【課題】微粒子がめっき膜中に均一に分散されるとともに、ピンホール、ボイド、及びノジュールの発生が抑制される複合めっき膜の形成方法、並びに、ワイピング耐性、耐インク性、及び吐出安定性に優れたインクジェット記録ヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】高圧流体と、微粒子を含むめっき液とを混合して攪拌した混合流体に、めっきを施すべき被めっき体を接触させて複合めっき膜を形成する。インクジェット記録ヘッドを製造する場合、ノズルプレート１１のインク吐出側とは反対側の面にめっき用保護膜１４を形成し、好ましくは、超臨界二酸化炭素と、撥液性微粒子及び界面活性剤を含むめっき液とを混合して攪拌した混合流体にノズルプレートを接触させてインク吐出側の面に複合めっき膜１６を形成する。めっき後、ノズルプレートからめっき用保護膜を除去する。 （もっと読む）

【課題】横力等の偏った力が作用している状態での動作精度の低下が抑制されると共に、優れた耐久性を有する可変減衰力ダンパ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】可変減衰力ダンパ１０は、磁性流体（ＭＲＦ）が充填されるシリンダチューブ１２と、シリンダチューブ１２の内部に摺動自在に配置されるピストン１６と、ピストン１６に連結されると共にシリンダチューブ１２の一端から突出するように配置されるピストンロッド１３と、シリンダチューブ１２の一端を閉塞すると共にピストンロッド１３を摺動自在に支持するロッドガイド１９とを具備する。ロッドガイド１９を、所定の基材部３１と、基材部３１の表面に設けられた熱処理されたフッ素樹脂含有Ｎｉめっき膜３２とを有する構造とし、ピストンロッド１３をフッ素樹脂含有Ｎｉめっき膜３２に対して摺動させる。 （もっと読む）

【課題】 化学的に非常に安定で表面を化学的に十分改質する事が困難である３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物を主成分とする芳香族テトラカルボン酸成分と芳香族ジアミン成分とから得られる芳香族ポリイミドフィルムにおいても、従来に比べポリイミドフィルム表面と金属配線パターンとの密着性が向上し、高温下でのエージング処理後の密着性が向上し、かつ電気絶縁信頼性の良好な高精細なポリイミド配線基板を安定して提供すること。
【解決手段】 ３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物を主成分とする芳香族テトラカルボン酸成分と芳香族ジアミン成分とから得られ、片面若しくは両面を無機酸化物変性したポリイミドフィルムの変性した表面に、湿式めっきプロセスによるアディティブ法で金属配線パターンを形成したポリイミド配線基板であり、
特定のめっきプロセスを少なくとも備えて製造される事を特徴とするポリイミド配線基板に関する。 （もっと読む）

【課題】極めて高い導電性を実現できるメッキ構造体、及び、下地金属を侵食することなくパラジウムメッキ層の表面に高い導電性を有する金メッキ層を形成できるメッキ構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】パラジウムメッキ層の表面に金メッキ層が形成されたメッキ構造体であって、前記金メッキ層は、Ｘ線回折法によって測定される（１１１）面の結晶配向率が５０％以上であり、還元剤としてチタン還元剤、及び、上記チタン還元剤以外の還元剤を含有するメッキ液を用いる還元金メッキ方法により、製造できる。 （もっと読む）

【課題】ＬＴＣＣ基板の配線パターン間の金異常析出不具合、金とニッケルめっき皮膜間の密着不良、はんだはじき現象、およびはんだ継ぎ手の強度劣化などの問題の発生を低減する。
【解決手段】略中性の次亜リン酸塩を還元剤とする無電解ニッケルめっき液を用いて金属焼結体配線パターンの上に形成されたニッケル−リン合金の第一層構造と、形成される層構造が７重量パーセント以上のリンを含有し、イオウ成分を含有しない無電解ニッケルめっき液を用いて第一層構造の上に形成された非晶質でイオウを含有しないニッケル−リン合金の第二層構造と、置換型無電解金めっき液を用いて第二層構造の上に形成された金の第三層構造と、還元型無電解金めっき液を用いて第三層構造の上に形成された金の第四層構造とを有する。 （もっと読む）

