【課題】成膜装置において、成膜中に基板へのイオン照射を十分に行うと共に、良好なイオン化率を得る。
【解決手段】本発明の成膜装置１は、内側に配備された内極磁石９と、この内極磁石９の外側に配備され且つ内極磁石９より磁力線密度が大きな外極磁石１０とで形成された非平衡磁場形成手段６と、非平衡磁場形成手段６の前面に配備されたターゲット５とからなるスパッタリング蒸発源４を２基有し、２基のスパッタリング蒸発源４を１組として１０ｋＨｚ以上の周波数で極性が切り替わる交流電流を流すことにより、両スパッタリング蒸発源４の間に放電を起こして成膜を行う交流電源８が設けられている。 （もっと読む）

【課題】液体急冷法や化学還元法で作製したアモルファス合金の構造的な弱点を解決し、大きい表面積を有し、高い触媒活性を示し、更に、単なるアモルファス粒子よりかなり構造的に高い熱安定性も有するナノ金属ガラス薄膜を、工業プロセスで製造することができるナノ金属ガラス粒子集合体の製造方法を提供する。
【解決手段】真空引き、ガス置換が終了したＲＦマグネトロンスパッタ装置において、ＲＦ電圧印加直後のプラズマが不安定な状態で、ＲＦ電源を間欠的にＯＮ−ＯＦＦする。ガス置換ガスはアルゴンガスであり、ＲＦ電源の間欠的なＯＮ−ＯＦＦの間隔は、３分間以上、１０分間以内である。 （もっと読む）

【課題】反応性スパッタリングにより所定の薄膜を形成する際に、処理基板全面に亘って膜厚分布や比抵抗値などの膜質を略均一にできるようにスパッタリング装置を構成する。
【解決手段】同数のターゲット３１ａ乃至３１ｈが等間隔で並設された複数のスパッタ室１１ａ、１１ｂの間で、各ターゲットに対向した位置に処理基板Ｓを搬送し、この処理基板が存するスパッタ室内の各ターゲットに電力投入して各ターゲットをスパッタリングし、処理基板表面に同一または異なる薄膜を積層する。その際、相互に連続するスパッタ室の間で処理基板表面のうち各ターゲット相互の間の領域と対向する箇所がずれるように処理基板の停止位置を変える。 （もっと読む）

【課題】高密度で均一なプラズマが生成される誘導結合プラズマ装置を提供する。
【解決手段】プロセス・チャンバに電気エネルギを結合して該プロセス・チャンバ内でプロセス・ガスからプラズマを発生させるための要素１０であって、要素１０は、長さ方向に沿って順次配置された多数のコイル・ターン３２を有する単一のコイルで構成される導電性要素１０であり、コイル・ターンの少なくとも一つ３４ａは、プラズマ処理システムの誘電体ウインドウにほぼ平行な第１平面３６に配向され、コイル・ターン３２の少なくとも一つ３４ｂは、第１平面３６と角度をなす第２平面３８に配向されている。 （もっと読む）

【課題】抵抗率分布の均一性の向上を図る透明導電膜の製造方法を提供する。
【解決手段】透明導電膜の製造方法において、少なくともアルミニウムがドープされた酸化亜鉛をターゲット２０として用い、水素を導入した雰囲気中で、直流電力に高周波電力を重畳したスパッタ電圧を用いたマグネトロンスパッタリング法により基体３０上に透明導電膜を形成する。この態様によれば、エロージョン対向部での酸化を抑制可能となり、過剰な酸化が原因と考えられる透明導電膜の抵抗率分布の不均一性を改善することができる。 （もっと読む）

【課題】ガス導入チューブ内でのプラズマの発生を防ぐことのできるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】一端部がカソード部のガス導入口に接続され、他端部が接地された部材に結合された電気絶縁性のガス導入チューブ２５の中空部内に、この中空部を長手方向に沿って複数に分ける通気性を有する複数の導体３１と、ガス導入チューブ２５の中空部を狭めて、その中空部よりも断面積が小さいガス流路をガス導入チューブ２５の一端部と他端部との間に形成する複数の誘電体３２と、を設けた。 （もっと読む）

【課題】 安定した高品質の有機ＥＬ素子の製造方法及び有機ＥＬ素子を提供する。
【解決手段】 凹凸面を有する透明基板の上にスパッタリング装置を用いて透明電極として機能する透明導電膜を形成する工程を含む有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、スパッタリング装置は透明基板を支持する基板電極とターゲットを支持するターゲット電極とを備えるものであって、透明導電膜を形成する工程は、基板電極とターゲット電極のそれぞれに高周波電力を供給する。 （もっと読む）

【課題】膜厚を高精度で制御でき、かつ生産性に優れるスパッタ装置及びスパッタ成膜方法を提供する。
【解決手段】チャンバー１２内に基板ホルダー１４が設置されたカルーセル型スパッタ装置において、低屈折率膜形成用と高屈折率膜形成用にそれぞれ通常のマグネトロン２３、３３３とＡＣのマグネトロン２７、３７が併設され、設計膜厚（目標膜厚）の９０％までＡＣのマグネトロンで成膜し、その後、通常のマグネトロンのみで成膜する。成膜中に基板１８の透過率を測定し、その情報を電源にフィードバックすることで、膜厚コントロールを行う。 （もっと読む）

本発明の薄膜形成装置（１）は、内部を真空に維持する真空容器（１１）と、真空容器（１１）内に反応性ガスを導入するガス導入手段（７６）と、真空容器（１１）内に反応性ガスのプラズマを発生させるプラズマ発生手段（６１）と、を備える。そして、真空容器（１１）内の壁面には、熱分解窒化硼素（Ｐ）が被覆されている。
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シリコンスパッタターゲット（２）と被成膜基板（Ｓ）を設置した成膜室（１０）内に水素ガスを導入し、該ガスに高周波電力を印加することで該成膜室内にＨα／ＳｉＨ^＊が０．３〜１．３であるプラズマを発生させ、該プラズマにてシリコンスパッタターゲット（２）をケミカルスパッタリングして基板（Ｓ）上に結晶性シリコン薄膜を形成する。比較的低温下で、安価に、安全に、良質の結晶性シリコン薄膜を形成できる。 （もっと読む）