【課題】 超電導体を作製する方法を提供すること。
【解決手段】 超電導体を作製する方法は、フッ化バリウムを含む膜を基板１２０の表面に提供する工程と、膜に第１反応混合ガス１５５を噴射する工程と、膜に第１反応ガス１５５を噴射しながら基板１２０を第１の温度まで加熱して基板１２０の表面に超電導材料を形成する工程と、を含み、基板１２０の表面に対して５°以上の角度で第１反応ガス１５５を膜に噴射することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 耐熱合金の高速切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆超硬合金製切削工具を提供する。
【解決手段】 表面被覆超硬合金製切削工具が、超硬基体の表面に、（ａ）いずれも（Ｔｉ，Ａｌ，Ｃｒ）Ｎからなる上部層と下部層で構成し、前記上部層は０．５〜１．５μｍ、前記下部層は２〜６μｍの層厚をそれぞれ有し、（ｂ）上記上部層は、いずれも５〜２０ｎｍ（ナノメ−タ−）の層厚を有する薄層Ａと薄層Ｂの交互積層構造を有し、上記薄層Ａ、上記薄層Ｂ、上記下部層は、特定な組成式を満足する（Ｔｉ，Ａｌ，Ｃｒ）Ｎ層、からなる硬質被覆層を蒸着形成してなる。 （もっと読む）

【課題】プラスチック基材とハードコート層との屈折率の差に起因する干渉ムラの発生がし難くなっていると共に、積層される薄膜層の密着が良好な光学積層部材とこの光学積層部材を低コストで量産できるようにした光学積層部材の製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】蒸着釜内に金属および／または金属酸化物の蒸着薄膜形成部分と有機化合物の薄膜形成部分とを適宜の間隔で設定すると共に、これらの各薄膜形成部分を経由してシート状のプラスチック基材を同一の減圧環境下で同一の減圧環境下の順次搬送させ、その少なくとも一方の表面に金属および／または金属酸化物と有機化合物の成分比率を厚さ方向に漸次変化させながら有機−無機成分傾斜構造薄膜層を設けた後、その上にプラスチックからなるハードコート層を設ける。 （もっと読む）

【課題】 高硬度鋼の高速切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆超硬合金製切削工具を提供する。
【解決手段】超硬基体の表面に、（ａ）いずれも（Ｃｒ，Ａｌ，Ｓｉ）Ｎからなる上部層と下部層で構成し、前記上部層は０．５〜１．５μｍ、前記下部層は２〜６μｍの平均層厚をそれぞれ有し、（ｂ）上記上部層は、いずれも一層平均層厚がそれぞれ５〜２０ｎｍ（ナノメ−タ−）の薄層Ａと薄層Ｂの交互積層構造を有し、上記薄層Ａは特定の組成式：［Ｃｒ_{1-（Ａ＋Ｂ）}Ａｌ_ＡＳｉ_Ｂ］Ｎを満足する（Ｃｒ，Ａｌ，Ｓｉ）Ｎ層、上記薄層Ｂは特定の組成式：［Ｃｒ_{1-（Ｃ＋Ｄ）}Ａｌ_ＣＳｉ_Ｄ］Ｎを満足する（Ｃｒ，Ａｌ，Ｓｉ）Ｎ層、からなり、（ｃ）上記下部層は、単一相構造を有し特定の組成式：［Ｃｒ_{1-（Ｅ＋Ｆ）}Ａｌ_ＥＳｉ_Ｆ］Ｎを満足する（Ｃｒ，Ａｌ，Ｓｉ）Ｎ層、からなる硬質被覆層を蒸着形成してなる。 （もっと読む）

【課題】光の透過性を維持しつつ、表面が平滑で、非晶質であり、かつ、成膜時に基板を加熱しなくても比抵抗が小さい透明導電性薄膜を提供する。
【解決手段】タングステン、亜鉛、マグネシウムを含有し、残部がインジウム、酸素および不可避的不純物からなる酸化物焼結体であって、タングステンがインジウムに対する原子数比で０．００４〜０．０３３、亜鉛がインジウムに対する原子数比で０．００５〜０．０３２、マグネシウムがインジウムに対する原子数比で０．００７〜０．０５６の割合で含有される酸化物焼結体を用いてスパッタリングターゲットを作製する。作製したスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングを実施して、透明導電性薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬ素子特性の劣化が抑制され、ダークエリアの発生が小さい有機電界発光素子を提供する。
【解決手段】基板上に、第１電極と、有機化合物層と、第２電極と、を備える有機電界発光素子であって、第１電極と第２電極との間に、第１電極と第２電極との絶縁を確保するための絶縁層として、アモルファスカーボン系材料を含む膜、またはプラズマ重合膜を備える有機電界発光素子である。これにより、有機ＥＬ素子特性の劣化が抑制され、ダークエリアの発生が小さくなる。 （もっと読む）