【課題】下地金属の溶解量を抑制させることができ、めっき濡れ性及び接続信頼性の向上した回路基板を形成することが可能な無電解錫めっき浴及びめっき方法を提供することを目的とする。
【解決手段】被めっき物上に錫めっき皮膜を形成させるための無電解錫めっき方法において、少なくとも、錫化合物と、還元剤としての水素化ホウ素化合物とを含有する無電解錫めっき浴を用いて、上記水素化ホウ素化合物による還元反応により錫めっき皮膜を形成させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】めっき皮膜が基板から引き剥がれることなく、銅回路と基材の密着の向上した良好な回路基板を製造することを目的とする。
【解決手段】絶縁樹脂１３からなる基材上に、下地めっき皮膜１４ａを形成する一次めっき処理を工程と、この一次めっき処理工程にて形成された下地めっき皮膜１４ｂ上に、当該下地めっき皮膜１４ｂよりも膜厚の厚い厚付けめっき皮膜１４ｂを形成する二次めっき処理工程とを備え、一次めっき処理工程では、二次めっき処理工程において形成される厚付けめっき皮膜１４ｂの内部応力の向きと異なる向きの内部応力を有する下地めっき皮膜１４ａを形成させる無電解めっき浴を用いてめっき処理を行う。 （もっと読む）

【課題】ニッケル成分の金めっき層表面への拡散を防止することが可能な金／ニッケルめっき層構造として、簡便な工程で形成することが可能なめっき層構造を提供する。
【解決手段】めっき層構造１００は、電子部品２００の外部電極３００の表面を被覆するために形成されるめっき層構造であって、外部電極３００の側に形成されたニッケルめっき層１１０と、ニッケルめっき層１１０よりも外側に形成された金めっき層とを備え、金めっき層が、不連続な界面を介して接するように形成された複数の金めっき層部１２１、１２２からなる。 （もっと読む）

【課題】 スズ又はスズ合金メッキ浴に添加する皮膜結晶の微細化剤において、良好な皮膜外観を経時安定的に付与する。
【解決手段】 (Ａ)第一スズ塩と、第一スズ塩及び第４周期から第６周期の第VIII、IＢ、IIＢ、IIIＡ、IVＡ、ＶＡ属から選ばれた金属（例えば、銀、銅、ビスマスなど）の塩の混合物とのいずれかよりなる可溶性塩と、(Ｂ)酸又はその塩と、(Ｃ)ベンゾアゾール環の２位のメルカプト基にＣ₃〜Ｃ₆アルキレンが結合した特定の２−メルカプトベンゾアゾール誘導体を含有するスズ及びスズ合金メッキ浴である。上記Ｃ₃〜Ｃ₆アルキレンの結合により、酸化や開裂を起こし難くなるため、メッキ作業が進行しても微細化作用が減退することなく持続し、良好な皮膜外観を経時安定的に付与できる。 （もっと読む）

【課題】 無接着剤フレキシブルラミネートの密着力の指標である初期密着力を低下させることなく加熱エージング後（１５０°Ｃ、大気中に１６８時間放置された後）の密着力を高めることを課題とする。
【解決手段】ポリイミド樹脂フィルムの両面又は片面に無電解ニッケルめっき層を形成し、その表層に無電解銅めっき又は電気銅めっきにより導電性皮膜を形成する金属被覆ポリイミド樹脂基板の製造方法において、上記無電解ニッケルめっきに先立って、ポリイミド樹脂基板に紫外線を照射した後、酸性溶液に浸漬する処理、触媒付与処理を施し、その後、無電解ニッケルめっき層を形成することを特徴とする金属被覆ポリイミド樹脂基板の製造方法。 （もっと読む）