【課題】界面破壊現象が発生しない炭素ナノチューブ配線の形成方法及びこれを利用した半導体素子配線の形成方法が開示されている。
【解決手段】基板上に酸化金属膜を形成した後、前記酸化金属膜上に前記酸化金属膜の表面を露出させる開口を含む絶縁膜パターンを形成する。前記開口に露出された前記酸化金属膜を炭素ナノチューブの成長が可能な触媒金属膜パターンに形成する。前記触媒金属膜パターンから炭素ナノチューブを成長させて炭素ナノチューブ配線を形成する。前述した炭素ナノチューブ配線の形成方法は、前記絶縁膜パターンと触媒金属膜パターンとの間で炭素ナノチューブが成長する現象を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】下地の材質に拘らず、微細でアスペクト比の高い孔や凹部あるいは溝等の内部に超臨界流体を用いて導電体を効率よく選択的に、かつ、容易に設けることができる導電体の選択形成方法を提供する。
【解決手段】導電体２１を設ける凹部１５が形成された被処理体１６および導電体２１の主成分となる金属２０を含む金属化合物１８を超臨界流体を含む雰囲気下に配置するとともに、金属化合物１８の少なくとも一部を超臨界流体中に溶解させる。超臨界流体中に溶解した金属化合物１８ａを被処理体１６の表面に接触させて凹部１５内に選択的に導入するとともに、凹部１５内に導入された金属化合物１８ａを凹部１５内で凝集させて金属化合物１８ａから金属２０を析出させる。凹部１５内に析出した金属２０を固化させることにより凹部１５内に導電体２１を設ける。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成され開口面積が異なる複数の貫通部を組み合わせた形状のパターンを有するレジスト膜のパターン内への金属膜の埋め込み成膜を短時間で良好に行うことができる金属膜作製方法及び金属膜作製装置を提供する。
【解決手段】開口面積が異なる複数の貫通部を組み合わせた形状のパターンを基板３上にパターニングしたレジスト膜３０のパターンの底部から順に前駆体２４を吸着させてこの前駆体２４の金属成分のみを析出させて金属膜を形成する成膜反応と、金属膜を塩素ラジカルでエッチングするエッチング反応とを共存させながら貫通部内に金属膜を形成し、レジスト膜３０のパターンの中で開口面積が最小の貫通部を金属膜によって完全に埋めた時点で金属膜の表面に金属酸化膜を形成した後、金属膜で完全に埋められていない残りの貫通部内への金属膜の埋め込みを行う。 （もっと読む）

化学蒸着（ＣＶＤ）によって形状記憶または超弾性薄膜を堆積する方法、ならびにステント、移植片、ステント移植片、ステントカバー、閉塞およびフィルタメンブレン、および薬物送達デバイスを含めた、それによって作製される医療デバイス。この方法は、ニッケルチタン形状記憶または超弾性合金の被膜の製造時にＣＶＤ反応を使用して基板表面上に薄膜が堆積されることを含む。そのようなニッケルチタンベースの形状記憶または超弾性合金は、二元ニッケルチタン合金であってよく、または三元、四元、もしくはそれよりも高いレベルの合金を形成するために追加の化合物を含んでいてもよい。
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【課題】 カールフィッシャー法による水分含有量測定ができないプレカーサを含有し、高度な水分管理がなされた気化プロセス用薄膜原料を提供すること。
【解決手段】 分子構造中にＳｉ−Ｈを有するシラン化合物、亜燐酸エステル、銅(II)錯体、銅（I）錯体、金属アミド化合物、金属アルコキシド化合物、アルキル金属化合物及び金属ハイドライド化合物からなる群から選択される少なくとも１種のプレカーサを含有してなり、水分含有量が１ｐｐｍ以下である気化プロセス用薄膜原料。 （もっと読む）

