本発明の実施形態は、四酸化ルテニウム含有ガスから基板表面上にルテニウム含有層を形成するための装置及び方法を提供する。一般に、方法には、基板表面を四酸化ルテニウム蒸気にさらして、基板表面上に触媒層を形成するステップと、続いて基板表面上のデバイス構造を少なくとも１つの堆積プロセスによって充填するステップとが含まれる。一実施形態において、ルテニウム含有層は、外部容器内で四酸化ルテニウムを生成し、その後、生成した四酸化ルテニウムガスを処理チャンバ内に位置する温度制御された基板表面に分配することによって基板表面上に形成される。他の実施形態において、ルテニウム含有層が四酸化ルテニウム含有溶媒を用いて、基板表面上に形成される。他の実施形態において、溶媒は四酸化ルテニウム含有溶媒から分離され、残りの四酸化ルテニウムは基板表面上にルテニウム含有層を形成するために用いられる。 （もっと読む）

【課題】アルミ配線層間をタングステンプラグによって電気的に接続する構成において、スルーホール内面全面にバリアメタル層が形成され、タングステンプラグとアルミ配線層との電気的接続の信頼性が高く、接触抵抗が低い半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】スルーホール９の内面にチタン膜１０および窒化チタン膜１１の２層構造で構成されるバリアメタル層を形成する。なお、チタン膜１０および窒化チタン膜１１は、層間絶縁膜７の主面上にも形成される。このバリアメタル層の形成に際しては、チタンターゲットを用いた高指向性スパッタリングが可能で、かつ、高周波電圧を半導体基板にバイアスする基板バイアス機構を備え、チタンターゲットからのスパッタ粒子を半導体基板に引き付けることで、窒化チタン膜１１をアモルファス金属膜とすることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 これまでのＴｉＳｉ_２やＣｏＳｉ_２では奏することが出来ない優れた特長を奏するＮｉＳｉ膜を基板に損傷を与えることなく形成できる技術を提供することである。
【解決手段】 ニッケルシリサイト膜またはニッケル膜を形成する為の膜形成材料であって、
前記膜のＮｉ源がＮｉ（ＰＦ₃）₄である。 （もっと読む）

銅薄膜を低温下で形成する方法を提供する。この方法は、フッ素を含まない銅前駆体からなる酸化銅層を基板上に形成し、この酸化銅層を還元して銅層を基板上に形成する、２つの工程を含む。酸化銅の形成は、フッ素原子を含まない銅前駆体と酸素含有ガスとを、低温下で用いる原子層沈着によって行われる。銅アルコキシド、銅β-ジケトネート、及び銅ジアルキルアミドが、銅前駆体として好ましい。形成された酸化銅層の還元は、低温下で水素含有ガスを用いて行われる。
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【課題】 成膜速度が速く、成膜時のダメージが小さい金属系膜の作製方法及び作製装置及び積層膜作製装置を提供する。
【解決手段】 圧力制御可能なチャンバ１に基板３を設置し、チャンバ１内に配設され、３ｄ遷移金属からなる被エッチング部材１０の上方から、Ｂ又はＳｉを含有するハロゲン系の原料ガスを供給すると共に、原料ガスのプラズマ１９を発生させて、ハロゲンのラジカルを生成し、ハロゲンのラジカルにより、被エッチング部材１０をエッチングして、被エッチング部材に含まれる３ｄ遷移金属成分の前駆体２０を生成し、被エッチング部材１０より低い温度に制御された基板３に、前駆体２０を成膜させると共に、成膜された前駆体２０をハロゲンのラジカルにより還元して、基板３上に３ｄ遷移金属、又は、Ｂ若しくはＳｉを含有する３ｄ遷移金属の金属系膜を作製する。 （もっと読む）

【課題】 凹部への埋め込み性が良好で、長期に亘り安定した良好な電気的特性を得ることができ、さらに作製工程を可及的に低減し得る配線構造を提供する。
【解決手段】 Ｃｕ板と基板３との温度及び温度差を所定通りに制御しつつ、原料ガスであるＣｌ₂ ガスのプラズマによりＣｕ板をエッチングすることによりＣｕ成分とＣｌ₂ ガスとの前駆体であるＣｕＣｌを形成し、この前駆体が基板３に吸着され、その後Ｃｕ成分を析出させることによりＣｕの薄膜を形成する成膜反応と、この成膜反応により形成されたＣｕ膜をＣｌ₂ ガスのプラズマでエッチングするエッチング反応とを共存させるとともに、前記成膜反応の速度が前記エッチング反応の速度よりも大きくなるように制御することにより前記凹部３ａにその底部から順にＣｕ膜を積層してこの凹部３ａにＣｕを埋め込んだ。 （もっと読む）