【課題】溶剤系のアンダーコートあるいはプライマー処理を行うことなく、硬質塩化ビニルからなる基材の表面に強固に接着して高温・高湿に対する耐久性に優れた金属皮膜を有する、金属被覆された硬質塩化ビニル基材を提供する。
【解決手段】硬質塩化ビニルからなる基材の表面に表面改質層が設けられ、前記基材の表面改質層を介して、蒸着による金属薄膜層が被覆してなる金属被覆された硬質塩化ビニル基材。表面改質層が、官能基として少なくともカルボキシル基を含むことが好ましい。表面改質層が、窒素ガスを反応ガスとする大気圧プラズマ処理により形成されてなることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ＰＭＭＡフィルムの接着強度を向上させる。
【解決手段】アクリル酸を含む第１反応ガスをＰＭＭＡフィルムに接触させる（第１接触工程）。次に、アルゴンプラズマをＰＭＭＡフィルムに照射する（第１照射工程）。次に、アクリル酸を含む第２反応ガスをＰＭＭＡフィルムに接触させる（第２接触工程）。次に、アルゴンプラズマをＰＭＭＡフィルムに照射する（第２照射工程）。 （もっと読む）

【課題】成膜されたポリイミド膜の膜質を向上させるとともに、単位時間当たりに成膜処理される基板の枚数を増やすことができる成膜装置を提供する。
【解決手段】基板にポリイミド膜を成膜する成膜装置において、成膜容器６０内に搬入されている基板を加熱する加熱機構６２と、成膜容器６０内に密着促進剤を気化させた密着促進剤ガスを供給する密着促進剤供給機構８０と、加熱機構６２と密着促進剤供給機構８０とを制御する制御部１００とを有する。制御部１００は、基板を成膜容器６０内に搬入した後、加熱機構６２により、基板の温度を、基板にポリイミド膜を成膜するときの所定温度まで上昇させる間に、密着促進剤供給機構８０により密着促進剤ガスを成膜容器６０内に供給し、基板の表面を密着促進剤ガスにより処理するように、制御する。 （もっと読む）

【課題】基板の表面にビアが形成された基板を密着促進剤により処理するときに、ビアの底に液溜まりを形成せずに表面処理できる表面処理方法及び成膜方法を提供する。
【解決手段】処理容器２０内に搬入されており、表面に穴部が形成されている基板の表面を、密着促進剤を気化させた密着促進剤ガスにより処理する表面処理方法において、基板を加熱するとともに、処理容器２０内に密着促進剤ガスと水蒸気とを供給し、供給された密着促進剤ガスと、加熱されている基板とを、水分を含む雰囲気中で反応させることによって、基板の表面を処理する表面処理工程を有する。 （もっと読む）

【課題】ステンレス鋼板の表面に微細な粗面化テクスチャーを均一に形成させる技術であって、特に薄膜Ｓｉ太陽電池の基板に好適な技術を提供する。
【解決手段】フェライト系ステンレス鋼板を、ｐＨが１１.０以上の水溶液中で−０.５〜−２.２Ｖｖｓ.ＳＣＥの電位で陰極電解することにより、不動態皮膜の膜厚を４.０ｎｍ以下とする工程（陰極電解工程）、
前記陰極電解工程を終えた鋼板を、ＦｅＣｌ₃濃度２〜５０質量％、ＨＣｌ濃度０.１〜２０質量％の塩化第二鉄＋塩酸混合水溶液中に浸漬することにより表面にピットを発生させ、表面に占めるピット発生部分の投影面積の割合（ピット占有面積率）を４０％以上、かつ平均面粗さＳＰａを０.０５〜０.３０μｍ未満とする工程（エッチング工程）、
を有する微細粗面化ステンレス鋼板の製造法。 （もっと読む）

【課題】表面処理された基板上に膜を成膜する際に膜が変質せず、表面処理の際にパーティクルが発生せず、また、予め基板表面の終端状態を調整するための工程数を削減できる表面処理方法及び成膜方法を提供する。
【解決手段】処理容器６０内に搬入されている基板の表面を、密着促進剤を気化させた密着促進剤ガスにより処理する表面処理方法において、基板を加熱するとともに、処理容器６０内に密着促進剤ガスを供給し、供給された密着促進剤ガスと、加熱されている基板とを、水分を含まない雰囲気中で反応させることによって、基板の表面を処理する表面処理工程を有する。 （もっと読む）

【課題】高品質なＩＩＩ族窒化物を結晶成長させ、高品質な半導体装置を得ることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化サファイア基板をアルカリエッチングし、窒化サファイア基板を清浄化する。その後、ＩＩＩ族窒化物を結晶成長させることにより、極めて高品質なＮ極性結晶を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】蒸着と同一巻取り系でプラズマ処理を用い、生産性よく基材と蒸着薄膜との密着性向上したガスバリア性フィルムとその製造方法を提供する。
【解決手段】ガスバリアフィルムの製造工程であって、基材１１であるプラスチック材料の一方の面に、カソード側に設置した基材にイオンを衝突させるプラズマイオンエッチング処理であり、不活性ガスを用い、１〜５０Ｐａの範囲の圧力下で、１０ｋＨｚ〜１ＭＨｚの範囲の交流電圧を印加して発生する低温プラズマによりプラズマ処理を施す工程と、前記プラズマ処理を施した面に無機材料を蒸着する工程と、前記蒸着薄膜１３上に保護層１４を塗布する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】アーク蒸発ソースに基づいた製造システムに使用することができる経済的な問題を解決する。
【解決手段】本発明は、ターゲットとして実施され、アーク蒸発ソースの一部である第１の電極を有する真空処理システム内でワークピースを表面処理する方法であって、第１の電極によって、アーク電流を用いてアークを動作させ、ターゲットから、ワークピース上に少なくとも部分的に、かつ断続的に堆積させる材料を蒸発させ、ワークピースホルダとして実施され、ワークピースと共にバイアス電極を構成する第２の電極を有し、電圧供給部によって、バイアス電極にアーク電流と整合するようにバイアス電圧を印加し、したがって本質的に、表面上に材料が正味で蓄積されない方法に関する。 （もっと読む）

【課題】積層体の長手方向に、基材と保護フィルムとの密着力が変化した場合であっても、基材と保護フィルムとを適正に剥離させることができ、基材の搬送テンションが緩んで、ツレシワが発生したり、熱ダメージを受けて、基材が損傷することを防止する。
【解決手段】処理を行なう前の積層体の搬送中に、基材上の保護フィルムの有無を検出する第１検出工程と、第１検出工程と成膜処理との間に、基材上の保護フィルムの有無を検出する第２検出工程と、第１検出工程と第２検出工程の検出結果に応じて、第１検出工程と第２検出工程との間で、保護フィルムが基材から剥離するように、剥離力を制御する制御工程とを有することにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）