【課題】 各種の優れた特性を有する多層膜の製造方法で、スパッタリング法はコストが非常に高いという問題点がある。また電気めっき法による多層膜の作製方法は低コストであるが、従来の技術では低電流あるいは低浴電圧時に成膜速度が極端に低下するという問題点があり、電流あるいは電圧を瞬時に切り替えるための特殊な電源装置が必要であった。
【解決手段】 目的に応じた組成をもつ無電解めっき成膜可能な単一のめっき液中で、還元剤による無電解めっき成膜と外部から投入する電力による電気めっき成膜を連続して行うことで、機能性を有する多層膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】ダイレクトメタライゼーション法を用いた２層フレキシブル銅張積層板であって、形成する回路の良好な加熱後引き剥がし強さ及び耐薬品性能を維持でき、且つ、銅エッチング液でのエッチングが容易な製品を提供する。
【解決手段】ポリイミド樹脂フィルム基材の片面にシード層を形成し、そのシード層上に銅層を形成するダイレクトメタライゼーション法で得られる２層フレキシブル銅張積層板において、前記シード層は、ポリイミド樹脂フィルム基材と接するコバルト層とニッケル−コバルト膜とが積層状態にあることを特徴とした片面２層フレキシブル銅張積層板等を採用する。 （もっと読む）

本発明は、金属塩と、金属錯化剤と、還元剤と、アンモニア水及びチオ硫酸塩を含有する組成液並びにチオ尿素からなる群のうち少なくとも１つとを含有することを第１の無電解メッキ液中に被処理物を曝すことにより前記被処理物の表面上に第１メッキ層を形成し、フッ素樹脂、金属塩、金属錯化剤、及び界面活性剤を含有する第２の無電解メッキ液に前記被処理物をさらに曝すことにより前記第１メッキ層上に第２メッキ層を形成することにより、被処理物との密着性が極めて良好なフッ素樹脂コーティングを有する被処理メッキ物を提供する。
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配線基板の半田接続用の端子である銅のランド部（４ｂ）上に、無電解Ｎｉ−Ｐめっき層（１３ａ）を形成し、その上に無電解Ｐｄめっき層（１３ｂ）を形成し、その上に無電解Ａｕめっき層を形成する。無電解Ｎｉ−Ｐめっき層（１３ａ）上に無電解Ｐｄめっき層（１３ｂ）を形成する工程では、下地の無電解Ｎｉ−Ｐめっき層（１３ａ）から無電解Ｐｄめっき液中へのニッケルの溶出量が５×１０^−６ｋｇ／ｍ^２以下となるようにする。無電解Ｎｉ−Ｐめっき層（１３ａ）と無電解Ｐｄめっき層（１３ｂ）の界面には、１０ｎｍ以上のボイドは形成されない。その後、配線基板に半導体チップを搭載し、ワイヤボンディングを行い、樹脂封止し、配線基板のランド部（４ｂ）に半田ボールを接続して、半導体装置を製造する。 （もっと読む）

洗浄する為に１以上の処理溶液を用いて多層を無電解で堆積させ、その後、単一処理セルを用いて導電性表面上に不連続の又は種々の組成をもつ金属膜を無電解で堆積させるための方法及び装置。プロセスは、導電性表面上での酸化物の形成を最小限にするために、洗浄ステップと無電解堆積プロセスステップの間、導電性表面を酸素にさらすのを最小限にするか防止することによるインサイチュ洗浄ステップを含んでいる。一態様においては、１以上の処理溶液に用いられる化学成分は、種々の化学成分の相互作用が、相互作用流体のそれぞれの望ましい特性が急激に変化しないように選ばれる。連続無電解堆積プロセスは、以下の元素、すなわちコバルト、タングステン、リン又はホウ素の少なくとも２つを含む第一層と、以下の元素、すなわちコバルト、ホウ素又はリンの少なくとも２つを含む第二層とを形成するために用いることができる。 （もっと読む）

無電解ニッケルメッキ浴で使用するためのポリテトラフルオロエチレン分散液に、低粘性シリコーングリコール界面活性剤をグリセリンと一緒に添加する。この改良されたメッキ浴は、メッキ浴が古くなるにつれても機能し続け且つ付着物中にＰＴＦＥを２０容量％以上を有する無電解ニッケル付着物を生成する安定なＰＴＦＥ分散液を生成する。 （もっと読む）

【目的】 マグネシウム合金材の表面に、孔食や剥離を生じることなくＮｉ−Ｐメッキ層等の如く耐食性，耐摩耗性，摺動性等の諸特性を有するメッキ層を容易に形成する。
【構成】 マグネシウム合金材２の表面２ａにゾルゲル法によるゾルゲルコーティング処理を施して緻密なゾルゲル層５を形成し、しかる後に、前記ゾルゲル層５の表面５ａにメッキ処理（例えば、Ｎｉ−Ｐメッキ処理）を施す。 （もっと読む）