１と、基材１上に設けられた有機層２と、有機層２上に設けられた無機層３とを有し、シリコンを有する基が共有結合をしているアクリル系樹脂が有機層２に含有され、無機層３と接する有機層２の面に上記シリコンが０．１原子％以上存在する。 （もっと読む）

【課題】基材と被膜との密着性を良好に保ち、かつ被削材が凝着しにくい表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】本発明の表面被覆切削工具は、基材と、該基材上に形成された被膜とを備えるものであって、該基材は、硬質粒子と該硬質粒子を結合する結合相とを含み、被膜に接する硬質粒子は、被膜に接する側の表面に凹凸が形成されており、表面被覆切削工具のすくい面に対する法線を含む平面で表面被覆切削工具を切断したときの断面において、基材の逃げ面側の表面は、被膜に接する側の表面に位置する長さ５０μｍの逃げ面側基準線における面粗度Ｒz,nが１μｍ以上３０μｍ以下であり、基材のすくい面側の表面は、被膜に接する側の表面に位置する長さ５０μｍのすくい面側基準線における面粗度Ｒz,sが０．５μｍ以上５μｍ以下であり、かつＲz,ｎはＲz,sよりも大きいことを特徴の一つとする。 （もっと読む）

【課題】帯状の基板を搬送しつつ連続的に基板表面の酸化処理と薄膜形成を行なうにあたって、差圧構造を設けることなく、単一の真空容器内で両処理を安定して実施できる生産性に優れた薄膜製造装置及び薄膜製造方法を提供する。
【解決手段】真空中で、帯状の基板の表面上に、薄膜を形成する薄膜製造装置が、基板４を搬送する搬送機構と、搬送機構によって保持されている基板の表面上に、第一薄膜形成領域１５ａ内で薄膜を形成するための薄膜形成手段であって、第一薄膜形成領域と対向して配置され蒸着原料を収容する蒸着源３ａを含む薄膜形成手段と、基板の搬送経路において第一薄膜形成領域１５ａより前に配置され、基板の表面に向けてオゾン含有ガスを供給する第一ガスノズル１７ａと、搬送機構と、薄膜形成手段と、第一ガスノズルとを収容する真空容器と、を有する。 （もっと読む）

【課題】薄膜間の剥離を防止すると共に、イオンダメージのない薄膜を効率的に製造することができる成膜装置を提供する。
【解決手段】基板Ｓに薄膜を形成する第１の成膜処理装置１３及び第２の成膜処理装置１５と、反応室１４１内に供給される水素ガスを触媒体に接触させてラジカルを発生させ、当該ラジカルを基板Ｓに供給して当該基板Ｓの表面処理を行う表面処理装置１４とを備え、表面処理装置１４は、第１の成膜処理装置１３の後であり、かつ第２の成膜処理装置１５の前で基板Ｓの表面処理をするように設置されている。 （もっと読む）

【課題】輻射率の向上と放出ガスの抑制を共に達成することが可能な真空部品及びその製造方法を提供すること
【解決手段】 本発明の真空部品は、基材１と、輻射層２とを具備する。基材１は、ブラスト処理が施された後にエッチング処理が施された金属表面１ａを有する。輻射層２は、金属表面１ａ上に積層され、ＡｌＴｉＮからなる。
この構成によれば、基材１の金属表面１ａは、ブラスト処理により生じるブラスト粒子Ｂの嵌入や表面の複雑化が、エッチング処理によって緩和された状態となっている。これにより、ブラスト粒子Ｂの嵌入や複雑化に起因する放出ガスが抑制される。また、ブラスト処理及びエッチング処理による金属表面１ａの粗面化により、平滑な金属表面に輻射層を積層した場合に比べて輻射率が向上する。 （もっと読む）

【課題】真空雰囲気下でシリコン基材の表面部を微細加工により多孔質化し、次いで真空雰囲気のまま連続して当該表面部に成膜処理することができ、シリコン基材に不純物が付着することを抑えることのできる技術を提供すること。
【解決手段】真空室３１内にノズル部５を設け、ノズル部５の吐出口に対向するようにシリコン基板Ｗを保持する。例えばＣｌＦ３ガス及びＡｒガスをノズル部５の基端側から０．３ＭＰａ〜２．０ＭＰａで供給し、この混合ガスをノズル部５の先端側から１Ｐａ〜１００Ｐａの真空雰囲気に吐出させる。これにより混合ガスが断熱膨張し、Ａｒ原子やＣｌＦ３の分子が結合してガスクラスターＣとなる。このガスクラスターＣをイオン化させずにシリコン基板Ｗの表面部に照射し、当該表面部を多孔質化する。続いて真空を破らずに別の真空室４１でこのシリコン基板Ｗの表面にリチウムをスパッタ成膜する。 （もっと読む）

【課題】汎用性の高いフレキシブル基材上にシート抵抗値が十分に小さく、湿熱条件後及び屈曲後においてもシート抵抗値の上昇が抑制できる透明導電層を具備する透明導電性フィルム及びその製造方法並びに透明導電性フィルムを用いた太陽電池及びエレクトロルミネッセンス素子を提供する。
【解決手段】フレキシブル基材１１の少なくとも片面に、（Ａ）ポリオルガノシロキサン系化合物を含有するコート材料からなるアンダーコート層１２と、（Ｂ）透明導電層１３とが順次形成された透明導電性フィルム１０とする。 （もっと読む）

【課題】鉄を含み表面に酸化被膜を有する金属に、従来の技術を用いるよりも密着性の高い炭素膜を形成する。
【解決手段】制御部４は、酸溶液をウェットエッチング槽１１１に供給させる。そして、供給された酸溶液により鉄合金が浸漬されると、制御部４は、保温部４２０を制御してウェットエッチング槽１１１の内部の温度を、予め定めた時間に亘り予め定めた温度に維持する。これにより、鉄合金が有する酸化被膜が酸溶液に溶出する。制御部４は、ウェットエッチング槽１１１から酸溶液を排出させ、蒸留水をウェットエッチング槽１１１に供給させる。これにより、ウェットエッチング槽１１１の内壁や鉄合金に付着した酸溶液が洗浄される。ウェットエッチング槽１１１の内部に置かれた前処理後の鉄合金は、取り出されて成膜チャンバー３３０に置かれ、イオンビームエッチングにより酸化被膜をさらに除去された後、アーク放電などにより表面に炭素膜を形成される。 （もっと読む）

【課題】薄膜と被成膜基材との密着性を十分に確保できる被成膜基材への薄膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様は、プラスチック又はプラスチックにＳｉＯ_２及びＡｌ_２Ｏ_３の少なくとも一方を分散させた材料からなる被成膜基材２の表面に酸素プラズマ処理、オゾン処理及び紫外線照射処理のいずれかの処理を施した後に、前記被成膜基材２の表面上に、プラズマＣＶＤ法、スパッタ法及び蒸着法のいずれかの方法により薄膜を成膜することを特徴とする被成膜基材への薄膜の成膜方法である。 （もっと読む）