本明細書には、ルテニウムおよび元素周期表のＩＶ族、Ｖ族、もしくはＶＩ族の元素の少なくとも１つの元素またはこれらの組合せが含まれる、蒸着法または原子層堆積法において用いるための合金が記載される。また、本明細書には、ルテニウム系材料またはルテニウム系合金を含む少なくとも１つの層、および元素周期表のＩＶ族、Ｖ族、もしくはＶＩ族の元素の少なくとも１つの元素またはそれらの組合せを含む少なくとも１つの層が含まれる積層材料が記載される。
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【課題】小サイズ、低電力かつ高信頼性のトランジスタを提供するために、シリコン酸化物以外の材料でゲート絶縁体を製造する。
【解決手段】原子層堆積した絶縁層及びこうした絶縁層の製造方法が、ＳiＯ₂を用いて達成可能であるより薄い実効酸化膜厚を有する高信頼性の絶縁層を提供する。原子層堆積によってハフニウム金属層を基板上に堆積させて、原子層堆積によってこのハフニウム金属層上に酸化ハフニウム層を堆積させて、シリコン酸化物のほとんどない酸化ハフニウム絶縁層を形成する。原子層堆積した酸化ハフニウムを含む絶縁層は熱力学的に安定であり、酸化ハフニウムは処理中にシリコン基板または他の構造と最小限の反応を行う。
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【課題】 めっき法のように廃液の処理が必要なく、環境に対する負荷が小さい表面処理物、表面処理方法及び表面処理装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係る表面処理物は、スパッタリング法によってボルトやナット等の被処理体３の表面に耐食性物質又は犠牲物質からなる薄膜が被覆されたことを特徴とする。また、本発明に係る表面処理物は、スパッタリング法によって被処理体の表面に薄膜が被覆され、前記被処理体と前記薄膜を反応させて該被処理体の表面に反応層が形成されたことを特徴とする。前記スパッタリング法は、内部の断面形状が多角形を有する真空容器１ｂを、前記断面に対して略垂直方向を回転軸として回転させることにより、該真空容器内の被処理体３を攪拌あるいは回転させながらスパッタリングを行うものであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、熱拡散法によって形成した傾斜機能材層よりも高温揮発減耗を抑制し、電極チップの高温強度を向上させることで火花減耗に対する耐久性を向上させること及び更なる細径化を図り貴金属使用量を抑えて安価であることを実現するスパークプラグ用電極チップを提供することである。
【解決手段】
本発明に係るスパークプラグ用電極チップは、イリジウム又はイリジウム合金からなる芯材の表面に、イリジウムとロジウムを主成分とする合金からなる保護被膜を被覆する際に、保護被膜を気相法によって形成し、保護被膜の組成を、芯材の表面上においてはイリジウムのみ又はイリジウムを主成分とし、膜成長方向に沿ってロジウム含有量が連続的及び／又は段階的に増加すると共にイリジウム含有量が連続的及び／又は段階的に減少し、且つ、最表面においてはロジウムを７５〜１００質量％含有する組成とする。 （もっと読む）

本発明は、薄膜蒸着を一つのチャンバで連続的に遂行して、チャンバ内部には１ないし６個のウエハー（wafer）をローディング（Loading）して薄膜を蒸着する方法に関する。本発明による薄膜蒸着方法は、シャワーヘッド又はガス噴射手段と基板の間の工程間隔を調整可能な半導体薄膜蒸着チャンバ内で基板に薄膜を蒸着する方法において、（ａ）少なくとも一つの基板をチャンバの内部にローディングする段階、（ｂ）第１工程の間隔を維持する基板にＴｉ薄膜を蒸着する段階、（ｃ）前記Ｔｉ薄膜が蒸着された基板の工程間隔を調整するためにウエハーブロックを、第１工程間隔が第２工程間隔となるように移動させる段階、（ｄ）前記第２工程間隔に移動された基板にＴｉＮ薄膜を蒸着する段階、及び、（ｅ）前記Ｔｉ／ＴｉＮ薄膜が蒸着された基板をアンローディングする段階を含むことを特徴とする。本発明によれば、一つのチャンバで１ないし６個の基板にＴｉ／ＴｉＮ薄膜蒸着が連続進行可能になれば、通常このような場合４個のチャンバの中から１個だけＰＭ期間になるように調整することで、クラスタツールの可動率が大きく向上する。また、一つのチャンバでＴｉ／ＴｉＮを連続遂行するようになればＴｉチャンバからＴｉＮチャンバの方に基板を移す時間を節約できるので単位時間当り基板処理効率も非常に高くなる。 （もっと読む）