【課題】 バイアスされた基板支持体上に取りつけられたクランプされた基板の温度を制御する方法を提供する。
【解決手段】 基板支持体は、基板を加熱または冷却するための裏側ガスの流れを可能にする通路を有し、それによって、裏側ガスの圧力が少なくとも１５トルに維持される。高いガス圧が基板を横切って処理の厚さの均一性を改善する。スパッタされたシード層のプラズマ堆積のために、シード層の形状は、基板のエッジ近くで改善され、基板を横切る層の均一性も改善される。 （もっと読む）

【課題】 前工程の加工で発生した欠陥に起因する自工程の加工でのトラブルの発生を防止することにより、製品の歩留まり及び製造速度を向上させて、製造原価を低減する。
【解決手段】 データ読出部４が前工程迄に生じた欠陥のデータをフィルム原反１の縁端部から読み出したときには、制御部６は、欠陥の内容，程度等に応じてフィルム原反１の欠陥部分及びその周辺における加工条件を決定して、加工部５の動作を制御する。又、検査部７が、自工程の異常放電等によってフィルム原反１或いはフィルム原反１に形成した膜等に穴を明けたり、明いている穴を拡大させたり、膜厚が許容範囲外となる等の欠陥を検出したときには、記録部８は、検査部７の検出した欠陥の内容，程度等に応じた欠陥データをフィルム原反１の縁端部に記録する。 （もっと読む）

【課題】 低圧力下で均一な低電子温度プラズマを発生させることができるプラズマ処理方法及び装置を提供する。
【解決手段】 真空容器１内に、ガス供給ユニット２から所定のガスを導入しつつ、ポンプ３により排気を行い、真空容器１内を所定の圧力に保ちながら、マッチング回路１０を介して導電体材料用高周波電源４により１００MHzの高周波電力を誘電体５上に載置された第一導電体材料６ａの実質的な中心部１１ａに供給するとともに、第二導電体材料６ｂの外周端部１２ｂを接地することにより、真空容器１内にプラズマが発生し、電極７上に載置された基板８に対してエッチング、堆積、表面改質等のプラズマ処理を行うことができる。 （もっと読む）

【目的】 真空蒸着における膜厚を一定に制御すること。
【構成】 るつぼに収容した金属または合金を電子ビームで溶融させ、一定速度で供給されている基体フィルムに、前記溶融した金属または合金から蒸発した金属蒸気を蒸着させ、得られた蒸着金属の厚さｔを間欠的または連続的に測定し、その値を設定厚さｔ₀ と比較して誤差Δｔ＝ｔ−ｔ₀ を算出し、その値をフィードバック率５０％以下で負帰還して電子ビームのエネルギーを制御し目標範囲に蒸着膜厚を規制することを特徴とする、真空蒸着における膜厚制御方法。 （もっと読む）

【目的】生成超電導薄膜の組成が一定になるよう、その成膜を制御することが容易にできる新規な組成の超電導薄膜製造装置を提供する。
【構成】 それぞれ独立した電力印加手段を有する複数のターゲットを備え、それら複数のターゲットは、互いに、含有する元素の種類と組成の少なくとも一方を異にし、かつ、それらターゲットに含有される元素の全体は、所定の超電導薄膜の構成元素をすべて含み、元素別に成膜速度を検出する手段と、その検出値をその元素を含むターゲットの電力印加手段にフィードバックする手段を備えて、成膜薄膜の組成を前記所定の超電導薄膜の化学量論比に制御するようにした超電導薄膜製造装置。 （もっと読む）

【目的】 バリア層の電気的コンタクトおよびバリア性が向上した集積回路を得ることを目的とする。
【構成】 シリコン基板６２上にバリア層６１を介して配線層６０が形成された大規模集積回路において、バリア層６１を、シリコン基板６２から配線層６０に向ってチタン層６５、窒化二チタン層６８および窒化チタン層６７の順序で形成した。 （もっと読む）

［構成］ 真空処理室１ａの両壁部１９ａ、１９ｂにフランジ加熱ヒ−タ１４ａ、１４ｂを埋設し、これ以外の各バレル１０面が対向する外周壁部１８には処理室加熱ヒ−タ１３が埋設されている。また、真空排気系用配管５１の壁部にも排気系加熱ヒ−タ１５が埋設されており、更に蒸発源容器５ａ、５ｂのに接続されている導入管６ａ、６ｂにも導入管加熱ヒ−タ１６ａ、１６ｂが埋設されている。これら各加熱ヒ−タは各々独立して温度制御が可能である。導入管加熱ヒ−タ１６ａ、１６ｂを設けたことで導入管６ａ、６ｂにモノマが付着せず蒸発速度の低下が防止でき、排気系加熱ヒータ１５を設けたことで真空排気系２の内壁にモノマが付着せず排気能力の低下が防止でき、蒸発レ−トが不安定となる要因を取り除くことができる。
［効果］ 被蒸着物表面上に形成される高分子被膜の質を良好にする。 （もっと読む）

【目的】 分子線結晶成長装置に関し、分子線源セル用シャッタ板に付着した分子線が液状に蓄積し、これが落下または飛散しても分子線源セル用シャッタ板駆動手段や基板ホルダ位置調節手段に設けられた気密保持用のベローズが損傷を受けることのないようにされてなる分子線結晶成長装置を提供することを目的とする。
【構成】 分子線源セル用シャッタ板駆動手段15が気密的に真空容器11を貫通することを許す第１のベローズ５と、基板ホルダ位置調節手段18が気密的に真空容器11を貫通することを許す第２のベローズ５とを有する分子線結晶成長装置において、第１及び第２のベローズ５の下部には、少なくともベローズ５の伸縮可能長さに対応する高さを有する基部７が設けられ、少なくとも第１及び第２のベローズ５の伸長時の長さに対応する長さを有する外筒８がベローズ５を包囲してベローズ５の上端に接続されるように構成される。 （もっと読む）