【課題】比誘電率の低い絶縁層の表面にＭｎ等の第２の金属を含む第２金属含有膜を形成する際に、下地膜としてＲｕ等の第１の金属を含む第１金属含有膜を介在させることにより上記第２金属含有膜を効率的に形成する。
【解決手段】底面に金属層３が露出する凹部２を有する絶縁層１が表面に形成された被処理体に対して成膜処理を施す成膜方法において、第１の金属を含む第１金属含有膜を形成する第１金属含有膜形成工程と、前記第１金属含有膜形成工程の後に行われ、前記凹部に埋め込まれる埋め込み金属に対してバリヤ性を有する第２の金属を含む第２金属含有膜を形成する第２金属含有膜形成工程とを有する。これにより、下地膜としてＲｕ等の第１の金属を含む第１金属含有膜を介在させて上記第２金属含有膜を効率的に形成する。 （もっと読む）

【課題】耐食性、耐傷性および導電性に優れた燃料電池セパレータの製造方法および燃料電池セパレータを提供する。
【解決手段】燃料電池セパレータ１の基材２にアルミニウム合金を用いて、基材２の上に純アルミニウムを蒸着して純アルミニウム層１１を形成し、該純アルミニウム層１１の上に純チタンを蒸着してチタン層１２を形成し、該チタン層１２の上に非晶質炭素を蒸着して非晶質炭素層１３を形成する。この非晶質炭素層１３により、基材２の腐食の原因である水の侵入を防いで耐食性を向上させる。 （もっと読む）

【課題】
当技術分野は、ルテニウム含有フィルムの蒸気相形成のための改善された組成物を求めている。
【解決手段】
ルテニウム堆積の速度及び程度をそのような補助金属種の不存在下でのルテニウムの堆積に比較して増大させる補助金属種と共にルテニウムを堆積させることを含む、蒸着プロセスでルテニウム含有フィルムを形成する方法。そのような方法を実施するために有用な実例となる前駆物質組成物は、ルテニウム前駆物質及びストロンチウム前駆物質を溶媒媒質中に含み、組成物中において、ルテニウム及びストロンチウムが互いに共堆積されるように、ルテニウム前駆物質及びストロンチウム前駆物質のうちの一方が他方の前駆物質の中心金属原子に配位する側鎖官能基を含む。 （もっと読む）

【課題】ゲルマニウムからなるドットの密度を向上可能な半導体製造装置を提供する。
【解決手段】半導体製造装置６００は、石英管６１０と、反応室６２０と、石英管６１０内へＨ_２ガスを供給する配管６５０と、石英管６１０内にリモート水素プラズマを生成するアンテナ６７０、マッチング回路６８０および高周波電源６９０と、反応室６２０内で基板８００を保持する基板ホルダー６３０と、基板８００を加熱するヒーター６４０と、ゲルマンガスを基板８００の近傍に供給する噴出器７００および配管７１０とを備える。 （もっと読む）

【課題】 ４００℃未満の温度で誘電体上に半導体膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、ジボランを使用するゲルマニウム膜の低温成長をうまく実現する。最初に、ジボランガスが４００℃未満の温度で反応炉内に供給される。ジボランは、所与の温度でそれ自体が分解し、分解後のホウ素が、誘電体、例えばＳｉＯ_２の表面に析出して核形成部位および／またはシード層を形成する。次に、半導体膜を形成するためのソースガス、例えばＳｉＨ_４、ＧｅＨ_４などが反応炉に供給されて半導体膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】基材シートとゲルマニウム蒸着層との密着性、耐水性に優れるゲルマニウム蒸着シートを提供する。
【解決手段】基材シート１０に、水素原子含有量が１〜２０原子％のゲルマニウム蒸着層２０が形成されることを特徴とする。前記ゲルマニウム蒸着層は、ゲルマニウムの水素化物を供給源とするプラズマ化学気相成長法によって形成することができる。ゲルマニウム蒸着膜に水素原子が含有されるため、酸化劣化に対する耐性が向上する。 （もっと読む）

【課題】 残留不純物の少ない良質なルテニウム膜を得ることができる化学的気相成長材料及びその化学的気相成長材料を用いてルテニウム膜を形成する簡易な方法の提供。
【解決手段】
テトラ（μ−トリフルオロアセタト）ジ（アセトン）ジルテニウム、テトラ（μ−ペンタフルオロプロピオナト）ジ（アセトン）ジルテニウムの如きルテニウム化合物と、溶媒とを含む化学気相成長材料、および該化学気相成長材料を用いた化学気相成長方法。 （もっと読む）

【課題】不純物が少ない金属膜を低温でかつ良好なステップカバレッジで成膜することができる成膜方法および成膜装置を提供すること。
【解決手段】基板１上に気相状態の所定の金属元素を含む金属原料ガスを吸着させ吸着層２とする工程と、吸着層２に蟻酸を供給し、基板１上に所定の金属元素の蟻酸塩膜３を生成させる工程と、生成された蟻酸塩膜３に対し、還元雰囲気中でエネルギーを与え、蟻酸塩を分解して金属膜４を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

別途の熱処理工程を省略することができる多層金属薄膜製造方法及びその製造装置を提供する。多層金属薄膜製造方法は、（ａ）第１反応容器に第１金属前駆体を流入して、基板上に第１金属膜を形成する工程と、（ｂ）第２反応容器に第２金属前駆体を流入して、前記第１金属膜上に第２金属膜を形成する工程とを含み、前記（ｂ）工程は、前記第１金属膜が熱処理されながら前記第２金属膜が形成されるように、前記第１金属膜の熱処理温度の範囲内でなされる。
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【課題】薄膜特性及び接着性が改善が可能な基板構造形成方法及びこれを用いて形成された基板構造を提供する
【解決手段】基板構造を形成する方法は、基板１０をエッチングして垂直面５１を有するエッチング部５０を形成する段階と、基板１０の全面上にまたは基板１０に部分的に拡散物質層６０を形成する段階と、拡散物質層６０を熱処理して、一部が上記エッチング部５０の表面の下へと拡散したシード層６０’を形成する段階、及びシード層６０’上に金属層７０を形成する段階とを含む。上記方法によれば、シード層６０’によって基板１０のエッチング部５０の表面特性が改善されることもあるので、エッチング部５０の垂直面５１に接着性に優れ且つ均一な厚さの金属層７０を形成することができる。 （もっと読む）