【課題】酸化亜鉛透明導電膜中の酸素欠損を制御することで耐湿性を改善した透明導電膜付基板を提供する。
【解決手段】光入射側から順に、少なくとも透光性基板と、酸化亜鉛層とを備える透明導電膜付基板であって、酸化亜鉛層のラマンスペクトルピーク強度比をＥ_２（ｈｉｇｈ）／Ａ_１（ＬＯ）＞２．０としたことを特徴とする、透明導電膜付基板。本発明によれば、酸化亜鉛層を備える透明導電膜付基板の耐湿性を著しく改善することができるため、当該基板を備えた薄膜光電変換装置は、例えばシート抵抗変化率が小さいなど、優れた耐環境信頼性を発現できる。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素ウエハの表面の全体に渡って荒れの発生のない炭化珪素半導体デバイスの製造方法を提供とする。
【解決手段】本炭化珪素半導体デバイスの製造方法は、炭化珪素ウエハ１０に不純物３０ｉをイオン注入する工程と、不純物３０ｉがイオン注入された炭化珪素ウエハ１０上にダイヤモンド層４０を形成する工程と、ダイヤモンド層４０が形成された炭化珪素ウエ１０を熱処理することにより、炭化珪素ウエハ１０内に不純物３０ｉが活性化した不純物領域３０を形成する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】凹凸形状部位にもリーク電流が小さく高誘電率のジルコニア系膜を確実に成膜することができる成膜方法および成膜装置を提供すること。
【解決手段】真空保持可能な処理容器内に被処理体を挿入し、処理容器内を真空に保持した状態とし、処理容器内にジルコニウム原料と酸化剤とをこの順に供給して被処理体上にＺｒＯ膜を形成する第１工程と、前記処理容器内にジルコニウム原料とシリコン原料と酸化剤とをこの順で供給して被処理体上にＳｉがドープされたＺｒＯ膜を形成する第２工程とを、それぞれの回数を調整して実施することにより、膜中のＳｉ濃度を制御しつつ所定膜厚のジルコニア系膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】比較的低温でも埋め込み特性が良好なアモルファス状態の不純物含有のシリコン膜を形成することが可能な薄膜の形成方法を提供する。
【解決手段】真空排気が可能になされた処理容器１４内で被処理体Ｗの表面に不純物含有のシリコン膜を形成する薄膜の形成方法において、処理容器内へシリコンと水素とよりなるシラン系ガスを該シラン系ガスが被処理体の表面に吸着するような状態で供給する第１のガス供給工程と処理容器内へ不純物含有ガスを供給する第２のガス供給工程とを交互に繰り返し行うことによりアモルファス状態で不純物含有のシリコン膜を形成する。これにより、比較的低温でも埋め込み特性が良好なアモルファス状態の不純物含有のシリコン膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】埋め込み金属との密着性及び埋め込み特性の改善を図ることができるのみならず、エレクトロマイグレーション耐性も向上させることが可能な薄膜の形成方法を提供する。
【解決手段】表面に凹部８を有する被処理体Ｗの表面に薄膜を形成する形成方法において、被処理体の表面に埋め込み用の金属膜１６して凹部を埋め込む埋め込み工程と、金属膜を覆うようにして被処理体の表面の全面に拡散防止用の金属膜１８を形成する拡散防止膜形成工程と、被処理体をアニールするアニール工程とを有する。これにより、埋め込み金属との密着性及び埋め込み特性の改善を図ることができるのみならず、エレクトロマイグレーション耐性も向上させる。 （もっと読む）

【課題】多孔体基板上へのより高品位で緻密な薄膜形成を可能とすることで、発電特性に優れる中温型燃料電池の製造方法を提供する。
【解決手段】金属粉末焼結多孔体基板６を研磨加工した面上にＣＶＤ法および／またはＰＶＤ法にて酸化物薄膜８を成膜した後、その上に液相法により成膜９を行うことを特徴とする金属粉末焼結多孔体基板への薄膜製造方法。上記の液相法がＭＯＤ法、またはゾルゲル法であることを特徴とする金属粉末焼結多孔体基板への薄膜製造方法。 （もっと読む）

【課題】バリアフィルムの製造中であってもバリアフィルムのバリア性能の異常をリアルタイムに把握することができるので、異常に対する対応を迅速に取ることができるバリアフィルムの製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】真空な成膜装置内で長尺な可撓性フィルムＷを搬送しながらバリア膜を形成すると共に、可撓性フィルムＷの搬送に段付きローラＲを用いるバリアフィルムの製造装置において、成膜装置内であって、バリア膜を形成した後に少なくとも配置された段付きローラに設けられ、可撓性フィルムが段差ローラの中央部５２側へ変形する変形距離を非接触で検出する変形距離検出手段７２と、検出した検出値と変形距離Ｌの設定基準値とを比較する比較手段７４と、比較した結果、検出値が設定基準値よりも大きいときに、変形を生じたバリアフィルム部分のバリア性能が不合格であると判定する判定手段７６と、を備える。 （もっと読む）

【課題】炭素系素材及び炭素系コーティング膜を表面にもつ部品等の所定部位を選択的にかつ効率的に物質除去し、所定の寸法、形状の除去範囲を獲得する。
【解決手段】グラファイト、グラッシー・カーボン、アモルファス・カーボン（ダイヤモンド・ライク・カーボンを含む）、カーボン・ナノ・チューブ、フラーレン、焼結ダイヤモンド、天然ダイヤモンドのいずれか又はそれを含む炭素系素材又はそれらの炭素系素材からなる部品若しくは部材において、任意に選択した表面部位に、原子状酸素３あるいは活性化酸素あるいは酸素系イオンのいずれか一つ又は複数を同時に、室温以上で処理対象素材の軟化点以下の温度のもとで付与することにより、所定の寸法、形状にまで，上記任意に選択した表面部位の上記炭素系物質を除去する炭素系物質除去方法とする。 （もっと読む）

炭素非含有シリコン−窒素前駆体およびラジカル窒素前駆体からシリコンおよび窒素を含む共形誘電体層（例えばシリコン−窒素−水素（Ｓｉ−Ｎ−Ｈ）膜）を形成するための方法、材料、およびシステムを説明する。炭素非含有シリコン−窒素前駆体は、ラジカル窒素前駆体との接触により優先的に励起される。シリコン−窒素膜が、炭素を含まずに形成されるため、膜を硬化された酸化ケイ素に転化させても、孔は殆ど形成されず、体積収縮も殆ど生じない。堆積されたシリコン−窒素含有膜は、共形誘電体層の光学特性を選択可能にし得る酸化ケイ素へと完全にまたは部分的に転化され得る。薄いシリコン−窒素含有膜の堆積は、基板トレンチ内にライナ層を形成するために、低温で実施され得る。低温ライナ層は、濡れ特性を向上させ、流動性膜をトレンチ内により完全に充填させることを可能にする。
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