分子線エピタキシャル成長法によりＩＩＩ−Ｖ族系化合物半導体のヘテロ接合を有する半導体薄膜を形成するエピタキシャル成長方法であって、少なくとも一種類以上のＩＩＩ族元素の分子線と第１のＶ族元素の分子線とを照射して第１の化合物半導体層を形成する第１の工程と、前記ＩＩＩ族元素の分子線と前記第１のＶ族元素の分子線の照射を停止し、前記第１のＶ族元素の供給量が前記第１の工程における供給量の１／１０以下となるまで成長を中断する第２の工程と、少なくとも一種類以上のＩＩＩ族元素の分子線と第２のＶ族元素の分子線とを照射して前記第１の化合物半導体層上に前記第１の化合物半導体とは異なる第２の化合物半導体層を形成する第３の工程と、を備えるようにした。
（もっと読む）

【課題】 高硬度鋼の高速切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆超硬合金製切削工具を提供する。
【解決手段】 表面被覆超硬合金製切削工具が、超硬基体の表面に、（ａ）いずれも（Ｔｉ，Ａｌ，Ｓｉ）Ｎからなる上部層と下部層で構成し、前記上部層は０．５〜１．５μｍ、前記下部層は２〜６μｍの層厚をそれぞれ有し、（ｂ）上記上部層は、いずれも５〜２０ｎｍ（ナノメ−タ−）の層厚を有する薄層Ａと薄層Ｂの交互積層構造を有し、上記薄層Ａ、Ｂは、それぞれ特定な組成式からなり、（ｃ）上記下部層は、単一相構造を有し、組成式：［Ｔｉ_{1-（Ｅ＋Ｆ）}Ａｌ_ＥＳｉ_Ｆ］Ｎ（ただし、原子比で、Ｅは０．５０〜０．６０、Ｆは０．０１〜０．０９を示す）を満足する（Ｔｉ，Ａｌ，Ｓｉ）Ｎ層、からなる硬質被覆層を蒸着形成してなる。 （もっと読む）

【課題】 従来のモータの軸受装置では、モータの回転軸とこれを回転自在に保持する軸受との摺動接触部分に生じるフリクションの低減が望まれていた。
【解決手段】 モータケース１２に収容したモータの回転軸１７を軸受１９で回転自在に保持する装置であって、回転軸１７と軸受１９とが、エステル油及び／又はエーテル油を基油とするグリースを介して摺動接触しており、回転軸１７及び軸受１９の少なくとも一方の摺動接触面に硬質炭素薄膜が形成してあると共に、硬質炭素薄膜の水素含有量を２０原子％以下とすることで、摺動接触部分のフリクションの大幅な低減を実現した。 （もっと読む）

【課題】 難削材の高速切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆超硬合金製切削工具を提供する。
【解決手段】 表面被覆超硬合金製切削工具が、超硬基体の表面に、（ａ）いずれも（Ｔｉ，Ａｌ，Ｖ）Ｎからなる上部層と下部層で構成し、前記上部層は０．５〜１．５μｍ、前記下部層は２〜６μｍの層厚をそれぞれ有し、（ｂ）上記上部層は、いずれも５〜２０ｎｍ（ナノメ−タ−）の層厚を有する薄層Ａと薄層Ｂの交互積層構造を有し、それぞれ特定な組成式を満足する（Ｔｉ，Ａｌ，Ｖ）Ｎ層、からなり、（ｃ）上記下部層は、単一相構造を有し、組成式：（Ｔｉ_{1-（Ｅ＋Ｆ）}Ａｌ_ＥＶ_Ｆ）Ｎ（ただし、原子比で、Ｅは０．５０〜０．６５、Ｆは０．０１〜０．０９を示す）を満足する（Ｔｉ，Ａｌ，Ｖ）Ｎ層、からなる硬質被覆層を蒸着形成してなる。 （もっと読む）