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国際特許分類[C23F4/00]の内容

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【課題】磁気記録媒体の表裏両面の記録層に凹凸パターンを効率良く形成する。
【解決手段】被エッチング基板を保持する凹部と該凹部真下に形成された貫通孔とを備えた絶縁体部材と、当該貫通孔に係合する凸部を備えた導電体部材とを備え、前記凹部に前記被エッチング基板が載置された状態で前記凸部表面と該基板底面との間に隙間部が形成されており、該隙間部の厚さが0.05mm以上1mm以下、かつ、該絶縁体部材の厚さが1mm以上15mm以下であることを特徴とする基板ホルダを用い処理を行う。 (もっと読む)


【課題】母材を傷めることなく安価かつ容易に硬質皮膜コーティングを除去して硬質皮膜コーティング金属部材の再生を行うことができる硬質皮膜コーティング金属部材の再生方法を提供する。
【解決手段】PVDやCVDによる硬質皮膜コーティングが施された金属部材を、ハロゲン系ガスが存在する雰囲気中において加熱保持し、表面の硬質皮膜コーティングをハロゲン化物とすることにより除去する工程を備えたことにより、従来の薬液処理に比べて大幅に短い時間で硬質皮膜コーティングを除去し、金属部品の再生を行うことができる。また、従来のようにプラズマ雰囲気ではなく、加熱雰囲気を利用するため、高価な設備が不要で極めて安価に再生処理を行うことができる。さらに、母材が超硬合金であっても従来の薬液処理のようにCo溶出による母材の損傷や粗れが生じないため、再生後の金属部品の耐磨耗性等に悪影響を及ぼさない。 (もっと読む)


【課題】比較的簡単な構成で、ワークの処理面の形状に拘わらず、その形状に対応してプラズマ処理を施すことができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置1は、ワークを設置するワーク設置部21と、第1の電極2と、ワーク設置部21の第1の電極2の対向側に位置し、外周面が前記ワーク設置部21に設置されたワーク10の処理面11に対面するように設置され、中心軸を回動軸として回転可能な円筒状の第2の電極3とを有し、発生したプラズマにより処理面11を処理するものであり、第2の電極3は、その外周面に、周方向に沿って、有効電極領域31aの幅が変化している部分を有し、この第2の電極3を、その中心軸を回動軸として回転させることにより、処理面11と対面する有効電極領域31aの幅が変化するよう構成されている。 (もっと読む)


【課題】比較的簡単な構成で、ワークの処理面の形状に拘わらず、その形状に対応してプラズマ処理を施すことができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置1は、第1の電極2と、ワーク設置部21の第1の電極2の対向側に位置し、外周面が前記ワーク設置部21に設置されたワーク10の処理面11に対面するように設置され、中心軸を回動軸として回転可能な円筒状の第2の電極3とを有し、発生したプラズマにより処理面11を処理するものであり、第2の電極3は、その外周面に、周方向に沿って、有効電極領域31aの幅が変化している部分を有し、この第2の電極3を、その中心軸を回動軸として回転させることにより、処理面11と対面する有効電極領域31aの幅が変化するよう構成され、ガス供給手段5により、有効電極領域31aの幅の大きさに応じて、処理ガスを供給する幅も変化するよう構成されている。 (もっと読む)


【課題】装置を特に複雑化することなく、被処理物上でのプラズマの均一性を損なわずに、耐圧誘電体部材の内表面における不均一な反応生成物の付着防止と削れ防止とがバランスよくほぼ均一に達成できるようにする。
【解決手段】耐圧誘電体部材5を介し減圧可能なチャンバ1内に反応ガスからのプラズマ6を発生させて対向電極3上の被処理物2に働かせエッチングなどのプラズマ処理を行わせる第1の電極4と、第1の電極4と前記耐圧誘電体部材5との間に設けられて耐圧誘電体部材5の内表面5aの反応生成物が付着するのを防止する第2の電極7とを備え、第2の電極7の耐圧誘電体部材5の内表面5aからの電極距離L2を、それらの各対向域における耐圧誘電体部材5の内表面5aでの反応生成物の付着度と耐圧誘電体部材5の削れ量との部分的な違いに応じて設定することにより、上記の目的を達成する。 (もっと読む)


【課題】複数の被処理物を同時にエッチングすることができ、且つ各被処理物の面内を均一にエッチングすることができるドライエッチング装置及びドライエッチング方法を提供する。
【解決手段】荷電粒子を照射する荷電粒子発生部(イオン源室10)と、該荷電粒子が照射される複数の被処理物(処理基板100)を支持して回転する回転ステージ30と、荷電粒子発生部と回転ステージとの間に設けられて荷電粒子発生部から照射される荷電粒子を遮蔽する遮蔽板40とを具備し、遮蔽板を回動させて前記荷電粒子に対する前記遮蔽板40の射影の大きさを調整することにより荷電粒子発生部から被処理物に照射される荷電粒子の面内照射量を調整する。 (もっと読む)


【課題】表面に反射率調整膜を有する転写パターン用の薄膜を低欠陥で形成でき、パターン転写時の露光光源、あるいはマスクのパターン検査に用いられる190〜300nm程度の短波長域における薄膜の表面反射率を低減させるとともに、欠陥が低減されるマスクブランク及びフォトマスクの製造方法、並びに反射型マスクの製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に転写パターンを形成するための薄膜を有するマスクブランクの製造方法において、基板上に薄膜を成膜した後、該薄膜表面にオゾンガスを作用させることにより反射率調整膜を形成する。オゾンガスの濃度は例えば80体積%以上の高濃度である。 (もっと読む)


【課題】複数の異なった分野での利点に使用可能な製品を生じさせる陽極処理された多孔質アルミナの助けを借りて行われたナノ構造化法の新しい適用を提案する。
【解決手段】ナノメータサイズのレリーフ又はキャビティの規則的で整然とした分布を示す表面を持った透明材料2からなる基板は、透明材料からなる基板上にアルミニウムの層を堆積することと、透明基板の表面上に転写されるパターンに従って気孔4が整然とした分布しているアルミナ構造体を得るために、その後にアルミニウムの陽極処理を行う操作と、を含む方法で得られる。当該方法は、反射防止特性を持った透明基板を与え、前記反射防止特性が現れる波長で透明基板によって伝えられた放射線のパーセンテージを増加させるために、寸法や配置の適正化されたキャビティ又はレリーフを得るようにして、あるいは、透明基板の金型成形に用いられる金属基板上で行われる。 (もっと読む)


【課題】本発明は集束イオンビーム用ガス導入装置に関し、試料への加工性能を向上させることができる集束イオンビーム用ガス導入装置を提供することを目的としている。
【解決手段】集束イオンビームを用いてイオンビーム支援エッチング又はビーム支援堆積を行なうことが可能な装置において、イオンビーム鏡筒の下に複数の流体送出システムとしてのパイプ8を複数有し、該パイプ8の出口であるノズル8a同士が1次イオンビーム17の軸と対称で内部を通過する流体が試料18面に向かう形状で構成され、該パイプ8への導入ガスの噴射条件を個別に制御できる構成であり、該パイプ同士間を連結する機構を有して構成される。 (もっと読む)


【課題】透明基板上に形成されたパターン化フィルムスタックを含む位相シフトフォトマスク及びフォトマスクを製造する方法が開示されている。
【解決手段】一実施形態において、フィルムスタックは、リソグラフィーシステムの照明光源の光に対して所定値の透明度を有する第1の層と、その光に実質的に透明でその光における所定の位相シフトを促す第2の層とを含む。 (もっと読む)


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