【課題】平坦なＮｉＰｔシリサイド層を形成する。
【解決手段】ＣＶＤ法を用いて、シリコン層２６（ゲート），２９（ソース・ドレイン）上にＰｔ層を形成する。次いで、ＣＶＤ法を用いて、Ｐｔ層上にＮｉ層を、Ｐｔ層より厚く形成する。次いで、シリコン層２６，２９、Ｐｔ層、及びＮｉ層を熱処理することにより、ＮｉＰｔシリサイド３３を形成する。Ｐｔ層の平均膜厚が０．５ｎｍ以上２ｎｍ以下であるのが好ましい。またシリコン層は、例えばＭＩＳＦＥＴのソース・ドレインである。 （もっと読む）

【課題】 低コストで必要な仕事関数及び耐酸化性を有する金属膜を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】 基板を処理容器内に搬入する工程と、処理容器内に処理ガスを供給し排気することで、基板上に所定膜厚の金属膜を形成する処理を行う工程と、処理済基板を処理容器内から搬出する工程と、を有し、処理を行う工程では、金属膜を形成する途中もしくは金属膜を形成した後に処理容器内に酸素含有ガスおよび／または窒素含有ガスを熱またはプラズマで活性化して供給し排気することで、金属膜の底面もしくは表面を導電性の金属酸化層、導電性の金属窒化層または導電性の金属酸窒化層に改質する。 （もっと読む）

【課題】量産工程に対応可能な大気圧プラズマＣＶＤ法を用いて、低抵抗な透明導電膜を成膜する方法を提供する。
【解決手段】本発明の透明導電膜の成膜方法は、基板と成膜用印加電極との間に、有機金属化合物ガス、希ガス、および酸化ガスを含む成膜用ガスを供給するステップと、大気圧または大気圧近傍の圧力下において、基板と成膜用印加電極との間に高周波電圧を印加することにより、成膜用ガスから成膜用プラズマを発生させるステップと、該成膜用プラズマに基板を暴露する第１ステップと、基板と後処理用印加電極との間に、希ガスを含む後処理用ガスを供給するステップと、基板と後処理用印加電極との間に高周波電圧を印加することにより、後処理用ガスから後処理用プラズマを発生させるステップと、該後処理用プラズマに透明導電膜を暴露する第２ステップとを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 低コストで必要な仕事関数及び耐酸化性を有する金属膜を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】 表面に金属膜が形成された基板を処理容器内に搬入する工程と、処理容器内に原料ガスと酸化源とを供給し排気することで、基板の表面に形成された金属膜上に所定膜厚の金属酸化膜を形成する処理を行う工程と、処理済基板を処理容器内から搬出する工程と、を有し、処理を行う工程では、酸化源としてオゾンガス、酸素ガスまたはプラズマにより活性化された酸素ガスを用い、所定膜厚の金属酸化膜を形成する過程において形成される金属酸化膜越しに、酸化源に含まれる酸素原子を、金属膜の表面に導入することで、金属膜の表面を酸化して導電性の金属酸化層に改質する。 （もっと読む）

【課題】真空中において長尺な基材フィルムを長手方向に搬送しつつ、基材フィルムへの無機膜の成膜、無機膜を保護するための保護フィルムの積層、積層体の巻取りを行う機能性フィルムの製造において、無機膜と保護フィルムとの間に存在する気泡に起因する無機膜の損傷を防止することを目的とする。
【解決手段】保護フィルムの積層に先立ち、無機膜の加熱処理を行うことにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】重切削の場合であっても耐摩耗性と潤滑性に優れた切削工具の製造方法を提供する。
【解決手段】超硬合金から成る基材と、この基材上に形成された皮膜とを備える切削工具の製造方法であって、
当該切削工具の製造方法は、
（ステップ１）基材上に化学蒸着法または物理蒸着法により金属窒化物、金属炭化物および金属酸化物のうちの少なくとも１種からなる皮膜を形成すること、
（ステップ２）皮膜の表層に機械的硬化処理を施すこと、の一連の各ステップを含む。 （もっと読む）

【課題】良好なシリコン表面パッシベーション品質する表面パッシベーション方法を提供する。
【解決手段】シリコン表面をパッシベーションする方法であって、この方法は、（ａ）シリコン表面を洗浄する工程であって、最終工程が親水性のシリコン表面を得る化学的酸化工程である一連の工程に、シリコン表面を晒す工程を含む工程と、（ｂ）進歩的な乾燥技術を用いて、洗浄したシリコン表面を乾燥させる工程と、（ｃ）シリコン表面上に、ＡＬＤＡｌ_２Ｏ_３層のような酸化物層を堆積する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】逆相境界（ＡＰＢ）の無いＩＩＩ−Ｖ化合物半導体材料およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ化合物半導体材料の製造方法は、ａ）｛００１｝配向を有する第１半導体材料からなる基板と、基板の上に位置し、これと接触する絶縁層と、絶縁層内に、少なくとも部分的に基板を露出させる凹部領域を用意する工程と、ｂ）凹部領域において露出基板の上に位置し、これと接触するバッファ層を形成する工程工程と、ｃ）バッファ層の表面を粗面化するために、熱処理を印加する工程とを含み、バッファ層が、熱処理の印加後に二重ステップ表面を有する丸み形状をなし、ｄ）凹部領域を、バッファ層の二重ステップ表面の上に位置し、これと接触するＩＩＩ−Ｖ化合物半導体材料で少なくとも部分的に充填する工程をさらに含む。 （もっと読む）

【課題】放電容量を高める等の蓄電装置の性能を向上させることが可能な蓄電装置の作製方法を提供する。また、蓄電装置等に用いることで性能を向上させることが可能な半導体領域の形成方法を提供する。
【解決手段】導電層上に、ＬＰＣＶＤ法により、結晶性半導体で形成される複数のウィスカーを有する結晶性半導体領域を形成し、シリコンを含む堆積性ガスを含む原料ガスの供給を停止した後、結晶性半導体領域を加熱処理する結晶性半導体領域の形成方法である。また、当該結晶性半導体領域を蓄電装置の活物質層として用いる蓄電装置の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】膜中及び膜表面の不純物が効果的に除去でき、Ｃｕ配線構造に適用したときにバリア層及びＣｕ配線層に対する密着性に優れて一層の低抵抗を実現できるＣｏ膜形成方法を提供する。
【解決手段】基材Ｓを処理室１０内に配置して処理室内を真空引きすると共に、基材を一の所定温度に加熱し、アルキル基を有するイオン又は分子がコバルトに配位した有機金属材料Ｌを気化させ、気化させた有機金属材料を基材表面に供給し、有機金属材料を熱分解させてＣｏ膜を成膜する。その後、同一の処理室内で、またはＣｏ膜が成膜された基材を他の処理室内に配置し、この基材をアンモニアガスと水素ガスとを含む混合ガス雰囲気中にて他の所定温度でアニールする。 （もっと読む）