【課題】半導体デバイスにおける層間絶縁膜の経時変化を抑制し、デバイスの信頼性を向上する。
【解決手段】成膜終了時にモノマー分解生成物が膜表面に付着することを防ぐために気体分子のチャンバー内滞在時間を短くする。また不活性ガスのプラズマにより表面を処理することで表面に付着したモノマー分解生成物を除去する。 （もっと読む）

【課題】結晶質半導体薄膜を大面積基板上に均一に高速で形成すること。
【解決手段】真空容器１０と、基板１００に対向して設けられる電極１２と、真空容器１０に水素を主成分に含むガスを一定量で連続的に供給するガス供給手段２２ａ、２２ｂ、２２ｃと、基板１００と電極１２との間を基板１００の面内において複数に分割した分割領域に対して半導体材料ガスを分割領域毎に個別に且つ周期的に供給するガス供給手段２２ｄ、２２ｅ、２２ｆと、半導体材料ガスの供給と同期して電極１２における半導体材料ガスが供給された分割領域に対応する領域に個別に高周波電圧を印加する高周波電源４０ａ、４０ｂ、４０ｃと、分割領域への半導体材料ガスの供給のオン／オフを制御するとともに半導体材料ガスの供給に同期させて電極１２に印加する高周波電圧に振幅変調を加える制御手段６０と、真空容器１０内のガスを排気する排気手段２０とを備える。 （もっと読む）

【課題】シール摺動部材を常用しているエアーシリンダーにおいて、Ｏリングが使用されている。ＤＬＣ膜付ゴムにおける摺動部の摩擦係数μ０．３５を０．０８〜０．１５程度に下げ、ドライ摺動でも使用可能な低摩擦化、長寿命化を具現化する摺動部材を提供する。
【解決手段】１例として挙げたエアーシリンダー１は、ハウジング２の内部にピストン４およびピストンロッド３が一対となりエアー室７にエアー出入口８，９から空気圧が交互に送り込まれる機構になっている。シリンダー１の機能を発揮するため、Ｏリング５およびＯリング６がエアー漏れを防ぐように圧接挿入されている。Ｏリング５，６の摩擦係数を下げるためＤＬＣ膜付ゴムの膜面に電子ビーム照射をすることにより、摩擦係数の低減を実現する。 （もっと読む）

【課題】ガスバリア性が高く、屈曲後や経時保存後も高いガスバリア性を維持し、生産性が高く安価に製造可能なガスバリア性フィルムとその製造方法、及び該ガスバリア性フィルムを有する有機電子デバイスを提供することである。
【解決手段】金属酸化物を含むガスバリア層を有するガスバリア性フィルムの製造方法において、該ガスバリア性フィルムを絶対湿度が０．００１〜３ｇ／ｍ^３の環境下において、水と反応する材料を該ガスバリア層表面に接触させることを特徴とするガスバリア性フィルムの製造方法。 （もっと読む）

【課題】原料ガスおよび窒素含有ガスを用いて形成した窒化膜の特性の均一性を向上できる基板処理装置および半導体装置の製造方法を提供するこ。
【解決手段】基板２００を支持する基板支持部材２１７と、基板支持部材２１７を収容可能な処理室２０１と、基板支持部材２１７を回転させる回転機構２６７と、基板支持部材２１７を処理室２０１から搬出する搬出機構１１５と、処理室２０１に原料ガスを供給する原料ガス供給系３０１と、処理室２０１に窒素含有ガスを供給する窒素含有ガス供給系３０２と、原料ガスと窒素含有ガスを用いて基板２００に窒化膜を形成した後、処理室２０１から基板２００を支持した基板支持部材２１７を回転させながら搬出するよう原料ガス供給系３０１、窒素含有ガス供給系３０２、搬出機構１１６および回転機構２６７を制御する制御部２８０と、を有する。 （もっと読む）

【課題】誘電率が２．７以下であり、弾性計数および硬度の改善等、機械的特性を向上させた超低誘電率（ｋ）膜、および膜の製造方法を提供する。
【解決手段】多相超低ｋ誘電膜４４は、Ｓｉ、Ｃ、Ｏ、およびＨの原子を含み、誘電率が約２．４以下であり、ナノサイズの孔または空隙を有し、弾性係数が約５以上であり、硬度が約０．７以上である。好適な多相超低ｋ誘電膜４４は、Ｓｉ、Ｃ、Ｏ、およびＨの原子を含み、誘電率が約２．２以下であり、ナノサイズの孔または空隙を有し、弾性係数が約３以上であり、硬度が約０．３以上である。 （もっと読む）

【課題】容易に且つ膜の特性を損なうことなく特性が向上したダイヤモンド様薄膜を実現できるようにする。
【解決手段】ダイヤモンド様薄膜は、基材１１の上に形成され、炭素と結合した水素を含むダイヤモンド様材料からなる第１の層１３と、第１の層１３の上に形成され且つ炭素と結合した水素の少なくとも一部が引き抜かれ、第１の層１３と比べて水素の含有率が低いダイヤモンド様材料からなる第２の層１４と、第１の層１３と基材１１との間に形成され、第１の層１３と比べて水素の含有率が低いダイヤモンド様材料からなる第３の層１５とを備えていている。 （もっと読む）

【課題】高いガスバリア性能を有するとともに、折り曲げ耐性、平滑性に優れたガスバリアフィルムの製造方法及びガスバリアフィルム、そのガスバリアフィルムを用いた電子機器を実現する。
【解決手段】樹脂フィルムなどの基材１上に、プラズマＣＶＤ法などの蒸着法によって形成された金属酸化物を含有する蒸着層２と、ポリシラザンを含む液体を塗布し乾燥した後に真空紫外光を照射して形成されたポリシラザン改質層３とを積層した構成のガスバリアフィルム１０において、蒸着層２に真空紫外光を照射するエキシマ処理と、ポリシラザン改質層３にプラズマを照射するプラズマ処理の、少なくとも一方を施すこととした。 （もっと読む）

【課題】単一種のフルオロカーボンを含む二酸化前駆体のみを使用して、大量のフルオロカーボンを含有する二酸化ケイ素の低誘電材料薄膜を沈積でき、低誘電材料の耐熱性と耐水性を向上できる、低誘電材料及びその薄膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】まず基板をプラズマ生成反応システムに入れ、その後フルオロカーボンを含む二酸化ケイ素前駆体を運ぶキャリアガスをプラズマ生成反応システム中に導入し、フルオロカーボンを含む二酸化ケイ素前駆体を基板上に形成させ、さらに加熱方式でフルオロカーボンを含む二酸化ケイ素前駆体を低誘電材料薄膜に転化させ、同時に低誘電材料薄膜の応力を除去し、より緊密な構造とする工程によって、各種異なる雰囲気下でも、フルオロカーボンを含む二酸化ケイ素前駆体が大量のフルオロカーボンを含有する二酸化ケイ素の低誘電材料薄膜を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】リーク電流が低減された、耐圧性が高い窒化物系化合物半導体素子の製造方法および窒化物系化合物半導体素子を提供すること。
【解決手段】基板上に少なくともガリウム原子を含むＩＩＩ族原子と窒素原子とからなる窒化物系化合物半導体層をエピタキシャル成長する成長工程と、素子構造形成前に、前記窒化物系化合物半導体層にレーザ光または電離放射線を照射し、前記窒化物系化合物半導体層中のＩＩＩ族空孔と水素原子との複合体を分解する分解工程と、を含む。 （もっと読む）