【課題】 フェンスの発生を回避するとともに、高エッチングレートでＴｉをエッチング可能であり、さらには、エッチングの過程でチャンバー内堆積物の発生を抑制し、パーティクル汚染を未然に防止できるプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】 マスク層の下に形成された被エッチング層としてのＴｉ層が形成された被処理体に対し、チャンバー内圧力４Ｐａ以下でフッ素化合物を含むエッチングガスのプラズマを作用させ、Ｔｉ層をエッチングする第１のプラズマ処理工程と、第１のプラズマ処理工程の終了後、クリーニングガスのプラズマにより処理チャンバー内をドライクリーニングする第２のプラズマ処理工程と、を含み、クリーニングガスが、フッ素化合物、フッ素化合物と希ガスの混合ガス、及び酸素から成る群から選択された１つのガスのみから成るガスであり、第１のプラズマ処理工程によって生成したＴｉ化合物を含む堆積物を除去する。 （もっと読む）

【課題】エッチングチャンバー内の基板ホルダ上に載置された基板の酸化膜を蝕刻するエッチング方法において、酸化膜のエッチングレートや分布の改善を可能にする。
【解決手段】基板ホルダ上への前記基板の搬送経路を構成する開口部を有し、前記基板ホルダの周囲に設置される固定シールド部、及び前記搬送経路を開閉する位置に設けられる可動シールド部が、いずれもアースに落とされた状態で前記酸化膜のエッチングを行なう。 （もっと読む）

【課題】本発明は、プラズマ生成物の生成効率を向上させるとともに、プラズマから放出される光による被処理物の損傷を抑制することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】大気よりも減圧された雰囲気を維持可能な処理容器と、前記処理容器の内部を所定の圧力まで減圧する減圧手段と、前記処理容器の内部に設けられ、被処理物を載置する載置台と、前記処理容器から離隔された位置に設けられた第１のプラズマ発生装置と、前記処理容器から離隔された位置に設けられた第２のプラズマ発生装置と、前記第１のプラズマ発生装置と、前記第２のプラズマ発生装置と、を連通させる第１のガス搬送管と、前記第２のプラズマ発生装置と、前記処理容器と、を連通させる第２のガス搬送管と、前記第１のプラズマ発生装置にプロセスガスを導入するガス導入手段と、を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】載置部の載置面上にワークを正確に位置決めすることができ、プラズマ処理時には、ワークを載置部に確実に固定することにより、ワークに対して所定のプラズマ処理を行うことができ、さらには、プラズマ処理後には、載置部からワークを容易に取り外すことができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、載置面２２１を備える下部電極２２と、下部電極２２に設けられ、載置面２２１に開放する孔６１と、孔６１に挿入され、載置面から出没自在なピン７１と、ワーク１０を載置面２２１に固定する固定手段６とを有し、固定手段６は、孔６１の内側の空間の少なくとも一部を吸引孔として利用し、前記吸引孔を減圧することにより、ワーク１０の裏面１０２を載置面２２１に吸着し固定するよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】大型基板を均一にエッチング処理できるエッチング装置を提供する。
【解決手段】ラジカル生成室３の内部に、プラズマ形成装置１２を突き出させ、プラズマ形成装置１２の内側ドーム２４と外側ドーム２６との間にエッチングガスを導入し、内側ドーム２４の内側に配置したアンテナ２５から９１５ＭＨｚのマイクロ波を照射し、プラズマ化して外側ドーム２６の小孔２７から放出させ、ラジカル形成室３の内部でエッチングガスのラジカルを生成し、エッチング室４に導入し、処理対象物２２のエッチングを行う。 （もっと読む）

【課題】取り外し可能なマスクを用いて基板上にパターン化された層を製造し得る装置及び方法を提供する。
【解決手段】マスクを基板上に直接形成する従来の技術と異なり、マスク１１０は基板１０５とは独立に形成される。使用中、マスク１１０は、例えば堆積、スパッタリング、エッチング等の処理のために基板１０５の一部分のみが露出されるように、基板１０５に接近して又は接触して設置される。処理が終了したら、マスク１１０は基板１０５から取り外され、廃棄されるか、別の基板１０５に使用される。マスク１１０は所定の数の基板１０５に対して循環使用された後に、洗浄又は廃棄のために取り外すことができる。 （もっと読む）

【課題】突起の先端径について高い寸法精度を得たり、各突起を均一に形成することができるシリコン基板のエッチング方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板Ｋの表面に形成されたレジスト膜６０に、先端部５４を形成するための穴を備えたマスクパターンを形成する第１工程と、シリコン基板Ｋの表面を異方性エッチングして溝６１を形成する第２工程と、シリコン基板Ｋの表面に形成されたレジスト膜６２に、基部５３を形成するための穴を備えたマスクパターンを形成する第３工程と、溝６１内に埋め込まれた当該溝底部のレジスト６２が露出するまでシリコン基板Ｋの表面を等方性エッチングする第４工程と、シリコン基板Ｋの表面を異方性エッチングし、基部５３を形成する第５工程と、シリコン基板Ｋのレジスト膜６２を除去する第６工程とを順次実施することにより、基部５３と先端部５４とを備えた複数の突起５２をシリコン基板Ｋに形成する。 （もっと読む）

【課題】主磁極を従来よりも微細にすることができる磁性材料の加工方法を提供する。
【解決手段】基板１の上方に、磁性材料を有する磁性体層３１を形成し、磁性体層３１の上に、塩化された状態での沸点が磁性材料の塩化物の沸点に比べて高い金属を含むマスク３５を形成し、塩素系ガスとの化学反応を含むドライエッチング法によりマスク３５から露出している領域の磁性体層３１をエッチングする工程により、磁気ヘッドの磁極を形成する工程を含む。 （もっと読む）

本発明は、無応力電気化学銅研磨（ＳＦＰ）の処理、ＳＦＰ処理の間に形成された酸化タンタル又は酸化チタンの除去、及び、ＸｅＦ_２ガス相エッチングバリア層Ｔａ／ＴａＮ又はＴｉ／ＴｉＮ処理、からなる半導体処理の方法及び装置に関する。第１に、板状の銅フィルムの少なくとも一部がＳＦＰにて研磨される。第２に、ＳＦＰ処理の間に形成されたバリア金属酸化物がエッチング液によりエッチングされる。最後に、バリア層Ｔａ／ＴａＮ又はＴｉ／ＴｉＮがＸｅＦ_２ガス相エッチングにより除去される。そのため装置は３つのサブ系からなり、それらは無応力銅電解研磨系、バリア層酸化物フィルム除去系、及び、バリア層Ｔａ／ＴａＮ又はＴｉ／ＴｉＮガス相エッチング系である。
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【課題】 干渉波形の特定位相に歪みがあっても歪みの影響を抑制してエッチング深さを精度良く検出することができるエッチング深さの検出方法を提供する。
【解決手段】 本発明のエッチング深さの検出方法は、半導体ウエハＷに光を照射し、その反射光を用いてエッチング深さを検出する方法において、半導体ウエハＷに光を照射する工程と、被エッチング層Ｅの上面及び被エッチング部Ｅ’の表面からの反射光により周期変動する干渉光を検出する工程と、干渉波形の時刻ｔから（ｔ＋Δｔ）の時間毎の検出データに対して周波数解析を行うことにより周波数ω（ｔ）を求める周波数解析工程と、周波数ω（ｔ）を用いてエッチング速度Ｅ（ｔ）を算出するエッチング速度算出工程と、エッチング速度Ｅ（ｔ）を時間積分してエッチング深さを求める工程と、を備えている。 （もっと読む）