本発明は、色素増感太陽電池（ＤＳＳＣ）の分野に関するものであり、幅広い種類の基材に適用できる対向電極の低温プラチナイズ方法に関する。 （もっと読む）

非導電性表面を有する部品用の装飾金属仕上げであって、非導電性表面は、その接着能力を向上させるために軽く粗面化されている。非導電性表面上に耐久性のある光沢金属仕上げを提供するために、軽く粗面化された表面の上に薄い金属層が無電解堆積される。金属仕上げ用の保護を提供するために、薄い金属層の上に半透明仕上げが堆積される。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、はんだめっき皮膜の密着性の低下やめっき未着を解決し、均一なはんだめっき層が形成された電子部品用複合ボールの製造方法を提供することである。
【解決手段】 本発明は、Ｃｕの球体からなるコアボールを用意する工程と、前記コアボールの表面を還元性水溶液で洗浄する第１洗浄処理工程と、前記コアボールを包囲するようにＮｉ下地めっき層を形成する第１めっき処理工程と、前記下地めっき層の表面を還元性水溶液で洗浄する第２洗浄処理工程と、前記下地めっき層を包囲するようにはんだめっき層を形成する第２めっき処理工程と、前記はんだめっき層の表面を洗浄する第３洗浄処理工程を経る電子部品用複合ボールの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上に積層構造からなる複数の金属膜を無電解めっき法により形成する半導体装置の製造方法において、遮光環境下に位置させるめっき槽を少なくする方法を提供する。
【解決手段】金属膜を形成する工程は、第１めっき槽を用いた還元反応を含む無電解めっき工程（ステップＳ５２）と、第２めっき槽を用いた置換反応のみによる無電解めっき工程（ステップＳ５４）と、第３めっき槽を用いた置換反応のみによる無電解めっき工程（ステップＳ５６）を含む。第１めっき槽を用いた還元反応を含む無電解めっき工程は遮光環境下で行われ、第２めっき槽および第３めっき槽を用いた置換反応のみによる無電解めっき工程は非遮光環境下で行われる。 （もっと読む）

基板上に硬さが増加した金属−セラミック複合コーティングを製造する方法は、セラミック相のゾルをめっき液又は電解液を添加することを含む。めっき若しくはコーティングの前及び／又は間に、セラミック相のナノ粒子が基板の直接上に若しくは基板で形成する、並びに／あるいは金属−セラミックコーティングが主として結晶構造で基板上に形成する、並びに／あるいはめっき液若しくは電解液中でのセラミック相のナノ粒子の形成及び／又はセラミック相の粒子の凝集を実質的に避けるのに十分低く調節したゾル添加割合で、ゾルを添加することができる。セラミック相は、Ｔｉ、Ｗ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｙ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｐｂ、Ｃｏ若しくは希土類元素の単一又は混合酸化物、炭化物、窒化物、ケイ酸塩、ホウ化物であってよい。セラミック相以外のコーティングは、Ｎｉ、Ｎｉ−Ｐ、Ｎｉ−Ｗ−Ｐ、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｐ、Ｎｉ−Ｂ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｄを含んでもよい。 （もっと読む）

【課題】金属の融点以下の低温において、導電性を損なうことなく、また、シアン化合物のような有毒な物質を使用せずに、各種金属を所望の形状に加工したり、各種金属の被覆膜を形成する方法を提供すること。
【解決手段】最表面に反応性基を有する化学吸着物質の単分子膜で被覆された金属微粒子を利用して、メッキや粉体塗装を行う。 （もっと読む）

【課題】めっき金属中にカーボンナノチューブもしくはその誘導体を常温で混入させることのできる無電解めっき方法を提供する。
【解決手段】無電解めっき方法は、無電解ニッケルめっき液もしくは無電解銅めっき液中に、カーボンナノチューブ１０もしくはその誘導体を添加して、該めっき液を用いて基材１２上に無電解めっきを施して、基材１２表面に、前記カーボンナノチューブ１０もしくはその誘導体が混入しているめっき皮膜１４を形成する無電解めっき方法であって、前記めっき液中に分散剤としてポリアクリル酸もしくはその塩を添加して、カーボンナノチューブ１０もしくはその誘導体をめっき液中に分散させて無電解めっきを行う。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）をめっき皮膜中に良好に取り込むことのできる無電解Ｃｕめっき液を提供する。
【解決手段】ＣＮＴの分散剤として、トリメチルセチルアンモニウム塩を1.0×10−３Ｍ〜2.0×10−３Ｍ程度添加する。トリメチルセチルアンモニウム塩は、トリメチルセチルアンモニウムクロリドが好適である。めっき条件によって、ＣＮＴが無電解Ｃｕめっき皮膜内に完全に埋没している状態や、無電解Ｃｕめっき皮膜表面にＣＮＴの先端が突出している状態に調整できる。ＣＮＴ先端がめっき皮膜表面に突出している場合には、摺動特性に優れる被めっき物を得ることができる。また、無電解Ｃｕめっき皮膜中にＣＮＴを取り込ませた場合、２μｍ程度のめっき皮膜の厚さで、１００ｋＨｚ〜数ＧＨｚ程度までの高い周波数の電磁波シールド性を有することが期待できる。 （もっと読む）

【課題】還元型の無電解錫めっき浴を用いて、プリント配線基板に適した処理条件で、所望とする膜厚を有する錫めっき皮膜を形成させるための錫めっき皮膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】３価のチタン化合物を還元剤とする無電解錫めっき浴に銅又は銅合金を浸漬させて錫めっき皮膜を形成する錫めっき皮膜形成工程と、錫めっき皮膜が形成された銅又は銅合金を無電解銅めっき浴に浸漬して錫めっき皮膜上に銅めっき皮膜を形成する銅めっき皮膜形成工程と、銅めっき皮膜が形成された銅又は銅合金を無電解錫めっき浴に浸漬して銅めっき皮膜上に錫めっき皮膜を形成する厚膜化工程とを有する。そして、銅めっき皮膜形成工程と厚膜化工程とを交互に繰り返し実行して、銅又は銅合金の膜厚方向に錫めっき皮膜を膜厚化する。 （もっと読む）

【課題】 特に、無電解メッキによりＮｉＸ層とＰｄ層とを積層メッキする構成において、前記Ｐｄ層が安定して析出して接触信頼性等を向上させることが可能な弾性接点及びその製造方法等を提供することを目的としている。
【解決手段】 弾性接点２０は、Ｎｉ−Ｘ（ただしＸは、Ｐ、Ｗ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｂｅ，Ｂのうちいずれか一種以上）にて無電解メッキされたアモルファス状態のＮｉＸ層３２と、前記ＮｉＸ層３２の表面にＮｉ−Ｘにて無電解メッキされ、元素Ｘの含有量が前記ＮｉＸ層３２よりも少ない結晶質状態の下地層３３と、前記下地層３３の表面に無電解メッキされたＰｄあるいはＰｄ合金の金属層３４とを有する。 （もっと読む）