【課題】メタルゲートのドライエッチング時に、下地ＨｆＳｉＯＮ膜の突き抜けを防止しながら、ｐ−ｎ差の無いエッチング形状を得る。
【解決手段】シリコン基板の表面に形成された下地ＨｆＳｉＯＮ膜１６と、この上に形成されたＴａＳｉＮ膜１４とＴｉＮ膜１５からなるメタルゲートと、この上に形成されたＷ膜１３と、ＳｉＮ膜１２と、反射防止膜１１と、レジスト膜１０とを有するウェハのドライエッチング方法において、メタルゲート１４、１５のドライエッチング時に、下地ＨｆＳｉＯＮ膜１６に対する選択比が高い、ＣＦ系ガス（ＣＨＦ_３、ＣＦ_４など）と塩素と窒素ガスとの混合ガスを用いて０．５Ｐａ以下の圧力でエッチングを行う。 （もっと読む）

【課題】高アスペクト比を有する銅含有アルミニウム膜及びバリアメタル膜のドライエッチングにおいて、良好な加工形状を実現する。
【解決手段】絶縁膜上に、高融点金属を含有する金属導電膜と、銅含有アルミニウム膜と、マスク層を順次形成し、ドライエッチングによってこの金属導電膜及び銅含有アルミニウム膜の配線パターンを形成するドライエッチング方法を前提とする。そして、このようなドライエッチング方法において、炭化水素系ガスを含まない塩素系ガスを用いて上記銅含有アルミニウム膜をエッチングする工程と、炭化水素系ガスを含む塩素系ガスを用いて上記金属導電膜をエッチングする工程とを備える。即ち、銅含有アルミニウム膜の側壁保護に効果のあるメタンガスを、銅含有アルミニウム膜のドライエッチングが終了した後に添加することで、サイドエッチングを防止するのである。 （もっと読む）

【課題】 パターンの形状や寸法差や粗密差に関係なく、変換差を低減でき、しかもホール・ドットの形状差を低減できるフォトマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】 クロムを含む材料からなるクロム系薄膜を有する被処理体における前記薄膜を、レジストパターンをマスクとしてエッチングし、かつ、ハロゲン含有ガスと酸素含有ガスを含むドライエッチングガスに、プラズマ励起用パワーを投入してプラズマ励起させ、生成した化学種を用いて前記薄膜をエッチングする。前記薄膜のエッチングを、前記プラズマ励起用パワーとして、プラズマの密度ジャンプが起こるプラズマ励起用パワーよりも低いパワーを用いてエッチングを行う。 （もっと読む）

【課題】クリーニングにおけるダウンタイムを短くし、生産性を向上させることができる半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、処理室内に基板を搬入する工程と、前記処理室内に原料ガスを供給して基板上にルテニウムを含む膜を成膜する工程と、成膜後の基板を前記処理室内から搬出する工程と、前記処理室内にフッ素原子または塩素原子を含むクリーニングガスを供給して前記処理室内に付着したルテニウムを含む堆積物を除去する工程と、前記堆積物を除去する際に前記堆積物の表面を覆うように生成された副生成物を除去して前記堆積物の表面を露出させる工程と、を交互に複数回繰り返すことで、前記処理室内をクリーニングする工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】高アスペクト比構造のエッチングにおけるマイクロローディングを低減するための方法
【解決手段】異なるアスペクト比の構成を導電層内にエッチングするための方法が提供される。方法は、アスペクト比依存性堆積によって導電層の上に堆積を行うことと、導電層のアスペクト比依存性エッチングによって導電層内に構成をエッチングすることと、堆積およびエッチングを少なくとも１回ずつ繰り返すことと、を含む。 （もっと読む）

【課題】突起形状を簡便な方法で、安定して安価に形成することができ、ドライプロセスにより突起先端を清浄な状態に保つことが可能となる基板の加工方法を提供する。
【解決手段】基板表面に収束イオンビームを照射した後、ドライエッチングにより前記基板を加工する基板の加工方法であって、
前記基板表面１０に、Ｇａ、Ｉｎ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｂｉから選択されるイオンを照射するに際し、第１のイオン照射濃度と、該第１のイオン照射濃度とは異なる第２のイオン照射濃度により照射し、前記基板表面にイオン照射領域を形成する工程１１と、
前記イオン照射領域をエッチングする工程１２と、を有する構成とする。 （もっと読む）

【課題】銅や黄銅からなる基材にスズめっき層を形成した試料について、スズめっき層をより正確に定量する方法を提供する。
【解決手段】銅または黄銅からなる基材に、スズまたはスズ合金からなるめっき層を形成してなる試料、もしくは金属製の基材に、銅または黄銅からなる下地層を介して、スズまたはスズ合金からなるめっき層を形成してなる試料における前記めっき層の定量分析方法であって、 ホウフッ化水素酸をホウ素元素換算で１．６質量％、ホウ素化合物をホウ素元素換算で０．２質量％以下、チオ尿素を１質量％以下の割合で含む水溶液からなるめっき剥離液を前記試料に接触させて前記めっき層を溶解し、溶解分を含有する前記めっき剥離液について定量することを特徴とするスズまたはスズ合金めっき層の定量分析方法。 （もっと読む）

【課題】基板近傍の高周波電力を計測する。
【解決手段】マイクロ波プラズマ処理装置１０は、プラズマにより基板Ｇに所望の処理を施す処理容器１００と、処理容器１００の内部に設けられ、基板Ｇを載置するサセプタ１０６（載置台）と、載置台の内部に埋設された給電部１０８と、給電部１０８に接続され、高周波電力を印加する高周波電源１１２とを有する。給電部１０８には、給電部１０８と高周波電源１１２とを接続する電源線１１４のうち処理容器１００の内部に位置する電源線１１４間または給電部１０８の一部または全部に設けられ、シース容量の１０倍以下の容量を有するコンデンサ１０８ａが設けられている。計測手段２０は、プローブ１４２ａ、１４２ｂに接続されたコンデンサ１０８ａの両極の電圧Ｖ_１、Ｖ_２をオシロスコープ１４４ａ、１４４ｂにて計測する。これにより、基板直下の電力を計測することができる。 （もっと読む）

【解決課題】従来以上の配向性を有し、かつ、高強度のエピタキシャル薄膜形成用の配向基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、金属層と、前記金属層の少なくとも一方の面に接合されたニッケル層とからなるエピタキシャル薄膜形成用のクラッド配向金属基板であって、前記ニッケル層は、結晶軸のずれ角Δφが、Δφ≦７°である｛１００｝〈００１〉立方体集合組織を有し、かつ、前記ニッケル層のニッケル純度が９９．９％以上であるエピタキシャル薄膜形成用のクラッド配向金属基板である。この配向金属基板は、純度９９．９％以上のニッケル板を冷間加工、熱処理して配向化熱処理を行った後、金属板と配向化処理したニッケル板とを表面活性化接合で接合することにより製造される。 （もっと読む）

【課題】金属や半導体、セラミックス、プラスチックの表面に被覆したTiN、TiC、TiCN、DLCなどの硬質被膜を剥離するに際し、下地素材を損傷することなく被覆被膜のみを剥離することができる硬質膜の剥離方法を提供する。
【解決手段】金属や半導体、セラミックス、プラスチックの表面に被覆したTiN、TiC、TiCN、DLCなどの硬質被膜を剥離するに際し、フェムト秒レーザを照射することにより、下地素材を損傷することなく被覆被膜のみを剥離するようにしたことを特徴とする硬質膜の剥離方法。 （もっと読む）