【課題】プリント配線板の端子部分のように、基材上に設けた金属微細パターンの表面に無電解ニッケル−パラジウム−金メッキを行う際に、下地である樹脂表面に金属の異常析出が起きるのを抑えることができる金属微細パターン付き基材の製造方法を提供し、さらに、当該製造方法によって品質に優れためっき処理面を有する、金属微細パターン付き基材、プリント配線板及び半導体装置を提供する。
【解決手段】下地となる樹脂からなる支持表面に設けられた溝に、金属微細パターンの下部を埋め込み、当該金属微細パターンの溝の表面と接していない部分に、無電解ニッケル−パラジウム−金メッキを行う工程を含み、前記メッキを行う領域における支持表面からの突出高さＸと、パターン間の最小距離をＹの比（Ｘ／Ｙ）が０．８未満となるようにする金属微細パターン付き基材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】過酷な腐食環境下であっても、ステンレス鋼材の孔食状の腐食を抑制することができるステンレス鋼材へのめっき方法を提供する。
【解決手段】ステンレス鋼材の表面に、第一のめっき金属層を被覆する工程Ｓ１３と、該第一のめっき金属層が被覆されたステンレス鋼材を熱処理することにより、前記ステンレス鋼材の元素と前記第一のめっき金属層の元素が相互に拡散した相互拡散層を形成する工程Ｓ１４と、該相互拡散層が被覆されたステンレス鋼材の表面に、第二のめっき金属層を被覆する工程Ｓ１６と、を少なくとも含む。 （もっと読む）

【課題】氷結固着防止性能を長く維持できるカソードガスの流量制御バルブを提供すること。
【解決手段】流量制御バルブは、カソードガスが流通するカソード流路４２およびこのカソード流路４２に連通するシャフト孔部が形成されたバルブボディと、カソード流路４２内に設けられ、このカソード流路４２の開口面積を変更する弁体と、シャフト孔部に挿通して設けられ、弁体を駆動するシャフト４６と、を備える。バルブボディのシャフト孔部のシャフト囲繞部４７５の内周面にはフッ素樹脂コーティング層が形成され、シャフト４６の外周面にはフッ素樹脂複合無電解ニッケルめっき層が形成されている。 （もっと読む）

【課題】低温における焼結でも高い結晶子径を有して優れた導電性を有する銅−亜鉛からなる銅合金微粒子分散液を提供する。
【解決手段】銅−亜鉛からなる、平均一次粒子径が１μｍ以下の銅合金微粒子が、少なくとも１つのヒドロキシル基を有する有機化合物（Ｓ１）を含有している有機溶媒（Ｓ）中に分散していることを特徴とする、銅合金微粒子分散液。 （もっと読む）

【課題】パターン外析出を抑制し、密着力を向上させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体ウエハ１と、半導体ウエハ１上にパターンニングして形成され最表面に複数の凹部９が形成されたＡｌ−Ｓｉ金属層２と、Ａｌ−Ｓｉ金属層２上と半導体ウエハ１が露出した箇所上に形成された酸化膜１１と、Ａｌ−Ｓｉ金属層２上に酸化膜１１を介して各凹部９を埋め込むように形成されたＮｉめっき膜３およびＡｕめっき膜４とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体装置用リードフレームとその製造方法において、複数のめっき層を積層する場合におけるめっき層同士の密着性を向上させ、半導体装置の製造工程におけるワイヤーボンド性の低下や実装の際の半田付け性の悪化を抑制するとともに、製造コストの効果的な削減を図る。
【解決手段】 導体基材２０上に下地めっき層２１を形成し、当該下地めっき層２１の上に金属結合性を有する有機被膜２２を介して最表めっき層２３を積層することで、リードフレーム２ａ、２ｂを構成する。有機被膜２２は、主鎖部Ｂ１の両末端に金属結合性の官能基Ａ１、Ａ１を持つ機能性有機分子１１を自己組織化させた単分子膜として構成する。 （もっと読む）

【課題】錫めっき皮膜のウィスカーの発生を防止する熱処理時間をより短縮し、製品の生産性を向上させることを目的とする。
【解決手段】可溶性錫塩と、錯化剤と、酸を含む無電解錫めっき液において、分子内に３つ以上のヒドロキシル基を有する水溶性の脂肪族アルコール（但し脂肪族基中にエーテル結合を含んでいてもよい）を含有することを特徴とする無電解錫めっき液。及び該無電解錫めっき液に少なくとも表面に銅を有する被めっき物浸漬した後、１１０〜１３０℃の条件下で４０〜７５分熱処理を行い、得られる錫めっき皮膜中の純錫層の厚さを０．１００〜０．２５０μｍとすることを特徴とする錫めっき皮膜を有するめっき物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】単分散性が良好で、コストが安く、マイグレーションが起こり難く、導電性に優れた導電性微粒子を提供すること。
【解決手段】コア粒子１０２の表面が、ニッケル及びリンを含有する金属めっき被膜層１０４と、最表面をパラジウム層とする多層の導電層１０６で被覆されており、金属めっき被膜層１０４においてコア粒子１０２の表面からの距離が金属めっき被膜層全体の厚さの２０％以下である領域Ａ内でのリンの含有率が、領域Ａ全体に対して７〜１５重量％であり、金属めっき被膜層１０４においてパラジウム層側の金属めっき被膜層表面からの距離が金属めっき被膜層全体の厚さの１０％以下である領域Ｂ内でのリンの含有率が、領域Ｂ全体に対して０．１〜３重量％であり、金属めっき被膜層全体に対するリンの含有率が７重量％以上であることを特徴とする導電性微粒子１００。 （もっと読む）

【課題】ナノメーターサイズの微細炭素質材料が均一に分散された金属被膜の形成方法を提供すること。
【解決手段】微細炭素質材料が分散されているメッキ液を用い、被メッキ物の表面に、微細炭素質材料が分散された金属被膜をメッキする金属被膜の形成方法において、前記メッキ液中に界面活性剤を添加すると共に、二酸化炭素及び不活性ガスの少なくとも一方を供給し、前記二酸化炭素及び不活性ガスの少なくとも一方が超臨界状態又は亜臨界状態となるようにしてメッキを行う。本発明の金属被膜の形成方法は、電気メッキ方法及び化学メッキ方法の何れにも適用できる。 （もっと読む）

【課題】最外層として金めっき皮膜を有する従来技術の導電性粒子からなる導電性粉体と同等又はそれ以上の導電性と、電気信頼性を有する導電性粉体を提供すること。
【解決手段】芯材粒子の表面にニッケル皮膜が形成されたニッケル被覆粒子表面に、更にパラジウム皮膜が形成された導電性粒子からなる導電性粉体である。パラジウム皮膜表面から突出し、かつ該パラジウム皮膜と連続体になっている、高さが５０ｎｍ以上である突起部を粒子１個当たり５個以上有する。パラジウム皮膜中のリン含有量は３重量％以下である。導電性粒子のうち、一次粒子が占める割合は、導電性粉体の重量に対して８５重量％以上である。 （もっと読む）